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公开(公告)号：CN103060871A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210570167.2
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体（基板）进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液（Q）的电镀槽（10）；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极（26）；保持被电镀体（W），配置在与阳极相对的位置上的保持架（24）；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器（32）；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部（42）的控制部（46）。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN103060871B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210570167.2
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体（基板）进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液（Q）的电镀槽（10）；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极（26）；保持被电镀体（W），配置在与阳极相对的位置上的保持架（24）；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器（32）；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部（42）的控制部（46）。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN101451264B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810178892.9
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN101451264A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810178892.9
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107604426A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710733595.5
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN105420778A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510813398.5
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C25D7/12 , C25D17/08
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN108588800B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710733577.7
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN107604426B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710733595.5
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN108588800A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201710733577.7
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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