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公开(公告)号：CN101451264B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810178892.9
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN101451264A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810178892.9
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN107604426A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710733595.5
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN105420778A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510813398.5
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C25D7/12 , C25D17/08
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103060871A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210570167.2
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体（基板）进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液（Q）的电镀槽（10）；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极（26）；保持被电镀体（W），配置在与阳极相对的位置上的保持架（24）；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器（32）；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部（42）的控制部（46）。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN108588800B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710733577.7
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN107604426B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710733595.5
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN108588800A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201710733577.7
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN107097146A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710087454.0
申请日：2017-02-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B51/00 , B24B41/06 , B24B47/00 , B24B37/04 , B24B21/06 , B24B21/20 , B24B37/11 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B57/02
Abstract: 本发明提供一种能够检测研磨器具是否与晶片等基板接触，进而能够进行研磨器具的位置检测的研磨装置以及研磨方法。研磨装置具有：保持基板(W)的基板保持部(32)；用于将研磨器具(42)向基板W的面按压的按压部件(44)；对按压部件(44)施加按压力的致动器(45)；使按压部件(44)沿着基板(W)的面移动的马达驱动型移动装置(55)；在向马达驱动型移动装置(55)供给的马达电流小于阈值的情况下，发出警报的监视装置(65)。
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