公开(公告)号：CN107665808A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710616508.8

申请日：2017-07-26

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金俙焕 ,  李暎熏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67051 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0021 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67034

摘要： 公开了基板处理装置和方法。该方法包括：将通过将添加剂与有机溶剂混合而得到的混合液提供到基板上，并且在提供混合液之后，通过向基板提供超临界流体并将混合液溶解在临界流体中而从基板去除混合液，其中添加剂的表面张力低于有机溶剂的表面张力，并且添加剂的沸点低于有机溶剂的沸点。

公开(公告)号：CN107578984A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710619571.7

申请日：2014-03-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 冈部晃 ,  森义信

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C30B25/12 ,  C23C16/48 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44

CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  Y10S269/903

摘要： 本发明的基座支撑部包括基座轴及基板升降部。基座轴包括支撑柱及从支撑柱径向延伸的多个臂，基板升降部包括支撑柱及从支撑柱径向延伸的多个臂，基座轴的臂从基座轴的支撑柱侧起包括第一臂、耦接至第一臂的第二臂及耦接至第二臂的第三臂，第二臂提供有通孔，所述通孔沿垂直方向穿过第二臂，且基座轴的第一臂的宽度小于基座轴的第二臂的宽度。

公开(公告)号：CN107393797A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710122891.1

申请日：2017-03-03

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 贾斯廷·查尔斯·卡尼夫

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32807

摘要： 一种包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件。一种用于等离子体处理系统的基座包括衬底支撑表面。环形边缘环围绕衬底支撑表面的周边布置。化学气相沉积(CVD)金刚石涂层布置在环形环的暴露于等离子体的表面上。CVD金刚石涂层包括sp3键。金刚石涂层中的sp3键的纯度大于90％。

公开(公告)号：CN107301970A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710523780.1

申请日：2016-08-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 林兴 ,  周建华 ,  Z·J·叶 ,  陈建 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6831 ,  H01L2221/683

摘要： 公开了一种静电卡盘。所述静电卡盘包括：主体，所述主体耦合到支撑杆，所述主体具有基板支撑表面；肩部，所述肩部从所述主体的基板支撑表面突出，其中绕所述主体的周边设置所述肩部；内部电极，所述内部电极嵌入在所述主体内，所述内部电极从所述主体的中心径向地延伸到邻近所述肩部的区域；以及外部电极，所述外部电极嵌入在所述主体内，所述外部电极径向地设置在所述内部电极的外部，并且所述外部电极相对地设置在所述内部电极上方的一高度处。

公开(公告)号：CN104051310B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201310342266.X

申请日：2013-08-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈世宏

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67126 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68735

摘要： 本发明公开了将晶圆保持在恒定压力下的晶圆载体，其中该恒定压力的预设值低于或者高于大气压力，以防止传统晶圆载体中因暴露在大气中而导致的晶圆污染，并且还公开了使用该晶圆载体的晶圆传输系统以及方法。以预设承载压力来填充的晶圆载体被传输并与包括气锁室、真空传送模块及工艺室的晶圆处理设备的气锁室相对接。气锁室通过气泵调整内部压力以相继地先与开启承载门之前的承载压力相等，然后与开启真空传送模块的门之前的真空传送模块压力。然后，晶圆被传送到工艺室中。在处理之后，晶圆被传送回晶圆载体中并在被卸载以及传输到下一晶圆处理设备之前以预设承载压力来填充。本发明还公开了压控晶圆载体以及晶圆传输系统。

公开(公告)号：CN107034516A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611153337.1

申请日：2016-12-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪世玮

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B25/10 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/46 ,  C30B23/02 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  C30B25/10 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68785

摘要： 一种用于在外延生长室中使用的基座包括设计以保持衬底的热传导主体。主体包括第一区域、第二区域以及第三区域。第一区域从主体的外部边缘朝向主体的中央向内延伸第一宽度，第一区域具有第一高度。第二区域从第一区域的内部边缘朝向主体的中央向内延伸第二宽度，第二区域具有比第一高度低的第二高度。第三区域从第二区域的内部边缘延伸至主体的中央。第二区域包括基本上平行于衬底的底部表面的平坦表面，并且衬底的底部表面的一部分安置在平坦表面上。本发明还提供了一种保持晶圆的热传导块。

公开(公告)号：CN104205295B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201380017145.6

申请日：2013-03-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿希什·戈埃尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼

IPC分类号： H01L21/203 ,  H01L21/324

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735

摘要： 披露了在单一腔室中用于基板的材料处理和热处理的设备和方法。在一个实施方式中，设置有边缘环。边缘环包括环形主体，环形主体具有内周边边缘、第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一凸起构件，第一凸起构件从第二表面实质上正交地延伸出；第二凸起构件，第二凸起构件从邻近于第一凸起构件的第二表面延伸出，并通过第一凹陷与第一凸起构件分离；和第三凸起构件，第三凸起构件从邻近于第二凸起构件的第二表面延伸出，并通过第二凹陷分离，第二凹陷包括倾斜表面，倾斜表面具有与第一表面的反射率值不同的反射率值。

公开(公告)号：CN103255393B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201310052623.9

申请日：2013-02-18

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 成基范 ,  李朝永 ,  金湾中 ,  安昌根 ,  金廷炫

IPC分类号： C23C16/458

CPC分类号： H01L21/68785 ,  B05C13/02 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 公开了一种半导体制造设备，包括：至少一个贮器，在其上安装有将要在其上进行沉积的无源对象；以及载体主体，其具有插入空间，至少一个贮器可拆卸地附着到该插入空间。因此，该半导体制造设备缩短了处理时间并且降低了处理费用。半导体制造设备允许各个贮器根据晶片载体上的贮器的位置而具有不同的结构，并且因此在不考虑贮器的位置的情况下在晶片的表面上实现材料的均匀生长。

公开(公告)号：CN104798190B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380060451.8

申请日：2013-07-17

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 威廉·T·维弗 ,  查理斯·T·卡尔森 ,  斯卡特·A·史密斯 ,  麦可·A·贝克 ,  亚隆·P·威波 ,  詹姆斯·D·史瑞斯奈 ,  罗伦斯·R·葛拉维 ,  麦可·C·席梦思

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01L21/687 ,  C23C14/04

CPC分类号： H01L21/67333 ,  C23C14/042 ,  C23C14/48 ,  C23C14/50 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68778 ,  Y10T29/49899

摘要： 揭示一种固持工件用的系统和承载器及对准承载器内的工件的方法。揭示一种能够固持一个或一个以上工件的承载器。承载器包含沿着承载器中的每一单元的边定位的可移动突起。此承载器结合独立对准设备使用多步对准过程相对于若干对准销来对准相应单元内的每一工件，以保证单元中的工件的恰当定位。首先，使工件朝所述单元的一侧边移动。一旦工件已相对于此边对准，工件便接着朝邻近正交边移动，以使得工件与单元的两侧边对准。一旦对准，工件便由沿着每一单元的每一侧边定位的突起固持于适当位置。另外，对准销还用以对准相关联的罩幕，进而保证罩幕与工件恰当地对准。

公开(公告)号：CN106486409A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510526161.9

申请日：2015-08-25

申请人： 英属开曼群岛商精曜有限公司

发明人： 吴世民 ,  江信宽

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/673 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/67346 ,  H01L31/18 ,  H01L2221/68313

摘要： 一种基板载具，用以承载具有双面镀膜的至少一基板。基板载具包括至少一承载体用以承载基板，其中承载体具有至少一倾斜面，当基板载具承载基板时，基板的至少部分的侧边接触倾斜面，且基板与倾斜面之间具有一为锐角的第一夹角。