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公开(公告)号：CN103017795B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210225044.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L9/0042 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
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公开(公告)号：CN104249991A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310261321.2
申请日：2013-06-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2207/015 , B81B2207/094 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L41/0973
Abstract: 一种MEMS器件及其制作方法，MEMS器件制造方法包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路；在第一半导体衬底上形成第一介质层，第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔；在第一通孔的侧壁形成隔离层；在第一通孔中形成导电插塞，导电插塞与第一金属互连结构相连；形成第二金属互连结构，第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连；释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。
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公开(公告)号：CN101849289B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN200880108379.0
申请日：2008-07-23
Applicant: 维斯普瑞公司
Inventor： 肖恩·J.·坎宁安 , 达纳·德瑞斯 , 亚瑟·S.·玛瑞斯三世
IPC: H01L29/84
CPC classification number: B81C1/00095 , B81B3/0072 , B81C2203/0728 , B81C2203/0771
Abstract: 提供了用于制备三层梁的方法和设备。特别地，公开了用于通过至少绝缘层、第一金属层、梁氧化物层、第二金属层和绝缘平衡层的沉积和图形化来制备多层结构的方法和结构。
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公开(公告)号：CN103017795A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210225044.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L9/0042 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
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公开(公告)号：CN100593853C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200710091312.8
申请日：2007-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/0023 , B81C1/00246 , B81C2201/019 , B81C2203/0771 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1461 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 即使装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高度集成的薄装置。一种半导体装置包括：被接合芯片，其包括：第一芯片，包括形成于其中的MEMS器件；第二芯片，包括形成于其中的半导体器件；以及粘合层，将所述第一芯片的侧面接合到所述第二芯片的侧面，并具有低于所述第一和第二芯片的材料的杨式模量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108529551A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201710120393.3
申请日：2017-03-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0264 , B81C1/00261 , B81C2203/01 , B81C2203/0771
Abstract: 本发明揭露了一种气压传感器，包括：外壳、电路板、MEMS传感器芯片、ASIC芯片和薄膜；其中，所述MEMS传感器芯片和所述ASIC芯片设置在所述电路板上；以及，所述外壳包括至少一个开口端；所述外壳与所述电路板形成容纳所述MEMS传感器芯片和所述ASIC芯片的封装结构；所述封装结构包括空腔体以及设置在所述封装结构上的导通孔，所述导通孔连通所述空腔体和外界环境；所述薄膜设置于所述封装结构的表面上，覆盖所述导通孔。本发明还揭露了一种气压传感器的封装方法。根据本发明的气压传感器，避免了灰尘、水滴等杂质进入导通孔后可能发生的堵塞，或者进入到空腔体内影响各种电子元器件正常工作。
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公开(公告)号：CN107709225A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201580080251.8
申请日：2015-06-22
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2203/0118 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81C1/00246 , B81C1/00301 , B81C2201/0109 , B81C2201/014 , B81C2203/0714 , B81C2203/0742 , B81C2203/0771
Abstract: 将导电层沉积到衬底上的牺牲层中的沟槽中。在导电层之上沉积蚀刻停止层。移除牺牲层以形成间隙。在一个实施例中，梁在衬底之上。互连在梁上。蚀刻停止层在梁之上。间隙在梁与蚀刻停止层之间。
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公开(公告)号：CN104170060B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201180076128.0
申请日：2011-12-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , H01L21/76898 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L29/84 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/16145 , H01L2224/81193 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种集成电路器件，包括单一半导体基板；形成在该单一半导体基板的正侧上的器件层；形成在该单一半导体基板的背侧上的再分配层；形成在单一半导体基板内的硅穿通孔(TSV)，其电气耦合至该器件层及该再分配层；形成在单一半导体基板的背侧上的逻辑内存接口(LMI)，其电气耦合至该再分配层；和形成在单一半导体基板的背侧上的MEMS器件，其电气耦合至该再分配层。
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公开(公告)号：CN103523741B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310410451.8
申请日：2013-06-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0018 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C1/00261 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , B81C2203/0785
Abstract: 提出一种混合集成部件的功能范围扩展，混合集成部件具有一个MEMS元件、一个用于MEMS元件的微机械结构的罩和一个具有电路元件的ASIC元件。在部件中，ASIC元件的电路元件与MEMS元件的微机械结构共同作用。MEMS元件如此装配在ASIC元件上，使得MEMS元件的微机械结构设置在罩和ASIC元件之间的空腔中。ASIC元件此外配备有磁传感机构的电路元件。在ASIC元件的CMOS后端堆叠中或在ASIC元件的所述CMOS后端堆叠上产生电路元件。因此，可以在没有放大芯片面积的情况下实现所述磁传感机构。
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公开(公告)号：CN103539061B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310297234.2
申请日：2013-07-16
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B3/00 , B81B7/02 , G01C19/5733 , G01P15/08
CPC classification number: B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81C1/00246 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , B81C2203/0792 , G01P2015/0877
Abstract: 本发明实现一种微机械结构、尤其是传感器装置和一种对应的运行方法。所述微机械结构、尤其是传感器装置包括至少一个微机械的功能层(100,101)；设置在所述至少一个微机械的功能层(100,101)下方的、具有至少一个可配置的电路装置(PS)的CMOS衬底区域(700")；设置在所述至少一个微机械的功能层(100,101)和所述CMOS衬底区域(700")之间并且电连接到所述微机械的功能层(100,101)和所述电路装置(PS)上的一个或多个接触元件(30,30',30")的装置。所述可配置的电路装置(PS)被设计为，使得所述一个或多个接触元件(30、30',30")可选择性地与CMOS衬底区域(700")中的电连接线路(L1,L2,L3)连接。
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