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公开(公告)号：CN106158675B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201510193619.3
申请日：2015-04-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明的目的在于提供一种银金合金接合线，其即使是高纯度的银金合金接合线，相较于目前为止相同组成成分的银金合金，对于在树脂密封情况下的热冲击性发挥较优异的效果。另外，本发明的目的是提供一种卷绕于滚动条上的银金合金接合线的退绕性良好的银金合金接合线。本发明的银金合金接合线，其特征为：在由银金合金所形成的接合线中，以质量百分比来说，含有10％以上30％以下的金(Au)、含有30ppm以上90ppm以下的钙(Ca)，剩余部分由上述元素以外的金属元素的纯度99.99％以上的银(Ag)所形成的合金，在该合金的表层形成氧(O)和钙(Ca)的浓化层，且在该表层的正下层形成金浓化层。
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公开(公告)号：CN105390463B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
Abstract: 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：CN105390463A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
Abstract: 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：CN103295993A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310223610.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
Abstract: 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。
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公开(公告)号：CN102859672A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201080065756.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L24/45 , C22C9/00 , H01L24/43 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/85207 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/20752 , H01L2924/01204 , H01L2924/01026 , H01L2924/01025 , H01L2924/01013 , H01L2924/01206 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2224/48 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01022 , H01L2924/01034 , H01L2924/01048 , H01L2924/01049 , H01L2924/01205
Abstract: 提供一种高纯度铜合金球焊接引线，其重结晶温度高，易于室温下的拉丝加工，并且初始焊球的硬度小，不产生IC芯片破裂。通过向纯度为99.9985质量％以上的高纯度铜中添加微量的磷(P)，使其重结晶温度比纯度为99.9999质量％以上的高纯度铜高的重结晶温度还高，并且球焊接的初始焊球的硬度降低。通过向纯度为99.9985质量％以上的高纯度铜中添加0.5至15质量ppm的磷(P)，并且使所含有的其他杂质的总含量低于磷(P)的上述含量，来实现上述特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104134644B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410131290.3
申请日：2014-04-02
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种球焊用稀贵金属银合金丝，本发明旨在通过在稀贵金属银合金丝的整个面上设置极薄的碳层，利用该碳的还原作用防止大气对稀贵金属银合金的硫化和氧化，而且，即使是第二次键合时超声波的低热能，也能从键合面上去除与银合金丝表面松散结合的硫化银膜等。本发明的球焊用稀贵金属银合金丝的特征在于，在质量百分比纯度99.9%以上的钯、铂及金中的至少一种的总量占质量百分比0.1～6%、且其他部分由质量百分比纯度99.99%以上的银构成的球焊用稀贵金属银合金丝的表面结构中，该键合丝表面是连铸面经金刚石模具缩径后的拉丝加工面，该拉丝加工面的整个面上形成了总有机碳量为50～3,000μg/m2的有机碳层。
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公开(公告)号：CN102859672B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201080065756.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 提供一种高纯度铜合金球焊接引线，其重结晶温度高，易于室温下的拉丝加工，并且初始焊球的硬度小，不产生IC芯片破裂。通过向纯度为99.9985质量％以上的高纯度铜中添加微量的磷(P)，使其重结晶温度比纯度为99.9999质量％以上的高纯度铜高的重结晶温度还高，并且球焊接的初始焊球的硬度降低。通过向纯度为99.9985质量％以上的高纯度铜中添加0.5至15质量ppm的磷(P)，并且使所含有的其他杂质的总含量低于磷(P)的上述含量，来实现上述特性。
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公开(公告)号：CN106158675A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510193619.3
申请日：2015-04-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/45 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/456 , H01L2224/48247 , H01L2224/78601 , H01L2224/85045 , H01L2224/85203 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/0102 , H01L2924/013 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/01079 , H01L2924/01204 , H01L2924/01008 , H01L2924/00015 , H01L2924/20752 , H01L2924/00012 , H01L2924/20753 , H01L2924/00014 , H01L2924/20105 , H01L2924/00 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004
Abstract: 本发明的目的在于提供一种银金合金接合线，其即使是高纯度的银金合金接合线，相较于目前为止相同组成成分的银金合金，对于在树脂密封情况下的热冲击性发挥较优异的效果。另外，本发明的目的是提供一种卷绕于滚动条上的银金合金接合线的退绕性良好的银金合金接合线。本发明的银金合金接合线，其特征为：在由银金合金所形成的接合线中，以质量百分比来说，含有10％以上30％以下的金(Au)、含有30ppm以上90ppm以下的钙(Ca)，剩余部分由上述元素以外的金属元素的纯度99.99％以上的银(Ag)所形成的合金，在该合金的表层形成氧(O)和钙(Ca)的浓化层，且在该表层的正下层形成金浓化层。
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公开(公告)号：CN104157625A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410108092.5
申请日：2014-03-21
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种银-钯-金(Ag-Pd-Au)基合金的高速信号线用接合线，其即使在接合线表面形成不稳定的硫化银层时，仍无坚固的硫化银(Ag2S)膜，并可传输稳定的数千兆赫(giga Hertz，GHz)带等的超高频信号。本发明的解决方法是提供一种高速信号线用接合线，其是由钯(Pd)2.5～4.0质量%、金(Au)1.5～2.5质量%及剩余部分为纯度99.99质量%以上的银(Ag)所构成的三元合金，该接合线剖面是由表皮膜与芯材所构成，该表皮膜是由在连续铸造后所缩径的连续铸造面与表面偏析层所构成，该表面偏析层是由较芯材含量渐增的银(Ag)且含量渐减的金(Au)的合金区域所构成。
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公开(公告)号：CN104134644A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410131290.3
申请日：2014-04-02
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种球焊用稀贵金属银合金丝，本发明旨在通过在稀贵金属银合金丝的整个面上设置极薄的碳层，利用该碳的还原作用防止大气对稀贵金属银合金的硫化和氧化，而且，即使是第二次键合时超声波的低热能，也能从键合面上去除与银合金丝表面松散结合的硫化银膜等。本发明的球焊用稀贵金属银合金丝的特征在于，在质量百分比纯度99.9%以上的钯、铂及金中的至少一种的总量占质量百分比0.1～6%、且其他部分由质量百分比纯度99.99%以上的银构成的球焊用稀贵金属银合金丝的表面结构中，该键合丝表面是连铸面经金刚石模具缩径后的拉丝加工面，该拉丝加工面的整个面上形成了总有机碳量为50～3,000μg/m2的有机碳层。
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