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公开(公告)号：CN100594619C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200580024505.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/14665 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1469 , H01L27/14692
Abstract: 本发明的目的是提供一种通过并行地执行形成薄膜晶体管的步骤和形成光电变换层的步骤在短时间内制造的半导体器件，以及提供其制造工艺。根据本发明，以如下方式制造一种半导体器件，其中在第一衬底上方形成薄膜晶体管，在第二衬底上方形成光电变换元件，以及通过在彼此相对的第一衬底和第二衬底之间夹置导电层电连接薄膜晶体管和光电变换元件，以使薄膜晶体管和光电变换元件位于第一和第二衬底之间。因此，可以提供一种半导体器件的制造方法，其抑制了步骤数增加并增加了生产量。
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公开(公告)号：CN101034723A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710086231.9
申请日：2007-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/101 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14692
Abstract: 本发明的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中，获得一种可靠性高的半导体装置。本发明提供一种半导体装置，其在绝缘表面上包括：第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及在所述覆盖层上的、包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的光电转换层，其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触，并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。
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公开(公告)号：CN1832207A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610009063.9
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/1133 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。
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公开(公告)号：CN1606169A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410087478.9
申请日：2004-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/00 , H01L29/786 , H01L29/861 , H01L31/04 , H01L27/12 , H01L27/14 , H01L21/84 , H04M1/00 , H04Q7/32
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L23/49805 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/83851 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有可装配在布线衬底上的结构，所述半导体器件形成在薄膜厚度衬底、膜状衬底，或者片状衬底上。此外，本发明提供一种制造半导体器件的方法，能够提高装配在布线衬底上的可靠性。本发明的一个特征是把形成在绝缘衬底上的半导体元件接合到通过具有各向异性导电性的介质形成的导电膜的部件上。
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公开(公告)号：CN102522462B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210008282.0
申请日：2006-01-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: G04C10/02 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳电池和半导体器件以及其制造方法，目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102460721A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080025840.3
申请日：2010-05-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1896 , H01L31/043 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02S40/38 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不使制造工序复杂化而提高机械强度的光电转换装置。所述光电转换装置包括：具备光电转换功能的第一单元；具备光电转换功能的第二单元；将第一单元及第二单元牢固接合的包括纤维体的结构体。其结果，pin结与其中使纤维体浸渍有机树脂的结构体即所谓的预浸料贴合，所以可以在抑制制造成本的同时实现提高机械强度的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN102176488A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110080669.2
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/113 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/1133 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。
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公开(公告)号：CN101290940B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810088343.2
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/16 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L27/12 , H01L27/14618 , H01L27/14643 , H01L31/02005 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/1147 , H01L2224/16 , H01L2224/8121 , H01L2224/8122 , H01L2224/81815 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01054 , H01L2924/0106 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/12043 , H01L2924/15787 , H01L2224/13099 , H01L2924/00015 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的为如下：在将光电转换元件安装在布线衬底等时，提高其固定强度，来解决接触不良及剥离等的问题。本发明涉及一种半导体装置，其中，在第一衬底上包括：光电转换层；包括至少两个薄膜晶体管的放大电路，该放大电路放大光电转换层的输出电流；以及供应高电位电源的第一电极及供应低电位电源的第二电极，该第一电极和第二电极电连接到所述光电转换层及所述放大电路，并且，在所述第一衬底的最上层包括：与导电材料形成合金的固定层，并且，在第二衬底上包括：第三电极和第四电极；以及固定所述第一电极和所述第三电极并固定所述第二电极和所述第四电极的所述导电材料。
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公开(公告)号：CN100477240C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200410083451.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/14609 , H01L27/14665 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中，使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中，通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化，以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化，就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明，能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。
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公开(公告)号：CN1877269A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610084883.4
申请日：2006-05-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G01J1/18 , G01J1/44 , G01J2001/4406 , G09G3/3611 , G09G2320/0626 , G09G2360/144 , G09G2360/145 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个目标是提供一种检测从弱光到强光范围的光的光电转换装置。本发明涉及一种光电转换装置，它包括具有光电转换层的光电二极管、包括薄膜晶体管的放大器电路以及偏置切换装置，其中当入射光的强度超过预定强度时，通过偏置切换装置切换与光电二极管和放大器电路相连的偏置，因此，小于预定强度的光被光电二极管检测而大于预定强度的光被放大器电路的薄膜晶体管检测。通过本发明，可以检测从弱光到强光范围的光。
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