公开(公告)号：CN118435359A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280084947.8

申请日：2022-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  国武宽司 ,  斋藤晓 ,  高桥正弘 ,  奥野直树 ,  太田将志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/26 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10B99/00

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一半导体层、第一半导体层上的具有沟道形成区域的第二半导体层、第二半导体层上的第一导电体及第二导电体、在第二半导体层上并位于第一导电体和第二导电体之间的第二绝缘体、以及第二绝缘体上的第三导电体。在晶体管的沟道宽度方向的截面中，第三导电体覆盖第二半导体层的侧面及顶面。第二半导体层的介电常数比第一半导体层高。在晶体管的沟道宽度方向的截面中，第一半导体层和第二半导体层的界面的长度为1nm以上且20nm以下，从第二半导体层的底面到第三导电体的不与第二半导体层重叠的区域的底面的长度比第二半导体层的膜厚度大。

公开(公告)号：CN114902414A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080090207.6

申请日：2020-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大贯达也 ,  上妻宗广 ,  青木健 ,  松嵜隆德 ,  冈本佑树 ,  太田将志 ,  长塚修平 ,  国武宽司 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/786 ,  G06F9/38 ,  G06F15/78 ,  G11C11/405 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8239

Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括加速器。加速器包括第一存储电路、第二存储电路及运算电路。第一存储电路包括第一晶体管。第二存储电路包括第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管都包括在沟道形成区域中含有金属氧化物的半导体层。运算电路包括第三晶体管。第三晶体管包括在沟道形成区域中含有硅的半导体层。第一晶体管及第二晶体管设置在不同的层中。包括第一晶体管的层设置在包括第三晶体管的层上。包括第二晶体管的层设置在包括第一晶体管的层上。第一存储电路具有与第二存储电路不同的数据保持特性。

公开(公告)号：CN104867981B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201510086792.3

申请日：2015-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  石山贵久 ,  冈崎健一 ,  川锅千穗 ,  太田将志 ,  石原典隆

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。

公开(公告)号：CN105870196A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610250240.6

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN105734493A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610250248.2

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN116171484A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202180064527.9

申请日：2021-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  国武宽司 ,  大嶋和晃 ,  太田将志 ,  古谷一马 ,  青木健

IPC: H01L21/316

Abstract: 提供一种包括具有良好的铁电性的金属氧化物膜的铁电体器件。该铁电体器件包括第一导电体、第一导电体上的金属氧化物膜以及金属氧化物膜上的第二导电体，金属氧化物膜具有铁电性，金属氧化物膜具有结晶结构，结晶结构包括第一层及第二层，第一层包含第一氧及铪，第二层包含第二氧及锆，铪与锆通过第一氧相键合，并且第二氧与锆键合。

公开(公告)号：CN111524967A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010201041.2

申请日：2015-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  石山贵久 ,  冈崎健一 ,  川锅千穗 ,  太田将志 ,  石原典隆

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。

公开(公告)号：CN105734493B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610250248.2

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN104769150B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201380058422.8

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  C01B13/14 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN107109630A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070738.8

申请日：2015-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  山田良则 ,  太田将志

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种具有杂质浓度低的氧化物的溅射靶材以及溅射靶材的制造方法，该方法包括如下步骤：准备包含铟、锌、元素M(元素M为铝、镓、钇或锡)及氧的混合物的第一步骤；在以90体积％以上且100体积％以下的浓度含有氮的第一气氛下将混合物的温度从第一温度升温至第二温度的第二步骤；以及，在以10体积％以上且100体积％以下的浓度含有氧的第二气氛下将混合物从第二温度降温至第三温度的第三步骤。