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公开(公告)号：CN107109630A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070738.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , C04B35/00 , C04B35/453 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种具有杂质浓度低的氧化物的溅射靶材以及溅射靶材的制造方法，该方法包括如下步骤：准备包含铟、锌、元素M(元素M为铝、镓、钇或锡)及氧的混合物的第一步骤；在以90体积％以上且100体积％以下的浓度含有氮的第一气氛下将混合物的温度从第一温度升温至第二温度的第二步骤；以及，在以10体积％以上且100体积％以下的浓度含有氧的第二气氛下将混合物从第二温度降温至第三温度的第三步骤。
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