Patent search ap:("株式会社半导体能源研究所") AND inv:"后藤裕吾" Page 2

11.

发明授权
发光装置及其制作方法失效

公开(公告)号：CN100557850C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN03158661.9

申请日：2003-09-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 , 鹤目卓也 , 后藤裕吾

IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , H05B33/12 , H05B33/04

CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/3244 , H01L2251/5315

Abstract: 本发明通过采用能够形成叠层的含有氟树脂的膜作为保护元件不受湿气和氧气的影响的保护膜，跟常规的技术相比更容易防止发光元件的退化，因而可以达到提高发光元件可靠性的目的。本发明对含有氟树脂的膜的表面进行表面处理，使表面形状有凸凹结构，并通过控制含有氟树脂的膜中的氟树脂的含有量，使在含有氟树脂的膜上形成其他膜的叠层结构成为可能。在通过控制含有氟树脂的膜中的氟树脂的含有量，在含有氟树脂的膜上形成其他膜的叠层的情形中，通过溅射法按顺序用多个靶形成含有氟树脂的膜，其中多个靶用氟树脂和金属氧化物制成并具有不同含有率，由此控制膜中的氟树脂的含有量。

12.

发明授权
半导体器件及其制作方法失效

公开(公告)号：CN100505254C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200310123558.0

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 , 丸山纯矢 , 大野由美子 , 高山彻 , 后藤裕吾 , 新川悦子 , 山崎舜平

IPC: H01L27/00 , H01L21/44

CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/563 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L29/0657 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/274 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1579 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供一种崭新的半导体安装技术，该技术不依靠硅片的背面加工就可以实现半导体器件的薄型化。借助于安装集成电路膜，使安装该集成电路膜的半导体器件的薄型化成为可能。在此，“集成电路膜”指的是使用利用在玻璃衬底或石英衬底上形成的半导体膜制成的集成电路而制成的膜状的集成电路。本发明利用转移技术制作集成电路膜。

13.

发明授权
半导体器件及其制作方法失效

公开(公告)号：CN100392861C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200380108533.1

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 , 高山彻 , 后藤裕吾

IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/20 , H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1255 , H01L27/1446 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L2221/68368 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599

Abstract: 本发明的特征在于：在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和非晶质半导体膜，对上述金属氧化物膜和上述非晶质半导体膜进行结晶化，在将已被结晶化的半导体膜用作有源区形成了第1半导体元件后，在上述第1半导体元件上使用粘接材料粘接支撑体，在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上之后，除去上述第1粘接材料并剥离上述支撑体，在上述第1半导体元件上形成非晶质半导体膜，形成将该非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件。

14.

发明授权
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN100382232C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410043013.3

申请日：2004-02-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今井馨太郎 , 高山彻 , 后藤裕吾 , 丸山纯矢 , 大野由美子

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括在从基板上分离形成在基板上的包括半导体元件或集成电路的元件形成层将其粘结到另一个基板上的情况下能够控制基板和元件形成层的附着力的转移步骤。在形成在基板(第一基板)上的半导体元件或由多个半导体元件构成的集成电路与基板之间形成由好的附着力的材料制成的粘合剂，由此，能够在制造半导体元件的过程中防止半导体元件从基板上脱落，而且，通过在形成半导体元件之后去除粘合剂，更容易从基板上分离半导体元件。

15.

发明公开
卡以及利用该卡的记帐系统失效复审申请

公开(公告)号：CN1519775A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310123568.4

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 , 高山彻 , 丸山纯矢 , 后藤裕吾 , 大野由美子 , 秋叶麻衣

IPC: G06K19/077

CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/077 , G06K19/07703 , G06Q20/341 , G06Q20/40145 , G07F7/1008

Abstract: 本发明的目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。

16.

发明公开
液晶显示器件以及其制作方法无效复审申请

公开(公告)号：CN1517753A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001866.0

申请日：2004-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 , 高山彻 , 丸山纯矢 , 后藤裕吾 , 大野由美子 , 远藤秋男 , 荒井康行

IPC: G02F1/133 , G02F1/1335 , G02F1/136 , H01L21/02 , H01L33/00

CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/133305 , G02F1/133603 , G02F2001/13613 , H01L27/14678 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592

Abstract: 本发明的目的是在不妨碍便携用电子器具的轻巧化或小体积化的情况下，实现高功能化。确切地说，本发明的目的是在不损伤搭载在便携用电子器具的液晶显示器件的机械强度的情况下，实现轻巧化，小体积化。一种包括第一塑料衬底；配置在第一塑料衬底上的发光元件；覆盖该发光元件的树脂；和该树脂连接的绝缘膜；和该绝缘膜连接的半导体元件；和该半导体元件电连接的液晶单元；第二塑料衬底的液晶显示器件，其中，所述半导体元件和所述液晶单元提供在第一塑料衬底和第二塑料衬底之间。

17.

发明授权
蓄电单元以及具备该蓄电单元的电子设备有权

公开(公告)号：CN105765763B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201480065065.2

申请日：2014-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田岛亮太 , 后藤裕吾 , 米田祐美子 , 后藤准也 , 三轮讬也

IPC: H01M2/18 , H01G11/52 , H01M2/02 , H01M2/06 , H01M2/08 , H01M2/26

Abstract: 提供一种耐受弯曲等变形的蓄电单元。使用对折的由绝缘体构成的薄片覆盖电极板。优选通过将薄片在电极板的周围部重叠的部分接合，将薄片加工为袋状或囊状形状。电极板与薄片一起被固定于外包装体。当外包装体因弯曲等变形时，电极板与薄片一起在外包装体内部滑动，由此可以缓和因弯曲给电极板造成的应力。

18.

发明公开
具有二次电池的电子设备失效

公开(公告)号：CN105098197A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510267032.2

申请日：2015-05-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥实 , 后藤裕吾 , 米田祐美子 , 三轮讬也 , 田岛亮太

IPC: H01M4/80 , H01M2/30 , H01M2/02 , H01M10/04

Abstract: 本发明题为具有二次电池的电子设备。当作为二次电池的外包装体使用膜时，膜的强度比金属罐较弱，在从外部施加力量的情况下，有可能损伤配置在外包装体的内部的集流体或设置在集流体表面上的活性物质层等。本发明的一个方式的目的之一是提供一种即使从外部施加力量也实现耐久性高的二次电池。在二次电池的中央部设置开口部，在开口部中形成端子。通过热压合二次电池的外侧边缘被固定。并且，通过热压合二次电池的中央部被固定，因此即使弯曲二次电池的外侧边缘弯曲的程度也能得到控制。

19.

发明授权
半导体装置失效

公开(公告)号：CN101452962B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN200810183805.9

申请日：2008-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 , 后藤裕吾 , 村川努

IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1218

Abstract: 本发明的目的在于提供在施加诸如弯曲等的外力而产生应力的情况下也降低晶体管等的损伤的半导体装置。本发明的半导体装置包括：设置在具有挠性的衬底上的第一岛状加强膜；在第一岛状加强膜上具有沟道形成区域和杂质区域的半导体膜；在沟道形成区域的上方隔着栅极绝缘膜而设置的第一导电膜；以覆盖第一导电膜及栅极绝缘膜的方式设置的第二岛状加强膜。