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公开(公告)号：CN102906860A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025026.6
申请日：2011-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/0332 , H01L21/0337
Abstract: 提供了用于在处理腔室中制造半导体器件的方法。在一个实施例中，一种方法包括下列步骤：在衬底上沉积第一基底材料，第一基底材料具有第一组互连特征；以可灰化材料填充第一组互连特征的上部；平坦化第一基底材料的上表面，使得填充在第一组互连特征中的可灰化材料的上表面提供基本上平坦的外表面；在所述基本上平坦的外表面上沉积膜叠层，模叠层包含第二基底材料；在第二基底材料中形成第二组互连特征，其中第二组互连特征与第一组互连特征对齐；以及从第一基底材料移除可灰化材料，以将第二组互连特征连接至第一组互连特征。
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公开(公告)号：CN107075671A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053158.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , S·拉斯 , P·P·杰哈 , S·巴苏 , K·D·李 , M·J·西蒙斯 , 金柏涵 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , Z·段 , 荆雷 , M·B·潘迪特
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/66
Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
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公开(公告)号：CN103210480A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180045061.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/312
CPC classification number: H01L21/64 , C23C16/0272 , C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的实施例大体上关于集成电路的制造，并且尤其关于含硼非晶碳层在半导体基板上的沉积。在一实施例中，提供一种在处理腔室中处理基板的方法。此方法包含：在处理空间中提供基板；使含碳氢化合物气体混合物流动到处理空间内；通过从RF源施加功率来产生含碳氢化合物气体混合物的等离子体；使含硼气体混合物流动到处理空间内；及在等离子体的存在下，在基板上沉积含硼非晶碳膜，其中含硼非晶碳膜含有原子百分比为约30至约60的硼。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101523357B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200780037481.1
申请日：2007-10-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , E·Y·朱科 , M·阿优伯 , H-J·金 , K·杰纳基拉曼 , S·拉蒂 , D·帕德希 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , A·阿巴亚缇 , D·R·威蒂 , H·姆塞德 , A·巴利施尼科夫 , C·陈 , S·刘
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/52 , H01J37/32431 , H01L21/67069 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供用以监测与维持等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理基板的方法，所述方法至少包含：将基板定位在静电夹具上；施加RF功率于静电夹具中的电极以及反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的虚拟阻抗。
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公开(公告)号：CN102652186A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201080055555.6
申请日：2010-12-15
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/4401
Abstract: 本发明的具体实施例提供了用以在多层沉积期间减少缺陷的方法。在一个具体实施例中，所述方法包括下列步骤：在等离子体存在下，使基板暴露于第一气体混合物和惰性气体，以在基板上沉积第一材料层；当第一材料的期望厚度达到后，终止第一气体混合物，同时仍维持等离子体并流入惰性气体，以及在等离子体存在下，使基板暴露于相容于第一气体混合物的惰性气体和第二气体混合物，以在同一处理腔室中在第一材料层上沉积第二材料层，其中第一材料层与第二材料层彼此不同。
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公开(公告)号：CN114737169A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210426147.1
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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公开(公告)号：CN110249406B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201880009192.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/505
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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公开(公告)号：CN107075671B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201580053158.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , S·拉斯 , P·P·杰哈 , S·巴苏 , K·D·李 , M·J·西蒙斯 , 金柏涵 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , Z·段 , 荆雷 , M·B·潘迪特
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/66
Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
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