公开(公告)号：CN111218666B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202010128359.2

申请日：2015-12-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·高希 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  祝基恩 ,  S·金 ,  王彦杰

IPC: C23C16/44

Abstract: 本文公开了一种用于处理腔室的内部容积中的C形通道。在一个实施例中，所述C形通道包括：顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口，所述多个开口将所述顶部环形部的顶表面与所述顶部环形部的底表面连接；底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，其中所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域，所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积；以及排气口，所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。

公开(公告)号：CN112136202A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201980033026.7

申请日：2019-05-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·阿迪帕利 ,  S·卡坦布里 ,  M·G·库尔卡尼 ,  H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 ,  V·K·普拉巴卡尔 ,  爱德华四世·P·哈蒙德 ,  J·C·罗查

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/505 ,  C23C16/458

Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于PECVD腔室的金属屏蔽件。金属屏蔽件包括基板支撑部分和轴部分。轴部分包括具有壁厚度的管状壁。管状壁具有嵌入其中的冷却剂通道的供应通道和冷却剂通道的返回通道。供应通道和返回通道中的各者是管状壁中的螺旋。螺旋供应通道和螺旋返回通道具有相同的旋转方向且彼此平行。供应通道和返回通道在管状壁中交错。通过在金属屏蔽件中交错的供应通道和返回通道，减小了金属屏蔽件中的热梯度。

公开(公告)号：CN107548515B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201680023407.3

申请日：2016-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·杜鲍斯 ,  K·高希 ,  祝基恩 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  王彦杰 ,  S·金

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。

公开(公告)号：CN107980172A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201680047305.5

申请日：2016-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  P·P·杰哈 ,  韩新海 ,  金柏涵 ,  金相赫 ,  朱明勋 ,  朴亨珍 ,  金伦宽 ,  孙镇哲 ,  S·格纳纳威路 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  M·K·莎莱扎 ,  J·K·福斯特

IPC: H01L27/11582 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。

公开(公告)号：CN106653674A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610972233.7

申请日：2016-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·高希 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  P·P·贾 ,  K·尼塔拉

IPC: H01L21/687

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/68757

Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种可改善升降杆区域上方的沉积速率和均匀膜厚度的升降杆。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。

公开(公告)号：CN118202441A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280074215.0

申请日：2022-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： U·S·科塔基 ,  M·G·库尔卡尼

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/44

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将沉积前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域中。方法可包括在容纳于半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积材料层。处理区域可在沉积期间保持在第一压力。方法可包括在处理区域内延伸挡板。挡板可改变处理区域内的流动路径。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成处理或蚀刻前驱物的等离子体。处理区域可在形成期间保持在第二压力。方法可包括利用处理前驱物的等离子体流出物处理沉积在基板上的材料层。工艺可循环任意次数。

公开(公告)号：CN117616552A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048476.5

申请日：2022-07-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·佩马萨尼 ,  A·达纳克什鲁尔 ,  M·G·库尔卡尼 ,  M·S·K·穆蒂亚拉 ,  于航 ,  D·帕德希

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  H01L21/683

Abstract: 示例性基板支撑组件可以包括限定基板支撑表面的吸附主体。基板支撑表面可以限定多个从基板支撑表面向上延伸的突起。基板支撑表面可以限定环形槽和/或脊。多个突起的子集可以设置在环形槽和/或脊内。基板支撑组件可以包括与吸附主体耦合的支撑柄。

公开(公告)号：CN117580972A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280045837.0

申请日：2022-07-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·佩马萨尼 ,  D·R·B·拉吉 ,  李晓璞 ,  A·达纳克什鲁尔 ,  M·G·库尔卡尼 ,  M·S·K·穆蒂亚拉 ,  D·帕德希 ,  于航

IPC: C23C16/455

Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括设置在腔室主体内的基板支撑件。基板支撑件可界定基板支撑表面。腔室可包括定位支撑在腔室主体顶部的喷头。基板支撑件和喷头的底表面可至少部分地界定半导体处理腔室内的处理区域。喷头可界定穿过喷头的多个孔。喷头的底表面可界定直接定位在基板支撑件的至少一部分上方的环形槽或脊。

公开(公告)号：CN116490964A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180072311.7

申请日：2021-10-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黎坚 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  M·G·库尔卡尼 ,  P·L·布里尔哈特 ,  V·斯里尼瓦萨穆尔西 ,  K·吴 ,  W·张

IPC: H01L21/67

Abstract: 示例性基板支撑组件可包括限定支撑表面的静电卡盘主体，所述支撑表面限定基板座。基板支撑表面可包括介电涂层。基板支撑组件可包括支撑杆，所述支撑杆与静电卡盘主体耦接。基板支撑组件可包括冷却毂，所述冷却毂定位在支撑杆的基部下方并且与冷却流体源耦接。静电卡盘主体可限定与冷却流体源连通的至少一个冷却通道。基板支撑组件可包括加热器，所述加热器嵌入静电卡盘主体内。基板支撑组件可包括AC电源棒，所述AC电源棒延伸穿过支撑杆并与加热器电耦接。基板支撑组件可包括多个空隙，所述多个空隙形成在至少一个冷却通道和加热器之间的静电卡盘主体内。

公开(公告)号：CN107980172B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201680047305.5

申请日：2016-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  P·P·杰哈 ,  韩新海 ,  金柏涵 ,  金相赫 ,  朱明勋 ,  朴亨珍 ,  金伦宽 ,  孙镇哲 ,  S·格纳纳威路 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  M·K·莎莱扎 ,  J·K·福斯特

IPC: H01L27/11582 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575

Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。