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公开(公告)号：CN106133878A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580018220.X
申请日：2015-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨的方法。一些实施方式中，一种处理基板的方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；将所述基板暴露于等离子体，以在所述介电层顶上与所述特征内形成钨阻挡层，所述等离子体由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成所述钨阻挡层期间的所述处理腔室的温度低于约225摄氏度；以及于所述钨阻挡层上沉积钨填充层，以填充所述特征至所述第一表面。
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公开(公告)号：CN104718314A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380054227.8
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·汤普森 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吕新亮 , 唐薇 , 周静 , 赛沙德利·甘古利 , 杰弗里·W·安西斯 , 阿蒂夫·努里 , 法鲁克·京格尔 , 吴典晔 , 张镁 , 陈世忠
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45534
Abstract: 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。
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公开(公告)号：CN108140555B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201680060858.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 提供了沉积包含SiO或SiN的可流动薄膜的方法。某些方法包含：将基板表面暴露于硅氧烷或硅氮烷前驱物；将基板表面暴露于等离子体活化的共反应物以提供SiON中间薄膜；紫外线固化SiON中间薄膜以提供固化的中间薄膜；和退火固化的中间薄膜以提供包含SiO或SiN的薄膜。
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公开(公告)号：CN106133878B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201580018220.X
申请日：2015-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨的方法。一些实施方式中，一种处理基板的方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；将所述基板暴露于等离子体，以在所述介电层顶上与所述特征内形成钨阻挡层，所述等离子体由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成所述钨阻挡层期间的所述处理腔室的温度低于约225摄氏度；以及于所述钨阻挡层上沉积钨填充层，以填充所述特征至所述第一表面。
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公开(公告)号：CN107208262A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580063083.1
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 描述了选择性地沉积金属在金属表面上相对于在介电表面上的方法。方法包括将金属氧化物表面还原成金属表面且保护介电表面以将介电表面上的沉积予以最小化及暴露基板于金属前驱物和醇类以沉积膜。
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公开(公告)号：CN105164791A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480022298.4
申请日：2014-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/283
CPC classification number: C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: 提供沉积膜的方法，所述方法包含下列步骤：将基板的至少一部分暴露于金属前驱物，以于基板上提供第一金属，将基板的至少一部分暴露于有机金属还原剂，以于基板上沉积第二金属，以形成第一金属与第二金属的混合物或合金。可依序或同时暴露于金属前驱物及有机金属还原剂。
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公开(公告)号：CN104737275A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054229.7
申请日：2013-10-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 阿蒂夫·努里 , 张镁 , 戴维·汤普森 , 史蒂夫·G·加奈耶姆
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/345 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28506 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。
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公开(公告)号：CN104221132A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380019857.1
申请日：2013-04-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/34 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76867 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本文描述含锰膜以及用于提供含锰膜的方法。将含锰膜掺杂Co、Mn、Ru、Ta、Al、Mg、Cr、Nb、Ti或V允许含锰膜的铜阻挡性质增强。本文还描述提供具有包括硅酸锰的第一层和包括含锰膜的第二层的膜的方法。
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公开(公告)号：CN111902566B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201980020567.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤里·梅尔尼克 , 苏克蒂·查特吉 , 考沙尔·冈加什卡尔 , 乔纳森·弗兰克尔 , 兰斯·A·斯卡德尔 , 普拉文·K·纳万克尔 , 大卫·布里兹 , 托马斯·奈斯利 , 马克·沙丽 , 戴维·汤普森
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/32 , C23C16/42 , C23C16/56
Abstract: 本公开内容的实施方式一般地涉及航空航天部件上的保护涂层和用于沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，一种在航空航天部件上沉积保护涂层的方法包括：顺序地将航空航天部件暴露于铬前驱物和反应物以通过原子层沉积工艺在航空航天部件的表面上形成含铬层。含铬层包含金属铬、氧化铬、氮化铬、碳化铬、硅化铬或上述各项的任何组合。
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