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    功率半导体模块以及其制造方法
    13.
    发明公开
    功率半导体模块以及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN103620763A

    公开(公告)日：2014-03-05

    申请号：CN201280028969.9

    申请日：2012-04-16

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 柳川克彦 ,  池田良成

    IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    CPC classification number: H01L23/08 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/053 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3135 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/162 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供一种功率半导体模块，该功率半导体模块使用如下的密封材料：即、该密封材料适合于使用了碳化硅元件的功率半导体模块的元件附近的温度、以及外周部的温度。该功率半导体模块包括：绝缘层；铜基底基板，该铜基底基板包括分别固定于所述绝缘层的一个面与另一个面上的第1铜块及第2铜块；多个功率半导体元件，该多个功率半导体元件的一个面通过导电接合层固定于所述第1铜块上，并使用碳化硅；多个注入引脚，该多个注入引脚通过导电接合层固定于各个所述功率半导体元件的另一面上；印刷基板，该印刷基板固定于所述注入引脚，并配置成与功率半导体元件相对；第1密封材料，该第1密封材料至少配置在功率半导体元件与印刷基板之间，且未添加阻燃剂；以及第2密封材料，该第2密封材料配置成覆盖所述第1密封材料，且添加了阻燃剂。

    半导体装置及半导体装置的劣化判定方法
    14.
    发明公开
    半导体装置及半导体装置的劣化判定方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117059608A

    公开(公告)日：2023-11-14

    申请号：CN202310251640.9

    申请日：2023-03-15

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 堀元人 ,  池田良成 ,  田中孝明 ,  王启臣

    IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L23/48

    Abstract: 本发明提供高精度地进行劣化的判定的半导体装置及半导体装置的劣化判定方法。检测导线将布线板的正面与发射极端子连接。在这样的半导体装置中，从发射极端子检测出的电位从半导体芯片的输出电极输出，将布线导线、布线板以及检测导线通电。因此，从发射极端子检测出的电位主要受布线导线的导线接合部的劣化的影响。另一方面，从发射极端子检测出的电位不受将半导体芯片的输入电极与布线板接合的接合部件的焊料接合部的劣化的影响。另外，检测导线几乎不会受到因导通布线板的电流引起的相对于导通方向而沿顺时针方向产生的磁场的影响。经由这样的检测导线从发射极端子获得的电位不包含噪声且偏差小。

    半导体模块
    15.
    发明授权
    半导体模块 有权

    公开(公告)号：CN106898600B

    公开(公告)日：2021-09-14

    申请号：CN201610926034.2

    申请日：2016-10-24

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 堀元人 ,  池田良成 ,  仲村秀世 ,  望月英司 ,  西泽龙男

    IPC: H01L25/07 ,  H01L23/52

    Abstract: 本发明能够容易地将多个半导体模块彼此加以连接。半导体模块(100)具备：具有螺母收容部(131～133)的封装树脂(130)和配置于螺母收容部(131～133)中的螺母(143)，其中，主端子(125～127)从封装树脂(130)突出，绝缘电路板、半导体元件以及配线电路板被封装在封装树脂(130)中。进而，上述半导体模块(100)具有汇流条端子(140)，该汇流条端子140与从封装树脂130突出的主端子125～127电连接，并具有与螺母143相对的插入孔142。由此，仅通过利用连接汇流条将半导体模块(100)的汇流条端子(140)加以连接，便可容易地将两个半导体模块(100)进行连接。

    半导体模块和半导体模块的制造方法
    16.
    发明公开
    半导体模块和半导体模块的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113224015A

    公开(公告)日：2021-08-06

    申请号：CN202110012538.4

    申请日：2021-01-06

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 加藤辽一 ,  池田良成 ,  西泽龙男 ,  堀元人 ,  望月英司

    IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

    Abstract: 本发明提供半导体模块和半导体模块的制造方法。降低热阻并且降低电感。半导体模块(1)包括：层叠基板(2)，其是在绝缘板(20)的上表面配置有电路图案(22)并在绝缘板的下表面配置有散热板(21)而成的；半导体元件(3)，其在上表面配置有集电极(30)，在下表面配置有发射极电极(32)和栅电极(31)，发射极电极和栅电极经由凸块(B)与电路图案的上表面接合；以及块电极(4)，其与集电极接合。块电极具有：平板部(44)，其覆盖半导体元件的上方；以及一对突出部(45)，其自平板部的两端朝向电路图案突出地与电路图案接合。

    半导体装置
    17.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN106531693B

    公开(公告)日：2021-06-11

    申请号：CN201610560742.9

    申请日：2016-07-15

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 堀元人 ,  池田良成

    IPC: H01L23/043

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。为了使半导体装置高耐压化，优选扩展电极端子与其它金属部分的爬电距离和空间距离。所述半导体装置具备半导体元件；壳体部，其收纳半导体元件；以及外部端子，其设置于壳体部的正面，在壳体部的正面形成有从正面突出的壁部和设置于被壁部包围的区域，且相对于正面凹陷的凹部，外部端子配置于凹部的底面。

    半导体模块和半导体模块的制造方法
    18.
    发明公开
    半导体模块和半导体模块的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN112599486A

    公开(公告)日：2021-04-02

    申请号：CN202011059608.3

    申请日：2020-09-30

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 堀元人 ,  池田良成

    IPC: H01L23/495 ,  H01L25/18 ,  H01L29/417 ,  H01L21/60

    Abstract: 本发明提供半导体模块和半导体模块的制造方法。降低电感并实现小型化。半导体模块包括：第1金属布线板，构成P端子；第2金属布线板，构成N端子；第3金属布线板，构成输出端子；第1半导体元件，集电极朝向第1金属布线板的一主面地配置于第1金属布线板的一主面；第2半导体元件，集电极朝向第3金属布线板的一主面地配置于第3金属布线板的一主面。第2金属布线板隔着绝缘材料配置于第1金属布线板的一主面。第3金属布线板以一主面朝向第1金属布线板的方式配置。第1半导体元件和第2半导体元件以第1半导体元件的发射极与第3金属布线板的一主面连接且第2半导体元件的发射极与第2金属布线板的一主面连接的方式表背相反地配置。

    功率半导体模块
    19.
    发明授权
    功率半导体模块 有权

    公开(公告)号：CN105981168B

    公开(公告)日：2018-10-16

    申请号：CN201580008212.7

    申请日：2015-07-27

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 崛元人 ,  高桥良和 ,  望月英司 ,  西村芳孝 ,  池田良成

    IPC: H01L25/07 ,  H01L23/473 ,  H01L25/18

    Abstract: 功率半导体模块具备冷却器、在冷却器上并列固定的多个功率半导体单元、以及将功率半导体单元电连接的母线单元。功率半导体单元具备依次层叠了电路板、绝缘板以及金属板而成的层叠基板；固定于电路板的半导体元件；具有印刷电路基板和多个导电柱的布线部件；与电路板电连接且机械连接的外部端子；以及绝缘性的密封材料。母线单元具备将各功率半导体单元的外部端子相互连接的多个母线。

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