公开(公告)号：CN105379098A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201380075396.X

申请日：2013-10-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 山田隆二 ,  丸山宏二 ,  田中孝明

IPC: H02M7/483

CPC classification number: H02H9/02 ,  H02M3/156 ,  H02M7/487 ,  H02M7/537 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/1483

Abstract: 本发明涉及三电平逆变器，其中，在直流电源(1)上并联连接电容器(2、3)的串联电路和SiC-MOSFET等的半导体开关(4、5)的串联电路，并在电容器(2、3)的串联连接点(M点)上连接由IGBT等的半导体开关(12、13)和SiC-SBD等的二极管(10、11)构成的双向开关的一端，并且将其另一端连接于半导体开关(4、5)的串联连接点，从而构成可通过半导体开关(4、5、12、13)的动作输出三个电压电平的三电平逆变器。进行运行以使得满足交流输出电压Vo的峰值为电容器(2、3)的电压的80％以上的值的条件或输出功率因数为0.8以上的条件中至少一方的条件。因此，可利用常规的廉价元件作为半导体开关的一部分，在降低成本的同时谋求高效化、小型化。

公开(公告)号：CN119438838A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410291595.4

申请日：2024-03-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田中孝明

IPC: G01R31/26 ,  H02M1/00 ,  H02M7/5387 ,  G01R19/165

Abstract: 本发明提供电力变换装置、劣化判定装置以及劣化判定方法，实现半导体装置的劣化判定的精度提高。电力变换装置具备：半导体装置，具有：具有第1主电极、第2主电极及控制电极的半导体元件、与第1主电极电连接的第1主端子、与第2主电极电连接的第2主端子、与第2主电极电连接的辅助端子、和与控制电极电连接的控制端子；指令部，生成使半导体元件开关的指令；驱动部，根据指令向控制电极施加驱动电压；电压检测部，检测辅助端子与第2主端子之间的电压；触发部，当检测出的电压为阈值电压以上时，生成触发信号；以及劣化判定部，使用与输入触发信号时的在第1主端子与第2主端子之间的主端子间流动的电流对应的判定值，判定半导体装置的劣化。

公开(公告)号：CN117059608A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310251640.9

申请日：2023-03-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 堀元人 ,  池田良成 ,  田中孝明 ,  王启臣

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供高精度地进行劣化的判定的半导体装置及半导体装置的劣化判定方法。检测导线将布线板的正面与发射极端子连接。在这样的半导体装置中，从发射极端子检测出的电位从半导体芯片的输出电极输出，将布线导线、布线板以及检测导线通电。因此，从发射极端子检测出的电位主要受布线导线的导线接合部的劣化的影响。另一方面，从发射极端子检测出的电位不受将半导体芯片的输入电极与布线板接合的接合部件的焊料接合部的劣化的影响。另外，检测导线几乎不会受到因导通布线板的电流引起的相对于导通方向而沿顺时针方向产生的磁场的影响。经由这样的检测导线从发射极端子获得的电位不包含噪声且偏差小。

公开(公告)号：CN105379098B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201380075396.X

申请日：2013-10-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 山田隆二 ,  丸山宏二 ,  田中孝明

IPC: H02M7/483

Abstract: 本发明涉及三电平逆变器，其中，在直流电源(1)上并联连接电容器(2、3)的串联电路和SiC‑MOSFET等的半导体开关(4、5)的串联电路，并在电容器(2、3)的串联连接点(M点)上连接由IGBT等的半导体开关(12、13)和SiC‑SBD等的二极管(10、11)构成的双向开关的一端，并且将其另一端连接于半导体开关(4、5)的串联连接点，从而构成可通过半导体开关(4、5、12、13)的动作输出三个电压电平的三电平逆变器。进行运行以使得满足交流输出电压Vo的峰值为电容器(2、3)的电压的80％以上的值的条件或输出功率因数为0.8以上的条件中至少一方的条件。因此，可利用常规的廉价元件作为半导体开关的一部分，在降低成本的同时谋求高效化、小型化。