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公开(公告)号：CN118685850B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410762951.6
申请日：2024-06-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低硅单晶氧含量的装置及方法，属于单晶硅生产技术领域，包括：单晶炉，单晶炉内部设置有坩埚；热屏，热屏设置在坩埚的上方，热屏包括上段热屏和下段热屏，上段热屏包括倾斜段和竖直段，下段热屏包括下段外侧和下段内侧，下段外侧与竖直段连接，且下段外侧倾斜设置，以增大熔体表面氧元素的挥发量；石墨中轴，石墨中轴设置在坩埚的下方，石墨中轴中心设置有合金中轴，合金中轴下方安装有升降装置，且合金中轴内部通入有冷却水，以在拉晶过程中通过升降装置控制合金中轴的位置，来控制坩埚的温度，减少氧元素的产生。本发明通过改进热屏及中轴的结构，在保证大尺寸单晶硅长晶稳定的情况下，将单晶硅棒中的氧含量控制在5ppma以下。
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公开(公告)号：CN118920688A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411028964.7
申请日：2024-07-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种变电站断电防止单晶炉爆炸的系统及方法，涉及单晶炉电力控制系统技术领域，包括变电站电力单元、应急发电机、设备单元，所述变电站电力单元包括供电模块、应急启动模块，所述供电模块、应急发电机分别与所述设备单元电性连接，所述供电模块还与所述应急启动模块电性连接，所述应急启动模块与所述应急发电机电性连接，通过应急启动模块将所述供电模块与所述应急发电机进行关联，以使35kV市电失电后，应急发电机能够立刻启动，对设备单元进行供电，防止设备单元中单晶炉循环冷却水泵持续停滞，使得单晶炉被循环水持续降温，进而单晶炉的温度降低，降低安全隐患，防止爆炸。
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公开(公告)号：CN118771605A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411038764.X
申请日：2024-07-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: C02F3/30 , C02F9/00 , C02F1/00 , C02F1/52 , C02F1/66 , C02F1/56 , C02F101/14 , C02F101/30 , C02F101/38 , C02F103/34
Abstract: 本发明提供一种利用生化系统降低氢氟酸系统排水中总氮的方法，涉及硅片清洗废水处理技术领域，将含氟废水进行水解酸化，以将含氟废水中的有机物断链，降低COD，得到第一处理废水；将第一处理废水进行接触氧化，控制溶解氧含量，得到第二处理废水，将第二处理废水进行沉淀，泥水分离后，废水外排，回流污泥回用至S1步骤；通过水解酸化及接触氧化步骤使得好氧过成中将有机氮转化为硝酸盐氮或亚硝酸盐氮，在缺氧或厌氧状况下硝酸盐氮或亚硝酸盐氮将转化为氮气排出水体，从而实现脱氮，以使废水总氮量为40mg/L以下，使得废水排放达标。
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公开(公告)号：CN118720933A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410984524.2
申请日：2024-07-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种防腐蚀的半导体滚磨机，涉及滚磨机技术领域，包括机架、晶锭、夹持组件、防腐罩、喷水管，夹持组件包括驱动部、主轴，驱动部、主轴为两个，驱动部位于机架的侧面，两个主轴位于所述机架内的两端，晶锭位于两个主轴的中间，喷水管位于晶锭的一端，所述驱动部、主轴、晶锭同轴，主轴的一端穿过机架的侧壁与驱动部连接，两个主轴的自由端形成夹持间隙，晶锭位于夹持间隙内被两个主轴夹持，防腐罩安装在主轴上，防腐罩与喷水管的喷水方向相向，在滚磨过程中，晶棒跟随主轴进行转动，通过相向设置的防腐罩，将水流折射回去，防止水及水雾从主轴与机架之间的缝隙进入轴承、轴内，使得轴承不会被腐蚀。
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公开(公告)号：CN118639329A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410677274.8
申请日：2024-05-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种消除重掺硼缺陷的方法，属于重掺硼硅单晶加工技术领域，包括以下步骤：S1、将硅料与纯硼放入石英坩埚中进行化料；S2、化料结束后，将温度降至掺杂温度，向石英坩埚中掺杂锗，其中，纯硼与锗的比例为3:1。本发明通过在重掺硼硅单晶中掺杂锗，由于锗的原子半径大于基体硅原子，硼和锗的共掺杂能相互补偿晶格应变，更好的抑制位错的产生，消除重掺硼容易产生的原生缺陷。并且锗和硅都是4族元素，将锗掺入硅中，不会影响重掺硼硅单晶的电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118639315A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410855159.5
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: C30B15/30
Abstract: 本发明涉及晶棒制备领域，尤其涉及一种单晶炉取晶棒设备，该单晶炉取晶棒设备设有支撑底座、升降构件、转向组件、夹取构件及固定组件，固定组件包括两个构造相同的固定座；升降构件安装在支撑底座上，转向组件的两端分别与升降构件及夹取构件连接，两个固定座分别长度可调的安装在夹取构件的上下两端；如此，在夹取晶棒时，能够根据晶棒的长度调整各固定座与夹取构件间的距离，从而确保在固定座将晶棒的两端固定后，夹取构件能够正对该晶棒的二分之一处，以在对晶棒运输及转至水平的过程中保持晶棒的稳定，从而保证晶棒的质量及操作人员的安全。
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公开(公告)号：CN118372380A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410373657.6
申请日：2024-03-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于电阻率的硅单晶晶棒分段方法，涉及单晶晶棒加工技术领域，包括步骤1：获取历史中对硅单晶晶棒进行分段的晶棒历史数据；其中，晶棒历史数据包括：晶棒长度、晶棒头尾部电阻率和晶棒分段后各段的头部电阻率和尾部电阻率；步骤2：对晶棒历史数据进行处理，得到针对各电阻率区间的电阻率分布关系；步骤3：根据对待分段硅单晶晶棒目标电阻率区间的要求，利用对应该目标电阻率区间的电阻率分布关系，确定待分段硅单晶晶棒中满足目标电阻率区间要求的目标长度区间；步骤4：按照目标长度区间进行切割分段，得到满足目标电阻率区间要求的硅单晶晶棒。本方案能够提高晶棒分段的准确性，且能够减少资源的浪费。
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公开(公告)号：CN118223110A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410346859.1
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种单晶硅棒的电阻率调节方法，涉及半导体材料制备和材料掺杂技术领域，该方法包括以下步骤：步骤1：配制原料、化料、化料完毕后进行单晶硅拉制；步骤2：在放肩开始后及在等径开始前结束拉晶，并将拉制的肩状硅体取出；步骤3：针对肩状硅体进行电阻率测试；步骤4：判断肩状硅体的实测电阻率是否在目标打靶电阻率范围内；若是则继续进行单晶硅拉制；若超出目标打靶电阻率，则根据预先确定的补掺标准向硅熔体中补掺掺杂剂；并利用补掺掺杂剂后的硅熔体继续进行单晶硅拉制。本方案能够实现晶棒电阻率的准确控制，从而提高晶棒的合格率，同时节省制备目标电阻率晶棒的时间和经济成本。
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公开(公告)号：CN119551836A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411517837.3
申请日：2024-10-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于废水处理技术领域，具体涉及一种碳化硅生产废水处理系统及其方法，分别对高浓度废水和低浓度废水预处理，且按照1 L:（1至15）L的体积比混合，调节pH为7至8，得到第一处理水；按照10:（1至5）的质量比向第一处理水中加入第一营养剂水解酸化，得到第二处理水，按照20:（1至2）的质量比向第二处理水中加入第二营养剂进行一级接触氧化，得到第三处理水，按照20:（1至2）的质量比向第三处理水中加入第三营养剂进行二级接触氧化，处理后的废水的COD小于等于150 mg/L，在处理过程中对添加的营养剂的量与废水的COD相对应，进行精确控制，能够节省营养剂，降低了污水处理的费用，且使用的系统更加简化的。
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公开(公告)号：CN119492251A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411655484.3
申请日：2024-11-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于冷却塔清洗技术领域，具体涉及一种单晶炉冷却塔填料清洗装置及其方法，一级除垢装置中的干燥吹扫组件首先将冷却塔填料内部的潮湿污垢吹干，一级除垢装置中的振动组件将冷却塔填料内部干燥的大颗粒污垢震碎，干燥吹扫组件还将冷却塔填料内部震碎的大颗粒污垢吹出冷却塔填料内部；二级除垢装置中的药剂存储组件内存储有与所述顽固水垢反应的化学药剂，药剂喷洒组件与药剂存储组件连通，药剂喷洒组件用于将药剂存储组件内的化学药剂喷洒至冷却塔填料内，使得化学药剂与冷却塔填料内的水垢进行化学反应，从而去除冷却塔填料内的顽固水垢；本发明提供的装置和方法将冷却塔填料清理的更加干净的同时提高了效率。
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