公开(公告)号：CN111128861A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911051128.X

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄才铭 ,  黄伟杰 ,  匡训冲 ,  朱彦璋 ,  鍾政哲 ,  梁晋玮 ,  郭景森 ,  陈界璋 ,  许峰嘉 ,  陈昇照

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L23/544

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包含，第一层间介电层形成于基材上，化学机械研磨停止层形成于第一层间介电层上，经由图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层形成沟槽，金属层形成于化学机械研磨停止层上以及沟槽中，化学机械研磨牺牲层形成于金属层上，于化学机械研磨牺牲层以及金属层上执行化学机械研磨操作，以移除化学机械研磨停止层上方的金属层的部分，并移除沟槽上的化学机械研磨牺牲层的剩余部分。

公开(公告)号：CN107293640A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201611222541.4

申请日：2016-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄伟杰 ,  陈界璋

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明的实施例公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在第一材料层中形成具有锥形轮廓的开口。开口的上部宽度大于开口的底部宽度。该方法还包括在开口中形成第二材料层并且形成硬掩模以覆盖部分第二材料层。硬掩模与开口对准并且具有小于开口的上部宽度的宽度。该方法还包括通过使用硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻第二材料层以形成具有锥形轮廓的部件的上部。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN1734745A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510075335.0

申请日：2005-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭景森 ,  许峰嘉 ,  萧国裕 ,  陈界璋 ,  傅士奇 ,  曾建贤 ,  蔡嘉雄 ,  刘源鸿 ,  吴志达 ,  罗际兴 ,  杜友伦

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。