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公开(公告)号：CN107045878A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610824118.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种双轨存储器，双轨存储器可在第一电压和第二电压下工作，并且双轨存储器包括：在第一电压下工作的存储器阵列；配置为将存储器阵列的字线驱动至第一电压的字线驱动器；配置为传输输入数据信号或输出数据信号的数据路径；以及配置为生成到达存储器阵列、字线驱动器电路和数据路径的控制信号的控制电路；其中，数据路径和控制电路配置为在第一和第二电压这两种电压下工作。本发明还公开了相关的存储器宏和混合供电方法。
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公开(公告)号：CN106560895A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201610750177.2
申请日：2016-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413 , G06F17/50
Abstract: 存储器器件包括：用于控制存储器器件的读操作或写操作的跟踪控制电路。跟踪控制电路包括多个跟踪单元，其中，跟踪单元的时序特性仿真位单元在存储器器件的写操作或读操作期间的时序特性。存储器器件还包括：用于配置跟踪控制电路的跟踪单元的数量的至少两条参考字线；和配置为激活至少两条参考字线中的一条或多条的选择电路。本发明的实施例还提供了能够在多种低压下工作而不降低性能的SRAM器件及其方法。
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公开(公告)号：CN104599700A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410014016.8
申请日：2014-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/419 , G11C7/18
Abstract: 半导体存储器包括多个子存储体，每个子存储体包括连接至局部位线组的一行或多行存储器位单元，其中，子存储体共享相同的全局位线组，以用于从子存储体的存储器位单元读取数据和/或将数据写入子存储体的存储器位单元。半导体存储芯片还包括用于每个子存储体的多个开关元件，其中，每个开关元件连接子存储体中的相应的一个存储器位单元的局部位线和全局位线，以用于在局部位线和全局位线之间进行数据传输。半导体存储芯片还包括多个存储体选择信号线，每个存储体选择信号线与相应的一个子存储体中的开关元件连接，其中，存储体选择信号线承载多个存储体选择信号以选择一个子存储体，从而用于在局部位线和全局位线之间进行数据传输。本发明还包括高密度存储器结构。
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公开(公告)号：CN102610271B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210016677.5
申请日：2012-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C8/08 , G11C7/12 , G11C8/14 , G11C11/418 , G11C11/419
Abstract: 一种存储器，包括：一行位单元，包括多个第一位单元和多个第二位单元；第一字线段驱动器和第二字线段驱动器，第一字线段驱动器连接到多个第一位单元，第二字线段驱动器连接到多个第二位单元，第一字线段驱动器和第二字线段驱动器选择性地可操作用于在一个时刻激活多个第一位单元和多个第二位单元中的一种，而不激活多个第一位单元和多个第二位单元中的另一种；以及共享读放大器，连接到多个第一位单元中的至少一个和多个第二位单元中的至少一个，从而使得共享读放大器被配置为接收信号，信号来自在给定时刻通过相应的字线段驱动器激活的一个第一位单元或者一个第二位单元。
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公开(公告)号：CN101231883A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710138141.X
申请日：2007-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/4063
CPC classification number: G11C7/08 , G11C7/065 , G11C7/1006 , G11C7/12 , G11C11/4091 , G11C11/4094
Abstract: 本发明涉及一种与一字线和一位线或一互补位线之一进行通讯向存储器单元读取和写入信息的方法。根据一实施例的方法包括：将该位线和该互补位线均衡至一共用电压；通过将该存储器单元与该位线或该互补位线之一连接，寻址该存储器单元；通过探测存储于该存储器单元中的一第一电荷并将所述第一电荷传送给该位线或该互补位线之一，读取该存储器单元；及通过由一反相器和该位线或该互补位线之一传送一第二电荷给该存储器单元，将该第二电荷写入该存储器单元。在一实施例中，该反相器仅将该第二电荷传送给该存储器单元而被利用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108735260B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201810345782.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413 , G11C8/16
Abstract: 本发明的实施例公开了写入辅助电路，包括：存储器适配锁存器以及存储器适配第三和第四NMOS晶体管。锁存器包括：存储器适配第一PMOS晶体管和存储器适配第一NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第一节点之间，第一节点选择性地连接至地电压；以及存储器适配第二PMOS晶体管和存储器适配第二NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第二节点之间，第二节点选择性地连接至地电压。第三NMOS晶体管，串联连接在第一节点与地电压之间；以及第四NMOS晶体管，串联连接在第二节点与地电压之间。第三和第四晶体管中的每一个的栅极均连接至锁存使能信号线，由此用于控制存储器适配锁存器。
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公开(公告)号：CN111128282A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911062996.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了写入辅助电路。写入辅助电路包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间。反相器用于响应于写入使能信号而接收升压信号。反相器的输出耦合至晶体管开关的栅极。写入辅助电路还包括金属电容器，金属电容器具有耦合至位线电压节点的第一端和耦合至栅极节点的第二端。电容器用于响应于升压信号将位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。本发明的实施例还涉及将位线电压负升压的方法。
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公开(公告)号：CN107045878B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201610824118.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种双轨存储器，双轨存储器可在第一电压和第二电压下工作，并且双轨存储器包括：在第一电压下工作的存储器阵列；配置为将存储器阵列的字线驱动至第一电压的字线驱动器；配置为传输输入数据信号或输出数据信号的数据路径；以及配置为生成到达存储器阵列、字线驱动器电路和数据路径的控制信号的控制电路；其中，数据路径和控制电路配置为在第一和第二电压这两种电压下工作。本发明还公开了相关的存储器宏和混合供电方法。
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公开(公告)号：CN108735260A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810345782.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413 , G11C8/16
Abstract: 本发明的实施例公开了写入辅助电路，包括：存储器适配锁存器以及存储器适配第三和第四NMOS晶体管。锁存器包括：存储器适配第一PMOS晶体管和存储器适配第一NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第一节点之间，第一节点选择性地连接至地电压；以及存储器适配第二PMOS晶体管和存储器适配第二NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第二节点之间，第二节点选择性地连接至地电压。第三NMOS晶体管，串联连接在第一节点与地电压之间；以及第四NMOS晶体管，串联连接在第二节点与地电压之间。第三和第四晶体管中的每一个的栅极均连接至锁存使能信号线，由此用于控制存储器适配锁存器。
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公开(公告)号：CN108231098A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710761821.0
申请日：2017-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种可在第一电压和第二电压下工作的双轨存储器。双轨存储器包括：存储器阵列，在第一电压下工作；字线驱动器电路，被配置为将存储器阵列的字线驱动至第一电压；数据路径，被配置为传输输入数据信号或输出数据信号，其中，数据路径包括用于将输入数据信号从第二电压转换至第一电压的第一电平转换器；以及控制电路，被配置为向存储器阵列、字线驱动器电路和数据路径提供控制信号，其中，控制电路包括用于将输入控制信号从第二电压转换至第一电压的第二电平转换器；其中，数据路径和控制电路被配置为在第一电压和第二电压两者下工作。本发明的实施例还提供了一种存储器宏以及一种用于将双轨存储器配置为在第一电压和第二电压下工作的混合供电方法。
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