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公开(公告)号：CN107045878A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610824118.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种双轨存储器，双轨存储器可在第一电压和第二电压下工作，并且双轨存储器包括：在第一电压下工作的存储器阵列；配置为将存储器阵列的字线驱动至第一电压的字线驱动器；配置为传输输入数据信号或输出数据信号的数据路径；以及配置为生成到达存储器阵列、字线驱动器电路和数据路径的控制信号的控制电路；其中，数据路径和控制电路配置为在第一和第二电压这两种电压下工作。本发明还公开了相关的存储器宏和混合供电方法。
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公开(公告)号：CN110299165B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910222199.5
申请日：2019-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 迈克尔·克林顿 , 布莱恩·大卫·薛菲尔德 , 蔡孟航 , 拉赞德·辛格
IPC: G11C11/412 , G11C11/419
Abstract: 存储器件包括具有第一子阵列和第二子阵列的存储器单元的阵列。多条位线连接至存储器单元，并且IO块位于第一子阵列和第二子阵列之间。位线从存储器件的第一子阵列和第二子阵列直接延伸至IO块。IO块还包括数据输入端子和数据输出端子，其中数据输入端子和数据输出端子被配置为经由多条位线接收要写入存储器单元的阵列的数据并且输出从存储器单元读取的数据。本发明的实施例还提供了存储器输入输出及其方法。
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公开(公告)号：CN109584919A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811117001.9
申请日：2018-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 迈克尔·克林顿
IPC: G11C7/12 , G11C11/419
Abstract: 本揭露提供了一种用于为静态随机存取内存(SRAM)组件启用涡轮模式的系统、组件和方法。单元电路耦合在位线对之间，并且其配置为执行SRAM组件的读取或写入操作。读出放大器电路耦合在位线对之间，并且其配置为放大位线对之间的电压差。追踪电路包括追踪位线，并其配置为监视单元电路的操作，并基于追踪位线的电压准位以预定频率向读出放大器发送读出放大器启动信号。涡轮增压电路其耦合至涡轮增压信号并且其配置为修改追踪位线的电压，使得能够以比预定频率更快的速度发送读出放大器启动信号。
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公开(公告)号：CN110299165A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910222199.5
申请日：2019-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 迈克尔·克林顿 , 布莱恩·大卫·薛菲尔德 , 蔡孟航 , 拉赞德·辛格
IPC: G11C11/412 , G11C11/419
Abstract: 存储器件包括具有第一子阵列和第二子阵列的存储器单元的阵列。多条位线连接至存储器单元，并且IO块位于第一子阵列和第二子阵列之间。位线从存储器件的第一子阵列和第二子阵列直接延伸至IO块。IO块还包括数据输入端子和数据输出端子，其中数据输入端子和数据输出端子被配置为经由多条位线接收要写入存储器单元的阵列的数据并且输出从存储器单元读取的数据。本发明的实施例还提供了存储器输入输出及其方法。
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公开(公告)号：CN107045878B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201610824118.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种双轨存储器，双轨存储器可在第一电压和第二电压下工作，并且双轨存储器包括：在第一电压下工作的存储器阵列；配置为将存储器阵列的字线驱动至第一电压的字线驱动器；配置为传输输入数据信号或输出数据信号的数据路径；以及配置为生成到达存储器阵列、字线驱动器电路和数据路径的控制信号的控制电路；其中，数据路径和控制电路配置为在第一和第二电压这两种电压下工作。本发明还公开了相关的存储器宏和混合供电方法。
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