公开(公告)号：CN105374756A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510484931.8

申请日：2015-08-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤祐介 ,  石田竜宇

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]在多层膜的蚀刻中，可以抑制掩模开口的闭塞且提高形成于多层膜的空间的垂直性。[解决手段]多层膜包含交替层叠的第1膜和第2膜且第1膜和第2膜具有相互不同的介电常数。多层膜的蚀刻方法包括以下工序：(a)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序，所述被处理体具有多层膜和设置于该多层膜上的掩模；以及(b)对多层膜进行蚀刻的工序，并且在该工序中使含有氢气、氢氟烃气体、含氟气体、烃气体、三氯化硼气体和氮气的处理气体在所述处理容器内激发。

公开(公告)号：CN110546744A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880025732.2

申请日：2018-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村松诚 ,  斋藤祐介 ,  源岛久志 ,  藤井宽之

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。因此，在聚硅氮烷的被水解的部位容易生成悬挂键。因此，由于在作为预先被水解的部位的硅中生成悬挂键，因此羟基的生成效率变高。即，由于水解所需的能量降低，因此，即使在将固化工序的温度设为350℃时，未被水解而残留的部位也会变少。其结果，由于有效地发生脱水缩合，因此交联率提高，从而能够成膜致密的(为良好的膜质)绝缘膜。

公开(公告)号：CN105374674B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201510484856.5

申请日：2015-08-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石田竜宇 ,  斋藤祐介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11553 ,  H01L27/1158

Abstract: 本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]要求对形成于多层膜的空间的垂直性在被处理体的一部分区域中的劣化进行抑制。[解决手段]多层膜的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的处理容器内使等离子体产生，对多层膜进行蚀刻的工序。在该工序中，由用于向被处理体的中央区域供给气体的第1供给部和用于向该中央区域的外侧的区域供给气体的第2供给部，供给含有氢气、溴化氢气体、含氟气体、烃气体、氢氟烃气体和全氟烃气体的第1处理气体，由第1供给部和第2供给部中的一者，进一步供给包含烃气体和全氟烃气体的第2处理气体，并使第1处理气体和第2处理气体激发。

公开(公告)号：CN105390387A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510542329.5

申请日：2015-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤祐介 ,  长友优 ,  菱沼隼 ,  髙山航 ,  富永翔 ,  金子雄基

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在该处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤。在该方法中，交替反复进行生成第一处理气体的等离子体的步骤和生成第二处理气体的等离子体的步骤。

公开(公告)号：CN1534732A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410030916.8

申请日：2004-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光冈一行 ,  本多稔 ,  康松润 ,  斋藤祐介

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  Y10S430/143

Abstract: 本发明提供一种电子束处理方法，它是使用电子束来处理形成在晶片表面上的SOD膜的方法，其中，经由甲烷气体将电子束照射在SOD膜上。在专利文献1、2中提出的固化方法的情况下，都可以利用电子束使有机材料膜的表面层部固化来改善机械强度，但会使有机材料膜的k值恶化，并且构成有机材料的甲基分解，导致湿洗净时的耐药品性降低。

公开(公告)号：CN115066742A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180013830.6

申请日：2021-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤祐介 ,  村松诚 ,  藤井宽之

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的对基片进行处理的基片处理方法包括：将包含有机金属配合物、溶剂和添加物的涂敷液涂敷于基片，形成上述涂敷液的液膜的步骤；对形成有上述涂敷液的液膜的基片进行加热，形成含有机成分的金属氧化膜的步骤，其中，上述含有机成分的金属氧化膜是包含上述添加物中所含的有机成分的金属氧化膜；将上述含有机成分的金属氧化膜作为掩模进行干蚀刻的步骤；在上述干蚀刻后，将上述含有机成分的金属氧化膜中的上述有机成分除去的步骤；和将从上述含有机成分的金属氧化膜中除去了上述有机成分的膜通过湿蚀刻除去的步骤。

公开(公告)号：CN110364411A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910275975.8

申请日：2019-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤祐介 ,  大岩德久

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体控制方法和存储介质。该等离子体处理装置获取计测晶片(W)的状态而得的状态信息，根据由状态信息表示的晶片(W)的状态，控制等离子体处理，以使在晶片(W)的上部形成的等离子体鞘的界面的高度与在聚焦环(5)的上部形成的等离子体鞘的界面的高度之差在规定范围内。由此，能够对每个被处理体抑制蚀刻特性上的偏差。

公开(公告)号：CN105374674A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510484856.5

申请日：2015-08-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石田竜宇 ,  斋藤祐介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11553 ,  H01L27/1158 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]要求对形成于多层膜的空间的垂直性在被处理体的一部分区域中的劣化进行抑制。[解决手段]多层膜的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的处理容器内使等离子体产生，对多层膜进行蚀刻的工序。在该工序中，由用于向被处理体的中央区域供给气体的第1供给部和用于向该中央区域的外侧的区域供给气体的第2供给部，供给含有氢气、溴化氢气体、含氟气体、烃气体、氢氟烃气体和全氟烃气体的第1处理气体，由第1供给部和第2供给部中的一者，进一步供给包含烃气体和全氟烃气体的第2处理气体，并使第1处理气体和第2处理气体激发。

公开(公告)号：CN102683247A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210072681.3

申请日：2012-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田和宏 ,  斋藤祐介 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68721 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法，其为如下所述的技术：在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能获得较高的面内均匀性。预先把握能对形成在晶圆(W)上的多层膜(7)的各膜进行面内均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环(3)的温度，并作为设定温度反映在处理制程程序(64)中，并且针对被连续蚀刻的各膜、使聚焦环(3)的温度处于包括聚焦环(3)的设定温度的适当的温度范围内的方式控制加热机构及冷却机构。另外，作为聚焦环(3)的加热机构，利用由激光产生的热辐射。另外，在聚焦环(3)的冷却中，不借助作为热介质的加热器而是构成为使聚焦环(3)的热量向支承台(2)散发掉，使加热机构与冷却机构相互独立并分开。