-
公开(公告)号：CN109643725A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052553.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/16 , H01L29/161
CPC classification number: H01L29/0676 , H01L21/823807 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/1104 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/775
Abstract: 一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底以及形成在所述衬底上的场效应晶体管的栅极区。所述栅极区包括具有纵向轴线的垂直堆叠的纳米线，所述纵向轴线平行于所述衬底的工作表面延伸。垂直堆叠的纳米线的给定堆叠包括垂直对准的至少两根纳米线，其中p型纳米线和n型纳米线在空间上垂直地彼此分离。所述半导体器件还包括形成在栅极区内的台阶状连接结构，所述栅极区将每根纳米线电连接到所述栅极区上方的位置。第一栅电极具有台阶状廓线并且连接到第一级纳米线。
-
公开(公告)号：CN119631173A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380057065.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/768 , H01L21/18
Abstract: 本发明披露了用于形成半导体器件的设备和方法。该半导体器件可以包括多个半导体晶片。该多个半导体晶片可以具有设置在其上的电介质键合层。可以处理该电介质键合层以增加与其他半导体晶片的键合能。可以将对键合层施加过处理的晶片键合到另一个晶片。
-
公开(公告)号：CN113874997A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080037926.1
申请日：2020-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L21/822 , H01L27/06 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件包括同轴接触件，该同轴接触件具有导电层，这些导电层从局部互连延伸并且耦合到金属层。这些局部互连堆叠在衬底上方，并且沿着该衬底的顶表面侧向延伸。这些金属层堆叠在这些局部互连上方，并且沿着该衬底的顶表面侧向延伸。这些导电层是封闭形状的并且同心地布置，其中，这些局部互连中的每一个耦合到对应导电层，并且这些导电层中的每一个耦合到对应金属层。该半导体器件还包括绝缘层，这些绝缘层是封闭形状的、同心地布置、并且相对于这些导电层交替地定位，使得这些导电层通过这些绝缘层彼此间隔开。
-
公开(公告)号：CN112368822A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980042746.X
申请日：2019-06-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/027
Abstract: 在一种用于加工衬底的方法中，在置于第一电介质层中的多个导电结构上选择性地形成导电盖层。在该第一电介质层上选择性地形成第二电介质层。在该第二电介质层上选择性地形成第三电介质层。然后在该多个导电结构和该第三电介质层上形成第四电介质层，并且随后在该第四电介质层内形成互连结构。该互连结构包括过孔结构，该过孔结构具有：第一部分，该第一部分置于该导电盖层上，使得该第一部分的侧壁被该第三电介质层包围；以及第二部分，该第二部分设置在该第一部分和该第三电介质层上。
-
公开(公告)号：CN112074940A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980029791.1
申请日：2019-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 本披露涉及一种大批量生产系统，用于在不离开该系统的受控环境(例如，亚大气压)的情况下按半导体加工序列加工和测量工件。系统加工室经由搬送室相互连接，这些搬送室用于在该受控环境中在加工室之间移动这些工件。这些搬送室包括能够在加工处理之前和/或之后测量工件属性的测量模块。该测量模块可以包括安装在搬送室上方、下方或内部的检查系统。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112074939A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980029771.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/50 , H01L21/66
Abstract: 一种被配置用于执行集成的衬底加工和衬底计量的衬底加工工具以及加工衬底的方法。该衬底加工工具包括衬底搬送室、耦接至该衬底搬送室的多个衬底加工室、以及耦接至该衬底搬送室的衬底计量模块。一种衬底加工方法包括：在衬底加工工具的第一衬底加工室中加工衬底，将该衬底从该第一衬底加工室通过衬底搬送室搬送到该衬底加工工具中的衬底计量模块，在该衬底计量模块中对该衬底执行计量，将该衬底从该衬底计量模块通过该衬底搬送室搬送到第二衬底加工室，以及在该第二衬底加工室中加工该衬底。
-
公开(公告)号：CN112689896B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN201980057579.6
申请日：2019-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：具有基本平坦表面的衬底；第一逻辑门，该第一逻辑门设置在该衬底上并且包括具有第一沟道和第一对源极‑漏极区域的第一场效应晶体管(FET)；第二逻辑门，该第二逻辑门沿垂直于该衬底的表面的竖直方向堆叠在该第一逻辑门上方，该第二逻辑门包括具有第二沟道和第二对源极‑漏极区域的第二FET；以及接触件，该接触件将该第一FET的源极‑漏极区域电连接到该第二FET的源极‑漏极区域，使得在该第一逻辑门与该第二逻辑门之间流动的电流的至少一部分将沿所述竖直方向流动。
-
公开(公告)号：CN114450772A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080067413.5
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/74 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 在衬底上形成第一晶体管的第一源极/漏极(S/D)结构，并且其位于第一晶体管的第一沟道结构的第一端处。在第一S/D结构的表面上沉积第一替代硅化物层，并且其由第一电介质制成。形成第二电介质以覆盖第一替代硅化物层和第一S/D结构。随后在第二电介质中形成第一互连开口，以露出第一替代硅化物层。用第一替代互连层填充第一互连开口，其中，该第一替代互连层由第三电介质制成。进一步地，对衬底执行热处理。去除第一替代互连层和第一替代硅化物层。在第一S/D结构的表面上形成第一硅化物层。
-
公开(公告)号：CN114097074A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080050477.4
申请日：2020-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 一种用于微制造具有环绕式栅极场效应晶体管器件的三维晶体管堆叠的方法。沟道悬挂在源极区/漏极区之间。每个沟道选择性地沉积有被设计成用于调整沟道的阈值电压的材料层。这些层可以是氧化物、高k材料、功函数材料和金属化部。三维晶体管堆叠在单个封装中形成高阈值电压器件和低阈值电压器件的阵列。
-
公开(公告)号：CN112805818A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980066266.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上；以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.027 seconds)
