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公开(公告)号：CN113820152B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202110972644.7
申请日：2021-08-24
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01M99/00
Abstract: 本发明的微波器件电热应力自动化测试评价系统包括应力施加、检测控制、电源和数据处理等子系统；应力施加子系统搁置在鱼骨式支撑架上的隔热板上，由隔热板与风扇板构成可变风道；检测控制子系统和电源子系统位于隔热板下方，且与隔热板有间隔；电源与应力施加子系统用电源线互连，电源线上串有电流传感器；检测控制子系统中夹具与热台上设有温度传感器；检测控制子系统采集温度和电流的数据和并发送给数据处理子系统；数据处理子系统分析测量数据并发送反馈指令，由检测控制子系统控制电源、风扇和热台。本发明解决现有微波器件电热应力测试效率低、准确度低和可靠性低等问题。
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公开(公告)号：CN114414971A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114408309A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111536195.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、导线前处理：包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理；S2、导线组件包装：包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装，所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放，并通过采用自封袋打孔的包装方法，使得包装内含氟物质通过打孔向外散发，从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率；或者采用真空干燥包装方法，除去空气中的水气，以有利于延长贮存时间，有效解决了腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN111474465A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010341888.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R1/04
Abstract: 本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。
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公开(公告)号：CN103389508A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210140602.8
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明涉及一种用于电子加速器束流强度实时监测的装置，包括真空室，位于真空室内的探头，向所述探头提供高压的高压单元，以及收集所述探头所产生次级电子的束流强度显示系统。真空室为高能电子与探头的相互作用提供真空环境；探头与高能电子相互作用产生次级电子；高压单元为次级电子的收集提供高压，微电流计和显示系统对探头输出的次级电子束流进行收集，实时显示束流强度。本发明解决了电子加速器在辐照过程中束流强度变化情况的实时监测问题，对高能电子不会产生阻挡作用，高能电子可以穿过所述用于电子加速器束流强度实时监控的装置。该装置使用方便、可操作性强、稳定性好，对束流强度无损失。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117894818A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311763529.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H01L29/06 , G06F30/20 , H01L29/78 , H01L21/336 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于SIC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁加固结构及其制备方法，通过识别出器件中SEB的敏感区域，针对该位置在N型漂移区结构中合理设置二氧化硅阻挡区，在牺牲少量电特性的前提下，通过阻止出现需要同时承受高电应力与热应力的超高瞬时体积功率区域，提高SEB敏感区域的抗单粒子烧毁能力，进而提高器件整体的抗单粒子烧毁能力。本发明聚焦于电场峰值以及碰撞电离过程，绕开了当前SiC器件的单粒子烧毁机制不明的问题，并具有加固方案相对简单，方案实施更为明确，加固效果受流片工艺线的限制相对较小的特点。
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公开(公告)号：CN117723921A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311508010.1
申请日：2023-11-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的基于栅源电压表征SiC MOSFET功率器件结温和热阻的方法，其步骤包括：设计SiC MOSFET器件瞬态热阻测试电路，使漏极电流Id和漏源电压Vds维持恒定值。通过恒温油槽使SiC MOSFET器件升温，在热稳态下校准其栅源电压Vgs和结温Tj关系曲线。通过恒定的漏电流Id和漏源电压Vds使SiC MOSFET器件升温，实时监测栅源电压Vgs曲线，结合栅源电压Vgs‑结温Tj关系公式，反推结温Tj曲线。对SiC MOSFET器件结温曲线Tj进行变换，得到瞬态热阻曲线Zth(t)。对SiC MOSFET器件瞬态热阻曲线Zth(t)进行变换，得到微分结构函数曲线，提取各封装结构单元热阻参数。针对SiC基和Si基器件的差异，本发明设计了适用电路，构建了栅源电压Vgs和结温Tj的对应关系，解决了无法通过寄生二极管电压降实时监测SiC MOSFET器件结温的不足。
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公开(公告)号：CN117176156A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311048405.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 一种数模模数转换器单粒子瞬态效应测试装置及其方法，所述装置主要由程控电源、信号发生器、示波器、测试电路板、电流表组成、待测器件DUT和可编程门阵列FPGA模块组成。待测器件DUT焊接在测试电路板上，程控电源为测试电路板和待测器件提供正常工作需要的电流。程控电源的正极通过电线连接电流表输入端口，经过电流表的输出端口连接至电路板，以此来观察器件工作电流的变化情况。信号发生器通过同轴电缆连接测试电路板的SMA接口，为待测器件提供输入信号，输入信号为方波或者正弦波。待测器件的输出信号通过测试电路板的SMA接口利用同轴电缆连接到示波器，来显示输出的数字或模拟信号。FPGA模块同样焊接在测试电路板上，通过电路板上的金属布线与待测器件连接。
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公开(公告)号：CN116702461A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310629411.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种基于温‑湿度交互作用的元器件加速寿命预测方法，包括如下步骤：S1、进行加速寿命试验，获取性能退化数据；S2、基于Wiener过程进行产品性能退化建模；S3、温‑湿度交互作用加速寿命模型参数估计；S4、进行寿命和可靠性评估；S5、加速寿命模型有效性评估。本发明不但考虑了温度和湿度的影响，还充分考虑了二者的交互作用，更符合元器件在复杂环境下的实际应用情况，为元器件寿命预测和可靠性评估提供了一种新的可行的加速寿命模型。
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公开(公告)号：CN116090190A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211630676.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种元器件加速寿命预测模型评估方法，包括如下步骤：S1、利用所有数据建立可靠度模型R*(t)；设T1,T2,T3,…,TS为产品的加速应力；S2、将加速应力以S‑1：1的比例进行划分，将数据划分为训练数据和测试数据；S3、根据每个组合中的训练数据建立可靠度模型，推导测试数据对应应力的可靠度函数，记为R(t)；利用测试数据单独进行可靠度建模，将所得的可靠度函数定为标准可靠度函数，记为R0(t)；S4、将所有组合的R(t)与R0(t)进行比较，若误差均在给定的阈值范围内，即模型R*(t)准确。本发明为加速寿命预测模型的准确性评估问题提供了一种新的思路。
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