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公开(公告)号：CN104513613A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410487212.7
申请日：2014-09-22
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/00
CPC classification number: C09D183/16 , B05D3/0254 , B05D2518/10 , C01B33/126 , C08G77/54 , C08G77/62 , C09D183/14 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明公开了一种用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层。该组合物包含具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物以及溶剂。另外，本发明还公开了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。
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公开(公告)号：CN117348341A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310445626.2
申请日：2023-04-24
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种含金属光刻胶显影剂组合物，及一种包含使用所述组合物进行显影的步骤的图案形成方法，且所述含金属光刻胶显影剂组合物包含：有机溶剂；以及至少一种添加剂，选自亚磷酸类化合物、次磷酸类化合物、亚硫酸类化合物以及氧肟酸类化合物，其中包含约0.0001重量％至小于约1.0重量％的量的所述添加剂。含金属光刻胶显影剂组合物可使曝光工艺之后存在于含金属光刻胶膜中的缺陷最小化且实现容易显影，由此实现极佳对比度特性、极佳敏感性以及减小的线边缘粗糙度。
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公开(公告)号：CN110903764B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201811610012.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D1/00
Abstract: 本发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置，所述用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1，在方程式1中，A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。
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公开(公告)号：CN111944320A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010411761.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H-NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN105315679B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201410779783.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105713512B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201510591897.4
申请日：2015-09-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16
CPC classification number: C09D183/14 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08K5/01 , C09D183/16
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。
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公开(公告)号：CN106409652A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610160367.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/12 , C09D7/20 , C09D183/08 , C09D183/16 , H01L21/02107 , G02F1/133 , H01L21/02112 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。
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公开(公告)号：CN106189267A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510282712.1
申请日：2015-05-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 尹熙灿 , 金佑翰 , 高尚兰 , 郭泽秀 , 金补宣 , 金真敎 , 罗隆熙 , 卢健培 , 朴玺美 , 裵镇希 , 司空峻 , 李殷善 , 任浣熙 , 张俊英 , 郑日 , 黄丙奎
IPC: C08L83/16 , C08L83/14 , C01B33/113
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物和溶剂。本发明提供的用于形成二氧化硅层的组成物能同时确保间隙填充特征和间隙蚀刻特征。
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公开(公告)号：CN119024655A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410573611.9
申请日：2024-05-10
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种含金属的光刻胶显影剂组合物包括有机溶剂和磺酰亚胺类化合物。一种利用显影剂组合物形成图案的方法包括：在衬底上涂布含金属的抗蚀剂组合物；沿着衬底的边缘涂布用于从含金属抗蚀剂移除边珠的组合物；对所得物进行干燥和加热以在衬底上形成含金属的抗蚀剂层；对含金属的抗蚀剂层进行曝光；以及涂布含金属的光刻胶显影剂组合物，并对所述含金属的光刻胶显影剂组合物进行显影。
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公开(公告)号：CN119002174A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410572064.2
申请日：2024-05-10
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 提供一种形成图案的方法，所述方法包括：在衬底上涂布含金属的抗蚀剂组合物以形成抗蚀剂层；沿着衬底的边缘涂布用于移除边缘珠粒的组合物；实行干燥和热处理；以及进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案，其中在涂布用于移除边缘珠粒的组合物之后，在从衬底的边缘朝向衬底的中心约1mm到约30mm的区域中，抗蚀剂层的最大隆起高度小于或等于约300nm。
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