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公开(公告)号：CN116190359A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211381679.4
申请日：2022-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/488
Abstract: 公开了半导体器件和包括所述半导体器件的电子系统。一种半导体器件，包括：衬底，包括单元阵列区和连接区；电极结构，包括以交替方式堆叠的电极和介电层，多个电极中的每一个电极包括在单元阵列区上的电极部和在连接区上的焊盘部；虚设竖直结构，在连接区上并贯穿每一个电极的焊盘部；以及单元接触插塞，在连接区上并耦接到每一个电极的焊盘部。焊盘部的厚度大于电极部的厚度。焊盘部具有与电极部连接的下部和在下部上的上部。在相邻的虚设竖直结构之间，上部的宽度不小于下部的宽度。
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公开(公告)号：CN106992181B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201611179008.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明公开了三维(3D)半导体器件，其中一种3D半导体器件包括包含层叠在基板上的第一叠层和第二叠层的叠层结构。第一叠层和第二叠层的每个包括第一电极和在第一电极上的第二电极。第一叠层的第二电极的侧壁与第二叠层的第二电极的侧壁水平地间隔开第一距离。在第一叠层和第二叠层的每个中，第一电极的侧壁与第二电极的侧壁水平地间隔开第二距离。第二距离小于第一距离的一半。
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公开(公告)号：CN108231786A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710779508.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种垂直半导体装置。垂直半导体装置包括：多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在垂直方向上被堆叠；多个导电层图案，布置在所述多个层间绝缘层图案之间并且均具有倒圆的端部，其中，导电层图案中的至少一个导电层图案被构造为从每个层间绝缘层图案的一个侧壁延伸并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从至少一个导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；上层间绝缘层，覆盖多个层间绝缘层图案和多个导电层图案；接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与至少一个导电层图案的凸起焊盘部分接触。
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公开(公告)号：CN108140427A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680060182.9
申请日：2016-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了医疗装置、用于控制医疗测试请求的系统、用于控制医疗测试请求的方法和存储在记录介质中的程序。该医疗装置包括：通信接口，被配置为接收请求执行医疗测试的测试请求消息；以及控制器，被配置为基于接收到的测试请求消息生成测试请求接收消息。通信接口还被配置为将测试请求接收消息发送到移动终端。
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公开(公告)号：CN106981491A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710033439.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L29/42328 , H01L29/42344 , H01L27/115
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置和垂直非易失性存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括交替地且竖直地堆叠在基底上的第一电极和第二电极，并且在连接区域上具有阶梯状结构。第一电极和第二电极中的每个可以包括：电极部分，设置在单元阵列区域上，以沿第一方向延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；电极连接部分，设置在连接区域上，以沿第二方向延伸并且使电极部分彼此水平地连接；突出，在连接区域上设置为从电极连接部分沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633089A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510810436.1
申请日：2015-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的栅电极，并且具有竖直孔；有源柱，其设置在竖直孔中，并且提供竖直沟道；电荷存储部分，其介于有源柱与栅电极之间；阻挡电介质，其介于电荷存储部分与栅电极之间；隧道电介质，其介于电荷存储部分与有源柱之间；绝缘体，其填充有源柱的内孔；以及固定电荷层，其介于填充绝缘体与有源柱之间。采取手段解决了其中电流原本会在竖直沟道与填充绝缘体之间的界面附近被不利地影响的现象。
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公开(公告)号：CN102843820A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210209185.8
申请日：2012-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H05B37/02 , H05B37/0245 , H05B37/0281 , Y02B20/42 , Y02B20/72
Abstract: 本发明提供了用于控制路灯调光的设备和方法。一种调光控制设备，包括：照明驱动单元，用于驱动照明设施；电源单元，用于提供驱动所述照明设施所需的功率；存储单元，用于存储多个调光简档，其中包括用于驱动所述照明设施的时间区域以及根据所述时间区域的调光等级；以及控制器，用于通过使用所述调光简档来对所述照明驱动单元和所述电源单元进行控制。将所述照明设施的操作时间分成多个时间区域，并且产生调光简档以包括在所述多个时间区域中的每一个时间区域中用于驱动所述照明设施的发光强度以及每一个时间区域。
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公开(公告)号：CN101567213A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910133553.3
申请日：2009-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10
Abstract: 本发明提供了一种闪速存储器件及其操作方法，该闪速存储器件包括NAND单元单位的块，块中的每个NAND单元单位包括由n个字线控制的n个存储器单元晶体管MC，并且串联连接在与位线连接的串选择晶体管SST和接地选择晶体管GST之间。在向所选择的字线WL 施加编程电压Vpgm的同时，向更靠近接地选择晶体管GST的附近的未被选择的字线施加截止电压Vss，以将第一局部沟道Ch1与第二局部沟道Ch2隔离。随着所选择的字线WL 的位置i增大而靠近SST，第二沟道电势Vch2趋于过度增大，这导致了误差。通过只在所选择的字线WL 的位置i等于或大于预定(存储的)位置编号x时，更改施加到串选择线(SSL)和/或位线(BL)的电压、或者施加到未被选择的字线(WL 至WL )的通过电压Vpass，来防止Vch2的过度增大。如果执行步增脉冲编程(ISPP)，则仅在ISPP循环计数j等于或大于预定(存储的)临界循环数量y时更改所施加的电压。
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公开(公告)号：CN1123218C
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN97119512.9
申请日：1997-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌燮
IPC: H04N5/64
CPC classification number: G06F1/1654 , G06F1/1616 , G06F1/1635 , G06F1/1698 , H04N5/44 , H04N5/64 , H04N21/41407
Abstract: 一种使用了从便携计算机拆下的显示器的图像信号处理系统，该系统包括一机壳，该机壳包含了接收和变换图像信号用于提供图像信号数据的图像信号处理装置，该机壳设有用来固定从便携计算机拆下的显示器的固定部件，该图像信号处理系统设有把该系统电连接至显示器以便把图像信号传送给该显示器的连接器。
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公开(公告)号：CN106981491B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201710033439.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置和垂直非易失性存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括交替地且竖直地堆叠在基底上的第一电极和第二电极，并且在连接区域上具有阶梯状结构。第一电极和第二电极中的每个可以包括：电极部分，设置在单元阵列区域上，以沿第一方向延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；电极连接部分，设置在连接区域上，以沿第二方向延伸并且使电极部分彼此水平地连接；突出，在连接区域上设置为从电极连接部分沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。
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