-
公开(公告)号：CN112271180A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011037677.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11524 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
-
公开(公告)号：CN109273451A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810784256.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
-
公开(公告)号：CN109300901B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810825306.9
申请日：2018-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/20 , H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 垂直存储器件包括在第一方向上彼此间隔开的栅极电极。该栅极电极中的每一个沿第二方向延伸。绝缘图案在相邻栅极电极之间沿第二方向延伸。沟道结构沿第一方向延伸。沟道结构延伸穿过栅极电极结构的至少一部分和绝缘图案结构的至少一部分。栅极电极结构包括在衬底上沿第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极。第一绝缘图案的下表面和上表面沿着第一方向远离衬底的上表面弯曲。连接第一绝缘图案的下表面和上表面的侧壁相对于衬底的上表面倾斜。
-
公开(公告)号：CN109300901A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810825306.9
申请日：2018-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L23/48 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L29/1037 , H01L29/4234 , H01L23/481 , H01L23/5283 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 垂直存储器件包括在第一方向上彼此间隔开的栅极电极。该栅极电极中的每一个沿第二方向延伸。绝缘图案在相邻栅极电极之间沿第二方向延伸。沟道结构沿第一方向延伸。沟道结构延伸穿过栅极电极结构的至少一部分和绝缘图案结构的至少一部分。栅极电极结构包括在衬底上沿第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极。第一绝缘图案的下表面和上表面沿着第一方向远离衬底的上表面弯曲。连接第一绝缘图案的下表面和上表面的侧壁相对于衬底的上表面倾斜。
-
公开(公告)号：CN118899299A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410511828.7
申请日：2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L25/065 , H01L25/18
Abstract: 公开了半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装。半导体封装包括封装基板以及堆叠在封装基板上的第一芯片堆叠和第二芯片堆叠。第一芯片堆叠和第二芯片堆叠中的每个包括多个垂直堆叠的半导体芯片。每个半导体芯片包括多个第一垂直连接结构和多个第二垂直连接结构。第二芯片堆叠中的半导体芯片的第一垂直连接结构与第一芯片堆叠中的半导体芯片的第二垂直连接结构重叠并连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118265302A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311443525.8
申请日：2023-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开集成电路装置和包括集成电路装置的电子系统。所述集成电路装置包括：基底，包括存储器单元区域和连接区域；栅极堆叠件，包括在基底上在竖直方向上彼此分开的多个栅电极；多个栅极连接开口，在连接区域中布置为从栅极堆叠件的上表面向内延伸，在所述多个栅极连接开口中的每个的底表面处暴露所述多个栅电极中的一个栅电极；多个栅极连接结构，分别覆盖所述多个栅极连接开口的至少内侧表面，所述多个栅极连接结构中的每个与所述一个栅电极连接；以及多个栅极接触件，分别连接到所述多个栅极连接结构的上端。
-
公开(公告)号：CN117641926A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310876091.4
申请日：2023-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/20
Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。该半导体装置包括彼此连接的第一基底结构和第二基底结构。第二基底结构包括具有第一面和第二面的板层。栅电极层设置在板层的第一面上。沟道结构延伸穿过栅电极层。字线切割结构延伸穿过栅电极层并且彼此间隔开。过孔结构设置在板层的第二面上。过孔连接结构设置在过孔结构的顶面上。每个过孔结构的底面的宽度大于每个过孔结构的顶面的宽度。每个过孔连接结构的底面的宽度小于每个过孔连接结构的顶面的宽度。
-
公开(公告)号：CN109273451B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201810784256.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
-
公开(公告)号：CN114464625A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111290186.5
申请日：2021-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 提供了半导体器件和包括其的数据存储系统，所述半导体器件包括：衬底；下堆叠结构，所述下堆叠结构位于所述衬底上，并包括彼此分开地堆叠的下栅电极；上堆叠结构，所述上堆叠结构位于所述下堆叠结构上，并包括彼此分开地堆叠的上栅电极；下沟道结构，所述下沟道结构穿透所述下堆叠结构，并包括下沟道层和位于所述下沟道层上的下沟道绝缘层，所述下沟道绝缘层围绕下缝隙；以及上沟道结构，所述上沟道结构穿透所述上堆叠结构并包括上沟道层和位于所述上沟道层上的上沟道绝缘层，所述上沟道绝缘层围绕上缝隙。所述下缝隙的宽度大于所述上缝隙的宽度，并且所述下沟道绝缘层的厚度大于所述上沟道绝缘层的厚度。
-
公开(公告)号：CN118678683A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311568418.8
申请日：2023-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体装置和电子系统。半导体装置可包括具有第一区和第二区的衬底、包括电极图案和电介质图案的堆叠结构、竖直地穿透第一区上的堆叠结构的沟道、覆盖堆叠结构的平坦化的电介质层、以及平坦化的电介质层上的布线图案。电介质图案包括第一区上的第一电介质图案和第二区上的第二电介质图案。第二电介质图案包括第一子电介质图案和第二子电介质图案。第一子电介质图案的介电常数大于第一电介质图案的介电常数和第二子电介质图案的介电常数。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.045 seconds)
