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公开(公告)号：CN109273451B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201810784256.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
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公开(公告)号：CN113782539A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110642070.7
申请日：2021-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/1157
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；在第二区域中的基板中的绝缘图案，限定基板的有源图案；栅电极，彼此间隔开并堆叠在基板的上表面上并且在第一方向上延伸；第一分隔区域，在第一方向上延伸并与有源图案接触；第二分隔区域，在第一分隔区域之间在第一方向上延伸；以及沟道结构，在第一区域中贯穿栅电极。第二分隔区域中的至少一个与在绝缘图案下方的基板接触。
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公开(公告)号：CN112271180A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011037677.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11524 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
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公开(公告)号：CN109273451A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810784256.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
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公开(公告)号：CN109300901B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810825306.9
申请日：2018-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/20 , H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 垂直存储器件包括在第一方向上彼此间隔开的栅极电极。该栅极电极中的每一个沿第二方向延伸。绝缘图案在相邻栅极电极之间沿第二方向延伸。沟道结构沿第一方向延伸。沟道结构延伸穿过栅极电极结构的至少一部分和绝缘图案结构的至少一部分。栅极电极结构包括在衬底上沿第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极。第一绝缘图案的下表面和上表面沿着第一方向远离衬底的上表面弯曲。连接第一绝缘图案的下表面和上表面的侧壁相对于衬底的上表面倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109300901A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810825306.9
申请日：2018-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L23/48 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L29/1037 , H01L29/4234 , H01L23/481 , H01L23/5283 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 垂直存储器件包括在第一方向上彼此间隔开的栅极电极。该栅极电极中的每一个沿第二方向延伸。绝缘图案在相邻栅极电极之间沿第二方向延伸。沟道结构沿第一方向延伸。沟道结构延伸穿过栅极电极结构的至少一部分和绝缘图案结构的至少一部分。栅极电极结构包括在衬底上沿第一方向顺序地堆叠的至少一个第一栅极电极和多个第二栅极电极。第一绝缘图案的下表面和上表面沿着第一方向远离衬底的上表面弯曲。连接第一绝缘图案的下表面和上表面的侧壁相对于衬底的上表面倾斜。
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公开(公告)号：CN110504272B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910275192.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/41 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括多个栅电极。所述半导体装置还包括设置在基底上并穿过堆叠结构的第一结构以及设置在基底上的第二结构。第二结构设置在堆叠结构的外部，面向第一结构并与第一结构间隔开。第一结构包括穿过所述多个栅电极的至少一部分并在堆叠结构的外部延伸的多条分离线，并且第二结构由与第一结构的材料相同的材料形成。
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公开(公告)号：CN112271180B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011037677.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11524 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
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公开(公告)号：CN110137179A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201811522184.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明提供了一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：基底，具有单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上；多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中；多个虚设沟道结构，设置在所述连接区中；以及多个狭缝，在所述单元阵列区中设置在所述多个栅电极层中。所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层，所述多个虚设沟道结构穿透所述多个栅电极层中的至少一个。
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公开(公告)号：CN110137179B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201811522184.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：基底，具有单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上；多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中；多个虚设沟道结构，设置在所述连接区中；以及多个狭缝，在所述单元阵列区中设置在所述多个栅电极层中。所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层，所述多个虚设沟道结构穿透所述多个栅电极层中的至少一个。
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