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公开(公告)号：CN110137179B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201811522184.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：基底，具有单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上；多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中；多个虚设沟道结构，设置在所述连接区中；以及多个狭缝，在所述单元阵列区中设置在所述多个栅电极层中。所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层，所述多个虚设沟道结构穿透所述多个栅电极层中的至少一个。
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公开(公告)号：CN110504272A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910275192.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括多个栅电极。所述半导体装置还包括设置在基底上并穿过堆叠结构的第一结构以及设置在基底上的第二结构。第二结构设置在堆叠结构的外部，面向第一结构并与第一结构间隔开。第一结构包括穿过所述多个栅电极的至少一部分并在堆叠结构的外部延伸的多条分离线，并且第二结构由与第一结构的材料相同的材料形成。
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公开(公告)号：CN110504272B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910275192.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/41 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括多个栅电极。所述半导体装置还包括设置在基底上并穿过堆叠结构的第一结构以及设置在基底上的第二结构。第二结构设置在堆叠结构的外部，面向第一结构并与第一结构间隔开。第一结构包括穿过所述多个栅电极的至少一部分并在堆叠结构的外部延伸的多条分离线，并且第二结构由与第一结构的材料相同的材料形成。
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公开(公告)号：CN111916458A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010282827.1
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种垂直存储器件包括位于衬底上的多个沟道、沟道连接图案、多个栅电极以及顺序堆叠的蚀刻停止图案和阻挡图案。所述沟道在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上延伸。所述沟道连接图案在与所述衬底的所述上表面平行的第二方向上延伸以覆盖所述沟道的外侧壁。所述多个栅电极在所述沟道连接图案上沿所述第一方向彼此间隔开，并沿所述第二方向延伸以围绕所述多个沟道。所述蚀刻停止图案和所述阻挡图案在所述沟道连接图案的在第三方向上的端部沿第三方向顺序地堆叠，所述第三方向与所述衬底的所述上表面平行并与所述第二方向交叉，所述蚀刻停止图案和所述阻挡图案包括彼此不同的材料。
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公开(公告)号：CN110137179A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201811522184.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明提供了一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：基底，具有单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上；多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中；多个虚设沟道结构，设置在所述连接区中；以及多个狭缝，在所述单元阵列区中设置在所述多个栅电极层中。所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层，所述多个虚设沟道结构穿透所述多个栅电极层中的至少一个。
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