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公开(公告)号：CN113497053A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110056565.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 三维半导体存储器件可以包括：水平结构，可以位于衬底的上表面上，并且可以包括顺序堆叠在所述衬底的所述上表面上的第一水平图案和第二水平图案；堆叠结构，包括堆叠在所述水平结构上的电极；垂直图案，延伸穿过所述电极并且连接到所述第一水平图案；和分隔结构，与所述堆叠结构和所述水平结构相交并且突出到所述衬底的所述上表面中。最下面的电极可以具有彼此面对的第一内侧壁，所述分隔结构介于所述第一内侧壁之间。所述第二水平图案可以具有彼此面对的第二内侧壁，所述分隔结构介于所述第二内侧壁之间。所述第一内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离可以小于所述第二内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离。
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公开(公告)号：CN110137179B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201811522184.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：基底，具有单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上；多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中；多个虚设沟道结构，设置在所述连接区中；以及多个狭缝，在所述单元阵列区中设置在所述多个栅电极层中。所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层，所述多个虚设沟道结构穿透所述多个栅电极层中的至少一个。
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公开(公告)号：CN110504269B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201910402256.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种三维半导体装置。所述三维半导体装置包括：第一延伸区域和第二延伸区域，彼此分隔开地设置在基底上；存储器块，在第一延伸区域与第二延伸区域之间设置在基底上；以及第一主分离结构和第二主分离结构，彼此分隔开地设置在基底上。第一延伸区域、存储器块和第二延伸区域设置在第一主分离结构与第二主分离结构之间。存储器块包括数据存储区域和字线。字线从存储器块延伸并且穿过第一延伸区域和第二延伸区域。位于第一延伸区域的两侧上的第一主分离结构与第二主分离结构之间的距离大于位于存储器块的两侧上的第一主分离结构与第二主分离结构之间的距离。
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公开(公告)号：CN110504272A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910275192.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括多个栅电极。所述半导体装置还包括设置在基底上并穿过堆叠结构的第一结构以及设置在基底上的第二结构。第二结构设置在堆叠结构的外部，面向第一结构并与第一结构间隔开。第一结构包括穿过所述多个栅电极的至少一部分并在堆叠结构的外部延伸的多条分离线，并且第二结构由与第一结构的材料相同的材料形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110504272B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910275192.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/41 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括多个栅电极。所述半导体装置还包括设置在基底上并穿过堆叠结构的第一结构以及设置在基底上的第二结构。第二结构设置在堆叠结构的外部，面向第一结构并与第一结构间隔开。第一结构包括穿过所述多个栅电极的至少一部分并在堆叠结构的外部延伸的多条分离线，并且第二结构由与第一结构的材料相同的材料形成。
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公开(公告)号：CN113745231A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110584684.4
申请日：2021-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件包括：图案结构；在图案结构上的堆叠结构，该堆叠结构包括栅极和层间绝缘层；以及穿透堆叠结构并接触图案结构的垂直结构。图案结构包括顺序堆叠的下图案层、中间图案层和上图案层，垂直结构包括穿透上图案层和中间图案层并延伸到下图案层中的垂直存储结构，中间图案层包括第一部分、从第一部分延伸并具有减小的厚度的第二部分、以及第三部分，该第三部分从第一部分延伸，具有增加的厚度并接触垂直存储结构。中间图案层的第二部分具有侧表面，该侧表面在形成从第一部分的上表面弯曲的表面的同时降低，并接触上图案层。
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公开(公告)号：CN111916458A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010282827.1
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种垂直存储器件包括位于衬底上的多个沟道、沟道连接图案、多个栅电极以及顺序堆叠的蚀刻停止图案和阻挡图案。所述沟道在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上延伸。所述沟道连接图案在与所述衬底的所述上表面平行的第二方向上延伸以覆盖所述沟道的外侧壁。所述多个栅电极在所述沟道连接图案上沿所述第一方向彼此间隔开，并沿所述第二方向延伸以围绕所述多个沟道。所述蚀刻停止图案和所述阻挡图案在所述沟道连接图案的在第三方向上的端部沿第三方向顺序地堆叠，所述第三方向与所述衬底的所述上表面平行并与所述第二方向交叉，所述蚀刻停止图案和所述阻挡图案包括彼此不同的材料。
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公开(公告)号：CN110504269A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910402256.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本公开提供了一种三维半导体装置。所述三维半导体装置包括：第一延伸区域和第二延伸区域，彼此分隔开地设置在基底上；存储器块，在第一延伸区域与第二延伸区域之间设置在基底上；以及第一主分离结构和第二主分离结构，彼此分隔开地设置在基底上。第一延伸区域、存储器块和第二延伸区域设置在第一主分离结构与第二主分离结构之间。存储器块包括数据存储区域和字线。字线从存储器块延伸并且穿过第一延伸区域和第二延伸区域。位于第一延伸区域的两侧上的第一主分离结构与第二主分离结构之间的距离大于位于存储器块的两侧上的第一主分离结构与第二主分离结构之间的距离。
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公开(公告)号：CN110137179A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201811522184.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明提供了一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：基底，具有单元阵列区和设置为邻近于所述单元阵列区的连接区；多个栅电极层，堆叠在所述单元阵列区和所述连接区上；多个沟道结构，设置在所述单元阵列区中；多个虚设沟道结构，设置在所述连接区中；以及多个狭缝，在所述单元阵列区中设置在所述多个栅电极层中。所述多个栅电极层在所述连接区中形成台阶结构，所述多个沟道结构穿透所述多个栅电极层，所述多个虚设沟道结构穿透所述多个栅电极层中的至少一个。
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