公开(公告)号：CN113745231A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110584684.4

申请日：2021-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐裕轸 ,  郑恩宅 ,  李秉一 ,  李璱 ,  李俊熙 ,  郑昌大 ,  崔凤贤 ,  高木世济

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件包括：图案结构；在图案结构上的堆叠结构，该堆叠结构包括栅极和层间绝缘层；以及穿透堆叠结构并接触图案结构的垂直结构。图案结构包括顺序堆叠的下图案层、中间图案层和上图案层，垂直结构包括穿透上图案层和中间图案层并延伸到下图案层中的垂直存储结构，中间图案层包括第一部分、从第一部分延伸并具有减小的厚度的第二部分、以及第三部分，该第三部分从第一部分延伸，具有增加的厚度并接触垂直存储结构。中间图案层的第二部分具有侧表面，该侧表面在形成从第一部分的上表面弯曲的表面的同时降低，并接触上图案层。