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公开(公告)号：CN113782539A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110642070.7
申请日：2021-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/1157
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；在第二区域中的基板中的绝缘图案，限定基板的有源图案；栅电极，彼此间隔开并堆叠在基板的上表面上并且在第一方向上延伸；第一分隔区域，在第一方向上延伸并与有源图案接触；第二分隔区域，在第一分隔区域之间在第一方向上延伸；以及沟道结构，在第一区域中贯穿栅电极。第二分隔区域中的至少一个与在绝缘图案下方的基板接触。
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