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公开(公告)号：CN116072193A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211132043.6
申请日：2022-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储装置的操作方法，包括：对第一字线执行1级编程步骤和1级验证步骤，存储第一时间戳，对第二字线执行1级编程步骤和1级验证步骤，存储第二时间戳，基于第一时间戳和第二时间戳计算延迟时间，确定延迟时间是否大于或等于阈值，基于延迟时间将与第一字线相关联的至少一个2级验证电压从第一电压电平调整为第二电压电平，以及对第一字线执行2级编程步骤和2级验证步骤。至少一个1级验证电压的电平低于第二电压电平，并且第二电压电平低于第一电压电平。
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公开(公告)号：CN105633089A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510810436.1
申请日：2015-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的栅电极，并且具有竖直孔；有源柱，其设置在竖直孔中，并且提供竖直沟道；电荷存储部分，其介于有源柱与栅电极之间；阻挡电介质，其介于电荷存储部分与栅电极之间；隧道电介质，其介于电荷存储部分与有源柱之间；绝缘体，其填充有源柱的内孔；以及固定电荷层，其介于填充绝缘体与有源柱之间。采取手段解决了其中电流原本会在竖直沟道与填充绝缘体之间的界面附近被不利地影响的现象。
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公开(公告)号：CN117636965A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311044076.X
申请日：2023-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器装置的操作方法，存储器装置包括沿垂直于基底的方向堆叠的多个存储器单元和分别与所述多个存储器单元连接的多条字线。所述方法包括：在第一字线设置时段期间，将第0通过电压施加到所述多条字线之中的第一选择字线，并且将第一通过电压施加到所述多条字线之中的第一上邻近字线；以及在第一字线设置时段之后的第一编程执行时段期间，将第一编程电压施加到第一选择字线，并且将小于第一通过电压的第二通过电压施加到第一上邻近字线。第一上邻近字线是与第一选择字线物理上邻近的字线。
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公开(公告)号：CN114093403A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110974050.X
申请日：2021-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储块，所述存储块包括形成在衬底上的第一结构和形成在所述第一结构上的第二结构。所述非易失性存储器件的擦除方法包括：向所述第一结构的第一正常字线和所述第二结构的第二正常字线施加字线擦除电压；以及向所述第一结构的第一结字线和所述第二结构的第二结字线中的至少一者施加小于所述字线擦除电压的结字线擦除电压。所述第一结字线是所述第一结构的字线当中与所述第二结构相邻的字线，所述第二结字线是所述第二结构的字线当中与所述第一结构相邻的字线。
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公开(公告)号：CN116386699A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211722035.7
申请日：2022-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 所公开的是存储器设备的操作方法，其中，存储器设备包括存储器块，存储器块包括在垂直于衬底的方向上堆叠的多个单元晶体管。多个单元晶体管可以包括接地选择晶体管和擦除控制晶体管。擦除控制晶体管可以位于衬底和接地选择晶体管之间。操作方法可以包括：对接地选择晶体管执行第一擦除操作；在第一擦除操作之后，对擦除控制晶体管执行第一编程操作；在第一编程操作之后，对接地选择晶体管执行第二编程操作；以及，在第二编程操作之后，对擦除控制晶体管执行第二擦除操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113948140A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110804646.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：包含第一串选择晶体管、第一存储单元和第一接地选择晶体管的第一串；包含第二串选择晶体管、第二存储单元和第二接地选择晶体管的第二串；和控制器，从第一时间向第一串选择线施加通过电压，在从第一时间至第二时间的第一读取时段期间向第一字线施加第一读取电压，从第一时间向第一接地选择线施加第一接地选择线电压，向第二串选择线施加接地电压，在第一控制时段期间向第二接地选择线施加第一接地选择线电压，以及在第一控制时段期间向公共源极线施加第一公共源极线电压。
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公开(公告)号：CN113223585A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011269506.4
申请日：2020-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件、存储设备及其编程方法。所述非易失性存储器件的编程方法包括：接收写入地址和写入数据；生成与所述写入地址相对应的种子；通过使用所述种子生成随机序列；通过使用所述随机序列对所述写入数据进行随机化；以及将随机化的写入数据编程到与所述写入地址相对应的存储区域。所述种子可以提供依据字线的位置变化的状态整形，接收到的所述写入数据将被编程在所述字线处。
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公开(公告)号：CN118486350A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311536712.0
申请日：2023-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置及其操作方法。用于在表面安装技术(SMT)工艺之前将数据编程到闪速存储器中的存储装置的操作方法包括：将连接至第一字线的第一存储器单元的编程状态与连接至第二字线的第二存储器单元的编程状态进行比较；根据比较的结果改变第二存储器单元的编程状态；以及将数据和改变的状态信息多比特编程到第二存储器单元中。
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公开(公告)号：CN116153373A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211464903.6
申请日：2022-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括：第一非易失性存储器装置；第二非易失性存储器装置；第三非易失性存储器装置；和存储控制器，被配置为：控制第一非易失性存储器装置、第二非易失性存储器装置和第三非易失性存储器装置，控制第一非易失性存储器装置在第一软擦除操作之后提取第一导通单元计数值，基于相应的第一导通单元计数值至第三导通单元计数值来设置相应的第一非易失性存储器装置至第三非易失性存储器装置的第一读取电平偏移至第三读取电平偏移，选择各自对应于相应的第一读取电平偏移至第三读取电平偏移的第一防御码参数集至第三防御码参数集，并且基于第一防御码参数集至第三防御码参数集发送第一读取命令至第三读取命令。
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公开(公告)号：CN113948126A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110590406.X
申请日：2021-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储装置及其读取操作方法。所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括非易失性存储器单元阵列和OTP存储器单元阵列，非易失性存储器单元阵列包括包含顺序堆叠的第一存储器单元和第二存储器单元的串，OTP存储器单元阵列存储参考计数值，第一存储器单元和第二存储器单元分别连接到第一字线和第二字线；控制器，包括生成第一存储器单元的读取命令的处理器；和读取电平生成器，包括：计数器，接收读取命令并计算连接到第二字线的存储器单元的截止单元计数值；比较器，从OTP存储器单元阵列接收第一参考计数值，将截止单元计数值与第一参考计数值进行比较以确定第二存储器单元的阈值电压移位，并基于阈值电压移位确定第一存储器单元的读取电平。
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