公开(公告)号：CN105097028B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201510239393.6

申请日：2015-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  郭东勋 ,  朴起台 ,  崔明勋 ,  韩承澈

IPC: G11C16/06

Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的读取方法和一种存储装置，该读取方法包括：根据第一读取电压从非易失性存储器件的被选择的存储区域读取数据；检测并纠正读取的数据的错误；以及当读取的数据的错误无法纠正时，确定用于读取被选择的存储区域的第二读取电压。根据读取的数据中包括的逻辑0或逻辑1的数量或者读取的数据中的逻辑1与逻辑0的比例来确定第二读取电压。

公开(公告)号：CN104051016B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201410099431.8

申请日：2014-03-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  尹翔镛

IPC: G11C16/26

Abstract: 提供一种非易失性存储装置、读取数据方法、存储系统及操作方法。在从非易失性存储装置读取数据的方法中，通过将第一读取电压施加到第一字线来执行针对结合到第一字线的存储单元的第一读取操作。执行第一读取重试操作以获得最佳读取电平而不管或不依赖于通过第一读取操作读取的数据是否是可纠错的，并存储所述最佳读取电平以使用所述最佳读取电平来执行随后的第二读取操作。也公开了相关方法和装置。

公开(公告)号：CN103971724A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410045218.9

申请日：2014-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  尹翔镛

IPC: G11C8/08

Abstract: 本发明涉及存储器、存储控制器、存储系统、及其操作方法。在一个实施例中，方法包括在存储器上执行读操作，并且由存储控制器基于计数值和参考值确定是否执行可靠性验证读操作。所述计数值基于由存储控制器发出到存储器的读命令的数目，并且可靠性验证读操作对于从与存储器中的至少一个未选字线相关联的至少一个存储单元读数据。未选字线是在读操作期间未选择的字线。所述方法还包括基于所述确定执行对于所述至少一个未选字线的可靠性验证读操作。

公开(公告)号：CN103093818A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210436459.7

申请日：2012-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱相炫 ,  朴起台 ,  尹翔镛 ,  韩真晚

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G06F11/1016 ,  G06F11/08 ,  G06F11/10 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1076 ,  G06F11/108 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418 ,  H03M13/151 ,  H03M13/1525 ,  H03M13/1545

Abstract: 一种存储系统及其操作方法，存储系统包括：非易失性存储装置和存储器控制器，存储器控制器配置为控制非易失性存储装置，并配置为向非易失性存储装置提供包括从该非易失性存储装置读取的数据的错误的错误位置信息的错误标志信息。

公开(公告)号：CN102820057A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210189683.0

申请日：2012-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋永先 ,  金甫根 ,  权五锡 ,  朴起台 ,  申昇桓 ,  尹翔镛

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/08 ,  G11C16/34 ,  G11C16/3459

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及编程非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置包括：存储单元阵列、输出校验读取结果的页缓冲单元、产生参考电流信号的参考电流产生单元、根据校验读取结果输出电流的页缓冲解码单元、配置成对所述电流进行计数的模拟位计数单元、计算计数结果的累加和的数字加法单元、根据计算结果输出成功信号或失败信号的成功/失败检查单元、以及控制随后的编程操作的控制单元。

公开(公告)号：CN117995254A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202310850162.3

申请日：2023-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐昌煜 ,  尹翔镛 ,  郑基镐

IPC: G11C29/12 ,  G11C29/14

Abstract: 提供了存储器装置、测试方法和半导体装置。所述存储器装置包括：测试模式检测器电路，基于通过多个引脚中的至少一个引脚接收到的至少一个测试模式进入信号，来确定所述存储器装置是否已经进入测试模式并且生成测试模式检测信号；以及测试垫连接电路，将所述多个引脚中的第一引脚电连接到测试模式的专用测试垫，使得施加到第一引脚的信号基于测试模式检测信号而被发送到专用测试垫。

公开(公告)号：CN105321572B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201510388394.7

申请日：2015-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润 ,  庆桂显 ,  金经纶 ,  尹翔镛

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/10

Abstract: 提供一种存储设备的读取方法，包括：基于存储编程时间根据时间戳表格以及指示由于编程经过时间所致的读取电平偏移的时间‑读取电平查找表来执行第一读操作；根据第一读操作的结果确定是否调整时间‑读取电平查找表；由于确定需要调整时间‑读取电平查找表的结果，通过谷搜索操作调整时间‑读取电平查找表；以及基于时间戳表格和调整的时间‑读取电平查找表执行第二读操作。

公开(公告)号：CN105097034B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201510242148.0

申请日：2015-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  尹翔镛 ,  宋基焕

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 提供了一种非易失性存储系统以及存储控制器的操作方法。该非易失性存储系统包括存储控制器和具有多个存储单元的非易失性存储装置。存储控制器被构造为对时钟计数以生成当前时间、在断电状态下在所述多个存储单元中的预定存储单元中编程虚拟数据、当在断电状态之后出现上电状态时检测预定存储单元的电荷逸失，并基于检测到的电荷逸失来恢复当前时间。

公开(公告)号：CN102157204B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010622089.7

申请日：2010-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  尹铉竣 ,  金甫根 ,  朴起台 ,  金武星

IPC: G11C16/34

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3454

Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。

公开(公告)号：CN104052498A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410096588.5

申请日：2014-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  金经纶 ,  千镇泳

IPC: H03M13/11 ,  G06F11/10

CPC classification number: G11C29/50004 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1068 ,  G11C11/56 ,  G11C16/34 ,  G11C29/026 ,  G11C29/028 ,  H03M13/3927

Abstract: 提供了一种最优化用于纠正与存储在非易失性存储器设备中的数据有关的错误的对数似然比（LLR）的方法。在该方法中，监控包括在非易失性存储器设备中的多个存储器单元的阈值电压分布的变化，并且基于监控结果更新用于存储器单元的LLR。即使存储器单元的特性退化，LLR仍持续地维持在最优值。