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公开(公告)号：CN110120243B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201910004034.0
申请日：2019-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 公开了半导体存储器装置、操作其的方法以及存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列、纠错码引擎、输入/输出选通电路以及控制逻辑电路。存储器单元阵列包括多个存储体阵列，每个存储体阵列包括动态存储器单元。响应于访问地址和命令，控制逻辑电路生成用于控制输入/输出选通电路的第一控制信号和用于控制纠错码引擎的第二控制信号。控制逻辑电路响应于第一命令控制纠错码引擎对将被存储在至少一个存储体阵列的第一页中的写入数据执行s位纠错码编码，并响应于第二命令控制纠错码引擎对从第一页读取的第一码字执行t位纠错码解码。
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公开(公告)号：CN105321572B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201510388394.7
申请日：2015-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储设备的读取方法，包括：基于存储编程时间根据时间戳表格以及指示由于编程经过时间所致的读取电平偏移的时间‑读取电平查找表来执行第一读操作；根据第一读操作的结果确定是否调整时间‑读取电平查找表；由于确定需要调整时间‑读取电平查找表的结果，通过谷搜索操作调整时间‑读取电平查找表；以及基于时间戳表格和调整的时间‑读取电平查找表执行第二读操作。
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公开(公告)号：CN105097034B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201510242148.0
申请日：2015-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储系统以及存储控制器的操作方法。该非易失性存储系统包括存储控制器和具有多个存储单元的非易失性存储装置。存储控制器被构造为对时钟计数以生成当前时间、在断电状态下在所述多个存储单元中的预定存储单元中编程虚拟数据、当在断电状态之后出现上电状态时检测预定存储单元的电荷逸失，并基于检测到的电荷逸失来恢复当前时间。
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公开(公告)号：CN109785877A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811344643.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金经纶
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G06F3/0646 , G06F3/061 , G06F3/0673 , G06F11/1048 , G06F11/108 , G06F12/0207 , G11C7/12
Abstract: 一种存储设备，包括第一、第二、第三和第四存储单元组以及第一和第二发送器。第一和第二存储单元组共享第一局部线。第三和第四存储单元组共享第二局部线。第一发送器基于读取命令将第一数据发送到第一全局线。第一数据在第一局部线上从第一存储单元组和第二存储单元组中的一个输出。第二发送器基于读取命令将第二数据发送到第二全局线。第二数据在第二局部线上从第三存储单元组和第四存储单元组中的一个输出。第一全局线的数量与第二全局线的数量不同。
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公开(公告)号：CN109727631A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810722488.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/02
Abstract: 一种存储设备，包括连接到第一位线、第一字线和第二字线的存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一存储单元和第二存储单元，所述第一存储单元连接在所述第一字线和第一位线之间，以及第二存储单元连接在第二字线和第一位线之间；第一字线驱动器，被配置为驱动所述第一字线；第二字线驱动器，被配置为驱动所述第二字线；以及测试管理器，被配置为驱动第二字线以改变第一位线的电容，并且在第一位线的电容改变之后，驱动第一字线以测试第一字线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105097027A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510229596.7
申请日：2015-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储装置、存储装置的操作方法和访问存储装置的方法。所述存储装置包括非易失性存储器和控制非易失性存储器的存储器控制器。检测温度。利用温度来计算当前加权时间。利用基于当前加权时间而调整的读取电压电平从非易失性存储器读取数据。当前加权时间是在所述温度下根据从存储数据的存储器单元泄漏的电荷的量来确定的。
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公开(公告)号：CN104052498A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410096588.5
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/50004 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G11C11/56 , G11C16/34 , G11C29/026 , G11C29/028 , H03M13/3927
Abstract: 提供了一种最优化用于纠正与存储在非易失性存储器设备中的数据有关的错误的对数似然比（LLR）的方法。在该方法中，监控包括在非易失性存储器设备中的多个存储器单元的阈值电压分布的变化，并且基于监控结果更新用于存储器单元的LLR。即使存储器单元的特性退化，LLR仍持续地维持在最优值。
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公开(公告)号：CN119917014A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411468324.8
申请日：2024-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储设备，包括：多个非易失性存储器件；主机接口设备，被配置为通过接口通道与外部主机设备进行通信；以及至少一个媒体接口设备，连接在主机接口设备和多个非易失性存储器件之间，至少一个媒体接口设备被配置为控制多个非易失性存储器件，其中，至少一个媒体接口设备还被配置为执行从主机接口设备卸载的操作并与主机接口设备执行串行通信。
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公开(公告)号：CN115019868A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210205043.8
申请日：2022-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/02
Abstract: 公开了一种电压微调电路、存储器装置和存储器装置的测试方法。该电压微调电路包括：第一电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第一电阻值；第二电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第二电阻值；以及比较器，其被配置为通过将参考电压微调节点的电压电平与反馈节点的电压电平进行比较来输出电压检测信号，其中，当参考电压微调节点的电压电平高于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以增大第一电阻值并且减小第二电阻值，并且当参考电压微调节点的电压电平低于或等于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以减小第一电阻值并且增大第二电阻值。
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