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公开(公告)号：CN115810373A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211109070.1
申请日：2022-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/06 , G11C7/08 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C11/408 , G11C11/4094
Abstract: 公开了一种读出放大器和存储器装置。所述读出放大器包括：预放大器，其连接在接收输入信号的输入节点与第一节点之间；第二开关，其连接在第一节点与输出输出信号的第一输出节点之间；放大器，其连接在第一输出节点和与输出反相输出信号的第二输出节点之间；以及第一开关，其连接在输入节点和第二输出节点之间。预放大器包括连接在输入节点和第一节点之间的反相器、以及连接在输入节点和第一节点之间的第三开关。
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公开(公告)号：CN115019868A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210205043.8
申请日：2022-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/02
Abstract: 公开了一种电压微调电路、存储器装置和存储器装置的测试方法。该电压微调电路包括：第一电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第一电阻值；第二电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第二电阻值；以及比较器，其被配置为通过将参考电压微调节点的电压电平与反馈节点的电压电平进行比较来输出电压检测信号，其中，当参考电压微调节点的电压电平高于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以增大第一电阻值并且减小第二电阻值，并且当参考电压微调节点的电压电平低于或等于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以减小第一电阻值并且增大第二电阻值。
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公开(公告)号：CN111092620A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910481581.8
申请日：2019-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M13/37
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置、控制器和存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及纠错码(ECC)解码器，被配置为：接收从存储器单元阵列的选择的存储器单元输出的第一数据和奇偶校验数据。当半导体存储器装置的读取操作被执行时，ECC解码器基于第一数据和奇偶校验数据生成校验子，通过所述校验子生成第二数据和指示第一数据的错误的类型的解码状态标志(DSF)，并将第二数据和DSF输出至半导体存储器装置的外部的外部装置。
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公开(公告)号：CN104838341B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201480003343.1
申请日：2014-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/02 , G06F3/0481 , G06F3/14
Abstract: 提供一种显示装置。该显示装置包括：显示器，其被配置为显示用于接收字母输入的用户界面窗口；通信接口，其被配置为从控制设备接收用于输入字母的控制指令；以及控制器，其被配置为控制该显示器基于该控制设备是否包括用于输入字母的字母按键而在该用户界面窗口上选择性地显示用于输入字母的屏上键盘。
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公开(公告)号：CN109032489A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810788908.1
申请日：2014-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0488
CPC classification number: H04N5/4403 , G06F3/0227 , H04N21/42214 , H04N21/42218 , H04N2005/4419
Abstract: 提供一种显示装置。该显示装置包括：显示器，其被配置为显示用于接收字母输入的用户界面窗口；通信接口，其被配置为从控制设备接收用于输入字母的控制指令；以及控制器，其被配置为控制该显示器基于该控制设备是否包括用于输入字母的字母按键而在该用户界面窗口上选择性地显示用于输入字母的屏上键盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107977321A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711000737.3
申请日：2017-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/061 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/32 , G06F13/18
Abstract: 一种通过存储器控制器执行的控制具有第一平面和第二平面的非易失性存储器装置的方法，包括：将包括在命令队列中的第一命令发送至非易失性存储器装置。当第三命令在命令队列中排在第二命令之前时，将第二命令的块地址与第三命令的块地址进行比较。基于比较结果选择性地将第二命令在第三命令之前发送至非易失性存储器装置。
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公开(公告)号：CN104838341A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201480003343.1
申请日：2014-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/02 , G06F3/0481 , G06F3/14
Abstract: 提供一种显示装置。该显示装置包括：显示器，其被配置为显示用于接收字母输入的用户界面窗口；通信接口，其被配置为从控制设备接收用于输入字母的控制指令；以及控制器，其被配置为控制该显示器基于该控制设备是否包括用于输入字母的字母按键而在该用户界面窗口上选择性地显示用于输入字母的屏上键盘。
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公开(公告)号：CN110377453B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910067433.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；纠错码(ECC)引擎，被配置为检测和/或校正读取数据中的至少一个错误位，并被配置为生成指示所述至少一个错误位是否被检测到和/或被校正的解码状态标志，其中，读取数据从存储器单元阵列读取；通道接口电路，被配置为从ECC引擎接收读取数据和解码状态标志，并被配置为将读取数据和解码状态标志发送至存储器控制器，其中，通道接口电路被配置为通过引脚将解码状态标志发送至存储器控制器；控制逻辑电路，被配置为响应于来自存储器控制器的地址和命令，控制ECC引擎和通道接口电路。
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公开(公告)号：CN109471819B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201811043687.1
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/28
Abstract: 一种存储设备，包括第一存储器件、第二存储器件和控制器。所述第一存储器件和所述第二存储器件共享相同的通道，以与所述控制器通信。所述第一存储器件与所述控制器之间的通信和所述第二存储器件与所述控制器之间的通信是互斥的。当所述控制器在处理针对所述第一存储器件的直接存储器访问(DMA)操作时接收到针对所述第二存储器件的读取请求时，所述控制器暂停所述DMA操作，并向所述第二存储器件发送与所述读取请求相关联的读取命令。
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公开(公告)号：CN111092620B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201910481581.8
申请日：2019-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M13/37
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置、控制器和存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及纠错码(ECC)解码器，被配置为：接收从存储器单元阵列的选择的存储器单元输出的第一数据和奇偶校验数据。当半导体存储器装置的读取操作被执行时，ECC解码器基于第一数据和奇偶校验数据生成校验子，通过所述校验子生成第二数据和指示第一数据的错误的类型的解码状态标志(DSF)，并将第二数据和DSF输出至半导体存储器装置的外部的外部装置。
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