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公开(公告)号：CN110377453A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910067433.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；纠错码(ECC)引擎，被配置为检测和/或校正读取数据中的至少一个错误位，并被配置为生成指示所述至少一个错误位是否被检测到和/或被校正的解码状态标志，其中，读取数据从存储器单元阵列读取；通道接口电路，被配置为从ECC引擎接收读取数据和解码状态标志，并被配置为将读取数据和解码状态标志发送至存储器控制器，其中，通道接口电路被配置为通过引脚将解码状态标志发送至存储器控制器；控制逻辑电路，被配置为响应于来自存储器控制器的地址和命令，控制ECC引擎和通道接口电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1196135C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN99108296.6
申请日：1999-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/407 , H03K3/353
CPC classification number: G11C7/225 , G11C7/1066 , G11C7/22
Abstract: 集成电路器件包括：第一信号发生器，在输入端和互补输入端分别接收第一输入信号和第一输入信号的互补信号，并产生前沿与第一输入信号的前沿同步但相对延迟的具有第一占空周期的第一输出信号；第二信号发生器，在互补输入端和输入端分别接收第一输入信号和第一输入信号的互补信号，并产生前沿与第一输入信号的互补信号的前沿同步但相对延迟的具有第二占空周期的第二输出信号；响应于第一输出信号的第一脉冲发生器，在其输出端产生与第一输出信号同步但占空周期小于第一占空周期的信号；以及响应于第二输出信号的第二脉冲发生器，在其输出端产生与第二输出信号同步但占空周期小于第二占空周期的信号。
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公开(公告)号：CN1246710A
公开(公告)日：2000-03-08
申请号：CN99108296.6
申请日：1999-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/407 , G11C11/413 , H03K3/353
CPC classification number: G11C7/225 , G11C7/1066 , G11C7/22
Abstract: 集成电路包括第一和第二信号发生器。前者在实际输入和互补输入端接收第一输入信号和第一输入信号的互补信号,产生前沿与第一输入信号的前沿同步但延迟第一时间间隔的第一输出信号。后者在互补和实际输入端接收第一输入信号和第一输入信号的互补信号,产生前沿与第一输入信号的互补信号的前沿同步但延迟第一时间间隔的第二输出信号。优选提供第一和第二脉冲产生器用于响应第一和第二输出信号。
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公开(公告)号：CN111092620A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910481581.8
申请日：2019-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M13/37
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置、控制器和存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及纠错码(ECC)解码器，被配置为：接收从存储器单元阵列的选择的存储器单元输出的第一数据和奇偶校验数据。当半导体存储器装置的读取操作被执行时，ECC解码器基于第一数据和奇偶校验数据生成校验子，通过所述校验子生成第二数据和指示第一数据的错误的类型的解码状态标志(DSF)，并将第二数据和DSF输出至半导体存储器装置的外部的外部装置。
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公开(公告)号：CN110377453B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910067433.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；纠错码(ECC)引擎，被配置为检测和/或校正读取数据中的至少一个错误位，并被配置为生成指示所述至少一个错误位是否被检测到和/或被校正的解码状态标志，其中，读取数据从存储器单元阵列读取；通道接口电路，被配置为从ECC引擎接收读取数据和解码状态标志，并被配置为将读取数据和解码状态标志发送至存储器控制器，其中，通道接口电路被配置为通过引脚将解码状态标志发送至存储器控制器；控制逻辑电路，被配置为响应于来自存储器控制器的地址和命令，控制ECC引擎和通道接口电路。
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公开(公告)号：CN111092620B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201910481581.8
申请日：2019-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M13/37
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置、控制器和存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及纠错码(ECC)解码器，被配置为：接收从存储器单元阵列的选择的存储器单元输出的第一数据和奇偶校验数据。当半导体存储器装置的读取操作被执行时，ECC解码器基于第一数据和奇偶校验数据生成校验子，通过所述校验子生成第二数据和指示第一数据的错误的类型的解码状态标志(DSF)，并将第二数据和DSF输出至半导体存储器装置的外部的外部装置。
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