公开(公告)号：CN109285581A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810809422.1

申请日：2018-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣华 ,  吴台荣 ,  张晋熏 ,  赵席振 ,  河庆洙

IPC: G11C16/12

Abstract: 一种存储器件，具有多个电源轨，包括：第一电源轨，用于传递高电源电压，第二电源轨，用于传递低电源电压，第三电源轨，用于经过第一动态电压和频率调整(DVFS)开关来从第一电源轨接收高电源电压并且用于经过第二DVFS开关来从第二电源轨选择性地接收低电源电压，第四电源轨，连接到第一电源门控(PG)开关，用来从第三电源轨选择性地接收高电源电压或低电源电压，第一电路块，连接到第四电源轨以接收应用了DVFS和PG的电源电压。当应用了电源门控时，阻断第四电源轨的电源电压的供应。

公开(公告)号：CN115810373A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211109070.1

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋秉圭 ,  赵席振 ,  金大贤 ,  裴元一

IPC: G11C7/06 ,  G11C7/08 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4094

Abstract: 公开了一种读出放大器和存储器装置。所述读出放大器包括：预放大器，其连接在接收输入信号的输入节点与第一节点之间；第二开关，其连接在第一节点与输出输出信号的第一输出节点之间；放大器，其连接在第一输出节点和与输出反相输出信号的第二输出节点之间；以及第一开关，其连接在输入节点和第二输出节点之间。预放大器包括连接在输入节点和第一节点之间的反相器、以及连接在输入节点和第一节点之间的第三开关。

公开(公告)号：CN109285581B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201810809422.1

申请日：2018-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣华 ,  吴台荣 ,  张晋熏 ,  赵席振 ,  河庆洙

IPC: G11C16/12

Abstract: 一种存储器件，具有多个电源轨，包括：第一电源轨，用于传递高电源电压，第二电源轨，用于传递低电源电压，第三电源轨，用于经过第一动态电压和频率调整(DVFS)开关来从第一电源轨接收高电源电压并且用于经过第二DVFS开关来从第二电源轨选择性地接收低电源电压，第四电源轨，连接到第一电源门控(PG)开关，用来从第三电源轨选择性地接收高电源电压或低电源电压，第一电路块，连接到第四电源轨以接收应用了DVFS和PG的电源电压。当应用了电源门控时，阻断第四电源轨的电源电压的供应。

公开(公告)号：CN115458001A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210648176.2

申请日：2022-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李说民 ,  赵席振

IPC: G11C8/12

Abstract: 一种半导体存储器装置包括数据焊盘、字线、存储器单元、全局输入输出线和存储体内开关。字线在行方向上延伸并在列方向上排列。字线被分组为字线组，使得每个字线组包括在列方向上相邻的字线。选择字线基于行地址来选择。全局输入输出线在列方向上延伸并在行方向上排列以在数据焊盘与存储器单元之间传送数据。全局输入输出线被切割成分别与字线组对应的线段组。存储体内开关基于行地址来控制线段组当中的两个线段组之间的电连接，其中，所述两个线段组在列方向上相邻并包括在一个存储器存储体中。