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公开(公告)号：CN109285578B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810801485.2
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种存储器件，包括第一开关，用于切换第一电源电压并将第一电源电压传送到第一电源轨的公共节点。第二开关切换第二电源电压，并将第二电源电压传送到公共节点。在存储器件的初始驱动期间，控制逻辑生成用于控制第一开关的第一控制信号。屏蔽电路通过向第一开关提供通过屏蔽第一控制信号所获得的第一屏蔽控制信号，控制第一开关在该存储器件的初始驱动时段的至少部分时段中维持导通状态。
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公开(公告)号：CN111352881B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201911130434.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/40
Abstract: 提供了一种信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法。所述信号发送和接收设备包括：第一片上端接电路，所述第一片上端接电路连接到通过其发送或接收第一信号的第一引脚，当所述第一片上端接电路被启用时，所述第一片上端接电路被配置为将第一端接电阻提供给与所述第一引脚连接的信号线；第二片上端接电路，所述第二片上端接电路连接到通过其发送或接收第二信号的第二引脚，当所述第二片上端接电路被启用时，所述第二片上端接电路被配置为将第二端接电阻提供给与所述第二引脚连接的信号线；以及片上端接控制电路，所述片上端接控制电路被配置为：独立地控制所述第一片上端接电路和所述第二片上端接电路中的每一个的启用时间和停用时间。
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公开(公告)号：CN109285581A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810809422.1
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/12
Abstract: 一种存储器件，具有多个电源轨，包括：第一电源轨，用于传递高电源电压，第二电源轨，用于传递低电源电压，第三电源轨，用于经过第一动态电压和频率调整(DVFS)开关来从第一电源轨接收高电源电压并且用于经过第二DVFS开关来从第二电源轨选择性地接收低电源电压，第四电源轨，连接到第一电源门控(PG)开关，用来从第三电源轨选择性地接收高电源电压或低电源电压，第一电路块，连接到第四电源轨以接收应用了DVFS和PG的电源电压。当应用了电源门控时，阻断第四电源轨的电源电压的供应。
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公开(公告)号：CN114627957A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111211055.3
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开存储器装置和包括该存储器装置的存储器系统。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括布置成多个行的存储器单元；ECC引擎，被配置为：检测响应于读取命令和读取地址而从存储器单元阵列读取的第一数据中的错误，输出第一错误发生信号，并且纠正第一数据中的错误；行故障检测器，被配置为输出故障行地址，故障行地址指示所述多个行之中的故障行；以及标志生成器，被配置为：接收读取地址、第一错误发生信号和故障行地址，并且生成解码状态标志或故障行标志，解码状态标志指示错误是否被检测到以及错误是否被纠正，故障行标志指示包括在读取地址中的读取行地址为故障行地址。
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公开(公告)号：CN109285578A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810801485.2
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种存储器件，包括第一开关，用于切换第一电源电压并将第一电源电压传送到第一电源轨的公共节点。第二开关切换第二电源电压，并将第二电源电压传送到公共节点。在存储器件的初始驱动期间，控制逻辑生成用于控制第一开关的第一控制信号。屏蔽电路通过向第一开关提供通过屏蔽第一控制信号所获得的第一屏蔽控制信号，控制第一开关在该存储器件的初始驱动时段的至少部分时段中维持导通状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110310681B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201910202222.4
申请日：2019-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。
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公开(公告)号：CN116168754A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211471281.X
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 公开了一种存储设备，其包括：存储单元阵列，存储第一数据和第一奇偶校验数据；纠错码ECC电路，基于第一数据和第一奇偶校验数据执行ECC解码并输出经纠错的数据和解码状态标志；以及输入/输出电路，将经纠错的数据和解码状态标志提供给存储控制器。ECC电路包括：校正子生成器，基于第一数据和第一奇偶校验数据生成校正子；校正子解码电路，对校正子进行解码以生成错误向量；纠正逻辑电路，基于错误向量和第一数据生成经纠错的数据；以及快速解码状态标志DSF生成器，在不用错误向量的情况下基于校正子生成解码状态标志。
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公开(公告)号：CN110310681A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910202222.4
申请日：2019-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。
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公开(公告)号：CN109285579A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810794935.X
申请日：2018-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4074 , G11C11/409
Abstract: 提供了具有多个电压区域的存储器器件及其操作方法。该存储器器件包括存储器单元阵列；包括数据处理块的数据通路区域，所述数据处理块在读取/写入操作期间从/向存储器单元阵列传输读取/写入数据；和包括控制块的控制信号通路区域，所述控制块在读取/写入操作期间控制数据处理块。数据通路区域根据存储器器件的操作模式选择性地接收第一高电源电压或第一低电源电压。控制信号通路区域接收第一高电源电压而不管操作模式。
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公开(公告)号：CN109285581B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201810809422.1
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/12
Abstract: 一种存储器件，具有多个电源轨，包括：第一电源轨，用于传递高电源电压，第二电源轨，用于传递低电源电压，第三电源轨，用于经过第一动态电压和频率调整(DVFS)开关来从第一电源轨接收高电源电压并且用于经过第二DVFS开关来从第二电源轨选择性地接收低电源电压，第四电源轨，连接到第一电源门控(PG)开关，用来从第三电源轨选择性地接收高电源电压或低电源电压，第一电路块，连接到第四电源轨以接收应用了DVFS和PG的电源电压。当应用了电源门控时，阻断第四电源轨的电源电压的供应。
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