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公开(公告)号：CN110097906B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201910001529.8
申请日：2019-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , H03K3/017
Abstract: 公开一种调节占空比的存储器装置和具有存储器装置的存储器系统。一种存储器装置包括：时钟接收器，被配置为：从存储器控制器接收用于在数据写入操作期间接收写入数据的写入时钟；占空比监视器，被配置为：通过监视写入时钟的占空比生成第一监视信息；占空比调节器，被配置为：响应于占空比控制信号，调节写入时钟的占空比并且输出调节的写入时钟。存储器装置将第一监视信息提供给存储器控制器，并且从存储器控制器接收使用第一监视信息生成的占空比控制信号。
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公开(公告)号：CN110808074A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910348611.8
申请日：2019-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 输出驱动器包括：预驱动器，接收驱动器控制代码以在执行读取操作的同时响应于数据而生成上拉控制信号或下拉控制信号；片上终止控制器，接收第一片上终止控制代码以在执行写入操作的同时响应于片上终止使能信号而生成第一片上终止控制信号；和主驱动器，包括在执行读取操作的同时响应于上拉控制信号而生成高电平输出数据并且在执行写入操作的同时响应于第一片上终止控制信号而利用第一高电压来终止高电平输入数据并且利用第一低电压来终止低电平输入数据的上拉n沟道金属氧化物半导体(NMOS)驱动器、和在执行读取操作的同时响应于下拉控制信号而生成低电平输出数据的下拉NMOS驱动器。
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公开(公告)号：CN109950227A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811250307.1
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：第一层，包括第一半导体芯片和第一通孔；第一再分布层，设置在第一层的表面上，并且包括第一-第一布线和第二-第一布线；以及第二层，包括第二半导体芯片，并且堆叠在第一层上。第一半导体芯片包括第一-第一缓冲器，第一-第一缓冲器电连接在第一-第一布线与第二-第一布线之间。
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公开(公告)号：CN110808074B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201910348611.8
申请日：2019-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 输出驱动器包括：预驱动器，接收驱动器控制代码以在执行读取操作的同时响应于数据而生成上拉控制信号或下拉控制信号；片上终止控制器，接收第一片上终止控制代码以在执行写入操作的同时响应于片上终止使能信号而生成第一片上终止控制信号；和主驱动器，包括在执行读取操作的同时响应于上拉控制信号而生成高电平输出数据并且在执行写入操作的同时响应于第一片上终止控制信号而利用第一高电压来终止高电平输入数据并且利用第一低电压来终止低电平输入数据的上拉n沟道金属氧化物半导体(NMOS)驱动器、和在执行读取操作的同时响应于下拉控制信号而生成低电平输出数据的下拉NMOS驱动器。
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公开(公告)号：CN110176263A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201811318563.X
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4096
Abstract: 本公开涉及基于外部电压确定操作模式的存储器装置以及操作该存储器装置的方法。该存储器装置包括：单元阵列，所述单元阵列包括多个存储单元；模式选择器，所述模式选择器检测外部提供的至少一个电压信号的电平，并根据检测所述至少一个电压信号的所述电平的结果，选择与多个标准对应的多个操作模式中的任何一个。所述存储器装置还包括模式控制器，所述模式控制器响应于来自所述模式选择器的模式选择信号，输出设置信息，所述设置信息用于设置所述存储器装置来经由根据所述多个标准中的选定标准的接口与存储器控制器通信；以及校准电路，所述校准电路根据所述设置信息，生成用于控制所述存储器装置中的电路块的控制码。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103295640A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310060187.X
申请日：2013-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C17/18 , G11C5/04 , G11C11/40 , G11C17/16 , G11C29/04 , G11C29/44 , G11C29/76 , G11C29/78 , G11C29/789 , G11C2029/4402
Abstract: 一种能够挽救封装之后出现的缺陷特性的存储器件包括：包括多个存储单元的存储单元阵列和包括至少一个反熔丝的反熔丝电路单元。反熔丝电路单元在所述至少一个反熔丝中存储存储单元阵列的缺陷单元地址，并将该缺陷单元地址读到外部源。反熔丝电路单元在所述至少一个反熔丝中存储缺陷特性码，其中缺陷特性码与该存储器件的时间参数配置、刷新配置、输入/输出（I/O）触发电压配置和数据训练配置的至少一者有关，并向外部源输出该缺陷特性码。
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公开(公告)号：CN109950227B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201811250307.1
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：第一层，包括第一半导体芯片和第一通孔；第一再分布层，设置在第一层的表面上，并且包括第一‑第一布线和第二‑第一布线；以及第二层，包括第二半导体芯片，并且堆叠在第一层上。第一半导体芯片包括第一‑第一缓冲器，第一‑第一缓冲器电连接在第一‑第一布线与第二‑第一布线之间。
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公开(公告)号：CN110176263B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201811318563.X
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4096
Abstract: 本公开涉及基于外部电压确定操作模式的存储器装置以及操作该存储器装置的方法。该存储器装置包括：单元阵列，所述单元阵列包括多个存储单元；模式选择器，所述模式选择器检测外部提供的至少一个电压信号的电平，并根据检测所述至少一个电压信号的所述电平的结果，选择与多个标准对应的多个操作模式中的任何一个。所述存储器装置还包括模式控制器，所述模式控制器响应于来自所述模式选择器的模式选择信号，输出设置信息，所述设置信息用于设置所述存储器装置来经由根据所述多个标准中的选定标准的接口与存储器控制器通信；以及校准电路，所述校准电路根据所述设置信息，生成用于控制所述存储器装置中的电路块的控制码。
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公开(公告)号：CN110097906A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910001529.8
申请日：2019-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , H03K3/017
Abstract: 公开一种调节占空比的存储器装置和具有存储器装置的存储器系统。一种存储器装置包括：时钟接收器，被配置为：从存储器控制器接收用于在数据写入操作期间接收写入数据的写入时钟；占空比监视器，被配置为：通过监视写入时钟的占空比生成第一监视信息；占空比调节器，被配置为：响应于占空比控制信号，调节写入时钟的占空比并且输出调节的写入时钟。存储器装置将第一监视信息提供给存储器控制器，并且从存储器控制器接收使用第一监视信息生成的占空比控制信号。
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公开(公告)号：CN110310681B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201910202222.4
申请日：2019-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。
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