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公开(公告)号：CN110176263A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201811318563.X
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4096
Abstract: 本公开涉及基于外部电压确定操作模式的存储器装置以及操作该存储器装置的方法。该存储器装置包括：单元阵列，所述单元阵列包括多个存储单元；模式选择器，所述模式选择器检测外部提供的至少一个电压信号的电平，并根据检测所述至少一个电压信号的所述电平的结果，选择与多个标准对应的多个操作模式中的任何一个。所述存储器装置还包括模式控制器，所述模式控制器响应于来自所述模式选择器的模式选择信号，输出设置信息，所述设置信息用于设置所述存储器装置来经由根据所述多个标准中的选定标准的接口与存储器控制器通信；以及校准电路，所述校准电路根据所述设置信息，生成用于控制所述存储器装置中的电路块的控制码。
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公开(公告)号：CN115347892A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210306118.1
申请日：2022-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/003 , H03K19/0185
Abstract: 公开了用于补偿电源电压变化的接口电路及其操作方法。所述接口电路包括：缓冲电路，被配置为接收输入信号并生成具有延迟时间的输出信号，延迟时间基于偏置电流的电流电平和电源电压的电压电平被确定；以及偏置生成电路，被配置为改变偏置控制电压的电压电平，从而通过补偿电源电压的电压电平的变化而使延迟时间恒定，偏置生成电路还被配置为将偏置控制电压提供给缓冲电路。
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公开(公告)号：CN110176263B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201811318563.X
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4096
Abstract: 本公开涉及基于外部电压确定操作模式的存储器装置以及操作该存储器装置的方法。该存储器装置包括：单元阵列，所述单元阵列包括多个存储单元；模式选择器，所述模式选择器检测外部提供的至少一个电压信号的电平，并根据检测所述至少一个电压信号的所述电平的结果，选择与多个标准对应的多个操作模式中的任何一个。所述存储器装置还包括模式控制器，所述模式控制器响应于来自所述模式选择器的模式选择信号，输出设置信息，所述设置信息用于设置所述存储器装置来经由根据所述多个标准中的选定标准的接口与存储器控制器通信；以及校准电路，所述校准电路根据所述设置信息，生成用于控制所述存储器装置中的电路块的控制码。
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公开(公告)号：CN107527650B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201710303471.3
申请日：2017-05-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091
Abstract: 提供了校准端接电阻的半导体存储器装置及其端接电阻的校准方法。存储器装置包括第一片内端接电路、第二片内端接电路、电压发生器和代码生成器。第一片内端接电路可以对应于数据输入缓冲器。第二片内端接电路可以对应于命令/地址缓冲器。电压发生器可以产生参考电压。代码生成器可以响应于参考电压产生片内端接电路中所选择的一个片内端接电路的电阻校准代码。电阻校准代码可以校准所选择的片内端接电路的电阻值。
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公开(公告)号：CN107527650A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710303471.3
申请日：2017-05-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091
Abstract: 提供了校准端接电阻的半导体存储器装置及其端接电阻的校准方法。存储器装置包括第一片内端接电路、第二片内端接电路、电压发生器和代码生成器。第一片内端接电路可以对应于数据输入缓冲器。第二片内端接电路可以对应于命令/地址缓冲器。电压发生器可以产生参考电压。代码生成器可以响应于参考电压产生片内端接电路中所选择的一个片内端接电路的电阻校准代码。电阻校准代码可以校准所选择的片内端接电路的电阻值。
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