公开(公告)号：CN115347892A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210306118.1

申请日：2022-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在珉 ,  金用勳 ,  白真赫 ,  成侑昶 ,  俞昌植 ,  任政燉

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/0185

Abstract: 公开了用于补偿电源电压变化的接口电路及其操作方法。所述接口电路包括：缓冲电路，被配置为接收输入信号并生成具有延迟时间的输出信号，延迟时间基于偏置电流的电流电平和电源电压的电压电平被确定；以及偏置生成电路，被配置为改变偏置控制电压的电压电平，从而通过补偿电源电压的电压电平的变化而使延迟时间恒定，偏置生成电路还被配置为将偏置控制电压提供给缓冲电路。

公开(公告)号：CN117116314A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310588030.8

申请日：2023-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李财雨 ,  金用勳 ,  金基汉 ,  俞昌植

IPC: G11C7/22 ,  G11C7/10

Abstract: 提供半导体装置、用于操作半导体装置的方法和计算系统。所述半导体装置包括：数据时钟信号生成器电路，被配置为输出多个数据时钟信号，所述多个数据时钟信号具有不同相位并且用于生成存储器装置的多个内部数据时钟信号；数据发送器，被配置为基于被转变一次的测试模式来生成数据信号，根据延迟值来延迟被转变一次的数据信号，并且将数据信号输出到存储器装置；数据接收器，被配置为从存储器装置接收输出信号，输出信号包括第一采样数据，第一采样数据通过基于来自所述多个内部数据时钟信号的第一内部数据时钟信号对数据信号进行采样而获得；以及训练电路，被配置为基于第一采样数据来改变延迟值并且确定延迟值的最终值。

公开(公告)号：CN117095712A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310560480.6

申请日：2023-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李财雨 ,  金用勳 ,  金基汉 ,  俞昌植

IPC: G11C7/22 ,  H03K5/156

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：时钟生成电路，被配置为将具有不同相位的多个时钟信号输出给存储器装置，存储器装置的内部时钟信号响应于所述多个时钟信号被生成；以及训练电路，被配置为从存储器装置接收基于内部时钟信号输出的输出信号，调整用于通过调整所述多个时钟信号之中的至少一个时钟信号的相位来生成内部时钟信号的码的值，基于输出信号的占空比来确定所述码的最终值，并且将所述最终值写入存储器装置，输出信号的占空比根据所述码的值的调整而改变。

公开(公告)号：CN118230778A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311552162.1

申请日：2023-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔佳滥 ,  金用勳 ,  金基汉

IPC: G11C7/10

Abstract: 公开了存储器装置。所述存储器装置包括：多个片上终结(ODT)电路；阻抗控制(ZQ)校准电路，被配置为输出第一码信号和第二码信号；以及每引脚校准电路。每引脚校准电路可被配置为：从多个信号引脚之中选择一个信号引脚，将选择的信号引脚的第一输入电压电平与所述多个信号引脚中的其他信号引脚中的每个的第二输入电压电平进行比较，生成所述多个信号引脚中的每个的每引脚ODT码信号；将每引脚ODT码信号与第一码信号或第二码信号组合，以及将组合后的每引脚ODT码信号提供给相应的ODT电路。

公开(公告)号：CN115938420A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210833371.2

申请日：2022-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在祐 ,  金用勳 ,  崔宰珉 ,  成侑昶 ,  兪昌植

IPC: G11C11/34 ,  G11C7/22

Abstract: 提供了存储器装置、具有存储器装置的存储器系统及其操作方法。所述存储器装置包括：第一排，具有第一存储器存储体和第一四偏移调整电路；和第二排，具有第二存储器存储体和第二四偏移调整电路，其中，第一四偏移调整电路和第二四偏移调整电路中的每个被配置为：通过第一通道接收4相位时钟；检测4相位时钟的内部四偏移；根据检测的四偏移来校正4相位时钟的偏移；和通过第二通道输出与检测的四通道偏移对应的模式寄存器信息。