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公开(公告)号:CN117854552A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202311017668.2
申请日:2023-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种半导体芯片包括写入时钟缓冲器、电压调节器、工艺校准电路和温度校准电路。所述电压调节器生成多个调节电压。所述工艺校准电路依据所述半导体芯片的工艺变化,将所述调节电压中的一个调节电压输出为所述写入时钟缓冲器的偏置电压。所述温度校准电路实时地跟踪所述半导体芯片的温度变化,依据所跟踪的结果对来自所述工艺校准电路的所述偏置电压实时地执行模拟校准,并且将模拟校准的偏置电压输出到所述写入时钟缓冲器。
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公开(公告)号:CN116436456A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202211598024.2
申请日:2022-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种分频器,其包括分频核心电路,该分频核心电路包括多个晶体管并且被配置为基于时钟信号和反相时钟信号生成至少一个划分时钟信号,控制器,被配置为基于时钟频率信息生成体偏置控制信号,以及自适应体偏置(ABB)生成器,其被配置为基于体偏置控制信号生成至少一个体偏置,并且被配置为将至少一个体偏置施加到多个晶体管中的一个或多个的体。
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公开(公告)号:CN117116314A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202310588030.8
申请日:2023-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体装置、用于操作半导体装置的方法和计算系统。所述半导体装置包括:数据时钟信号生成器电路,被配置为输出多个数据时钟信号,所述多个数据时钟信号具有不同相位并且用于生成存储器装置的多个内部数据时钟信号;数据发送器,被配置为基于被转变一次的测试模式来生成数据信号,根据延迟值来延迟被转变一次的数据信号,并且将数据信号输出到存储器装置;数据接收器,被配置为从存储器装置接收输出信号,输出信号包括第一采样数据,第一采样数据通过基于来自所述多个内部数据时钟信号的第一内部数据时钟信号对数据信号进行采样而获得;以及训练电路,被配置为基于第一采样数据来改变延迟值并且确定延迟值的最终值。
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公开(公告)号:CN117095712A
公开(公告)日:2023-11-21
申请号:CN202310560480.6
申请日:2023-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括:时钟生成电路,被配置为将具有不同相位的多个时钟信号输出给存储器装置,存储器装置的内部时钟信号响应于所述多个时钟信号被生成;以及训练电路,被配置为从存储器装置接收基于内部时钟信号输出的输出信号,调整用于通过调整所述多个时钟信号之中的至少一个时钟信号的相位来生成内部时钟信号的码的值,基于输出信号的占空比来确定所述码的最终值,并且将所述最终值写入存储器装置,输出信号的占空比根据所述码的值的调整而改变。
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