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公开(公告)号：CN117437945A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310822112.4
申请日：2023-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种时钟多路复用电路、脉冲发生器和存储器装置。时钟多路复用电路包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管在接收第一输入时钟信号的第一输入端子和输出输出脉冲信号的输出端子之间，并且基于接收第二输入时钟信号的第二输入端子的逻辑电平而操作，第二晶体管在输出端子和第一电压节点之间，并且基于第二输入端子的逻辑电平而操作。第一输入时钟信号和第二输入时钟信号具有相同的周期和不同的相位。输出脉冲信号在第一输入时钟信号转变到第一逻辑电平时的第一时间处转变到第一逻辑电平，并且在第二输入时钟信号转变到第一逻辑电平时的第二时间处转变到第二逻辑电平。
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公开(公告)号：CN117116314A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310588030.8
申请日：2023-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体装置、用于操作半导体装置的方法和计算系统。所述半导体装置包括：数据时钟信号生成器电路，被配置为输出多个数据时钟信号，所述多个数据时钟信号具有不同相位并且用于生成存储器装置的多个内部数据时钟信号；数据发送器，被配置为基于被转变一次的测试模式来生成数据信号，根据延迟值来延迟被转变一次的数据信号，并且将数据信号输出到存储器装置；数据接收器，被配置为从存储器装置接收输出信号，输出信号包括第一采样数据，第一采样数据通过基于来自所述多个内部数据时钟信号的第一内部数据时钟信号对数据信号进行采样而获得；以及训练电路，被配置为基于第一采样数据来改变延迟值并且确定延迟值的最终值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117095712A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310560480.6
申请日：2023-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：时钟生成电路，被配置为将具有不同相位的多个时钟信号输出给存储器装置，存储器装置的内部时钟信号响应于所述多个时钟信号被生成；以及训练电路，被配置为从存储器装置接收基于内部时钟信号输出的输出信号，调整用于通过调整所述多个时钟信号之中的至少一个时钟信号的相位来生成内部时钟信号的码的值，基于输出信号的占空比来确定所述码的最终值，并且将所述最终值写入存储器装置，输出信号的占空比根据所述码的值的调整而改变。
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公开(公告)号：CN116030852A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211327835.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 公开了一种执行偏移校准的存储器装置和操作存储器装置的方法。该存储器装置包括：被配置为从在外部的装置接收数据的输入/输出焊盘；连接至输入/输出焊盘的片内端接(ODT)电路；多个接收器，其连接至ODT电路，并被配置为接收来自于输入/输出焊盘的数据；偏移校准电路，其被配置为对由多个接收器输出的数据执行偏移校准操作，并输出偏移校正；第一开关，其被配置为向多个接收器提供第一电压；以及第二开关，其被配置为向多个接收器提供第二电压。在操作偏移校准期间，多个接收器响应于ODT电路被使能而接收第三电压，并且通过第一开关接收第一电压。
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公开(公告)号：CN118230778A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311552162.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 公开了存储器装置。所述存储器装置包括：多个片上终结(ODT)电路；阻抗控制(ZQ)校准电路，被配置为输出第一码信号和第二码信号；以及每引脚校准电路。每引脚校准电路可被配置为：从多个信号引脚之中选择一个信号引脚，将选择的信号引脚的第一输入电压电平与所述多个信号引脚中的其他信号引脚中的每个的第二输入电压电平进行比较，生成所述多个信号引脚中的每个的每引脚ODT码信号；将每引脚ODT码信号与第一码信号或第二码信号组合，以及将组合后的每引脚ODT码信号提供给相应的ODT电路。
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公开(公告)号：CN117854552A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311017668.2
申请日：2023-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种半导体芯片包括写入时钟缓冲器、电压调节器、工艺校准电路和温度校准电路。所述电压调节器生成多个调节电压。所述工艺校准电路依据所述半导体芯片的工艺变化，将所述调节电压中的一个调节电压输出为所述写入时钟缓冲器的偏置电压。所述温度校准电路实时地跟踪所述半导体芯片的温度变化，依据所跟踪的结果对来自所述工艺校准电路的所述偏置电压实时地执行模拟校准，并且将模拟校准的偏置电压输出到所述写入时钟缓冲器。
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公开(公告)号：CN117953932A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310832247.9
申请日：2023-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器件、存储控制器以及存储器件的操作方法。所述存储器件包括：多相时钟发生器，其被配置为基于来自存储控制器的时钟信号生成具有N个不同相位的第一时钟信号至第N时钟信号；以及监视时钟信号发生器，其被配置为与第一时钟信号至第N时钟信号的边沿同步地生成具有与数据模式相对应的逻辑状态的监视时钟信号，其中，监视时钟信号包括被配置为在训练操作的第一步骤中检测第一时钟信号与第三时钟信号之间的偏斜的第一监视时钟信号、被配置为在训练操作的第二步骤中检测第二时钟信号与第四时钟信号之间的偏斜的第二监视时钟信号、以及被配置为在训练操作的第三步骤中检测第一时钟信号与第二时钟信号之间的偏斜第三监视时钟信号。
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