-
公开(公告)号：CN114079441A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110621955.9
申请日：2021-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了占空比调节电路和延迟锁定环电路以及包括占空比调节电路和延迟锁定环电路的半导体存储器件。占空比调节电路包括：脉冲生成器，被配置为基于频率信息产生具有恒定脉冲宽度的脉冲信号，而与参考时钟信号的频率无关；码生成器，被配置为响应于脉冲信号，通过延迟脉冲信号来产生第一预定数量的延迟脉冲信号，作为第一码；以及占空比调节器，被配置为接收延迟时钟信号，并通过响应于第一码和第二码而调节延迟时钟信号的上升沿的斜率和下降沿的斜率来产生占空比校正时钟信号。
-
公开(公告)号：CN117213361A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310674951.6
申请日：2023-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01B11/00
Abstract: 一种半导体测量设备包括：照明单元，其包括光源和至少一个照明偏振元件；光接收单元，其包括至少一个光接收偏振元件和图像传感器，至少一个光接收偏振元件设置在被样品反射的光的路径上，图像传感器被定位为接收穿过至少一个光接收偏振元件的光并被配置为输出原始图像；以及控制单元，其被配置为通过处理原始图像来确定样品的区域中包括的结构的临界尺寸中的所选择的临界尺寸。控制单元被配置为通过选择原始图像的出现由于干涉而导致的峰的区域来获得多个样品图像，使用多个样品图像来确定米勒矩阵中包括的多个元素，并且基于多个元素来确定所选择的临界尺寸。
-
公开(公告)号：CN119085482A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410597316.7
申请日：2024-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01B11/00
Abstract: 一种半导体测量设备包括：照明单元；光接收单元；以及控制单元，其被配置为：生成表示原始图像的预测等式，其中，预测等式基于米勒矩阵的多个元素，将米勒矩阵的多个元素中的每一个近似到包括泽尔尼克多项式的基和系数的多项式，基于系数之和以及预测等式和原始图像之间的差来生成优化系数，基于优化系数和最小值确定优化条件是否被满足，以及当优化条件被满足时基于优化系数和基来选择尺寸。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113541680A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110270307.3
申请日：2021-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种延迟锁相环电路及半导体存储器装置。延迟锁相环电路包括相位检测和延迟控制电路，该相位检测和延迟控制电路被配置为响应于第一选择信号被激活来检测第一内部生成时钟信号和反馈时钟信号之间的相位差以生成第一相位差检测信号，响应于第二选择信号被激活来检测第二内部生成时钟信号和反馈时钟信号之间的相位差以生成第二相位差检测信号，并且响应于第一相位差检测信号或第二相位差检测信号来改变码值。
-
公开(公告)号：CN118230778A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311552162.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 公开了存储器装置。所述存储器装置包括：多个片上终结(ODT)电路；阻抗控制(ZQ)校准电路，被配置为输出第一码信号和第二码信号；以及每引脚校准电路。每引脚校准电路可被配置为：从多个信号引脚之中选择一个信号引脚，将选择的信号引脚的第一输入电压电平与所述多个信号引脚中的其他信号引脚中的每个的第二输入电压电平进行比较，生成所述多个信号引脚中的每个的每引脚ODT码信号；将每引脚ODT码信号与第一码信号或第二码信号组合，以及将组合后的每引脚ODT码信号提供给相应的ODT电路。
-
公开(公告)号：CN117854552A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311017668.2
申请日：2023-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种半导体芯片包括写入时钟缓冲器、电压调节器、工艺校准电路和温度校准电路。所述电压调节器生成多个调节电压。所述工艺校准电路依据所述半导体芯片的工艺变化，将所述调节电压中的一个调节电压输出为所述写入时钟缓冲器的偏置电压。所述温度校准电路实时地跟踪所述半导体芯片的温度变化，依据所跟踪的结果对来自所述工艺校准电路的所述偏置电压实时地执行模拟校准，并且将模拟校准的偏置电压输出到所述写入时钟缓冲器。
-
公开(公告)号：CN116430669A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211655943.9
申请日：2022-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/84
Abstract: 一种EUV光掩模检查设备，包括：多个光学系统，其分别在包括EUV光掩模和EUV光掩模上的表膜的掩模结构中形成不同的共焦点。多个光学系统中的第一光学系统包括：第一光源，其发射具有可见光范围内的波长的第一光；分束器，其透射或反射第一光；物镜，其被配置为允许第一光穿过掩模结构的至少一部分，以在掩模结构中形成第一焦点；第一光检测器，其被配置为检测通过入射的第一光从掩模结构反射的第一反射光，以及针孔板，其在第一光源前方。第一光检测器具有包括PMT和APD的检测模块和热电冷却模块。
-
公开(公告)号：CN113674779A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110500029.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了多相时钟发生器、存储器装置和生成多相时钟的方法。该多相时钟发生器包括第一可变延迟线和第二可变延迟线；第一分相器，被配置为将从时钟树输出的第一相位延迟时钟进行相位分离，以输出第一分频时钟和第三分频时钟；第二分相器，被配置为将从时钟树输出的第二相位延迟时钟进行相位分离，以输出第二分频时钟和第四分频时钟；第一占空比检测器，被配置为检测第一分频时钟与第三分频时钟之间的第一占空比误差；以及第二占空比检测器，被配置为检测第二分频时钟与第四分频时钟之间的第二占空比误差。第一可变延迟线根据第一占空比误差被控制，并且第二可变延迟线根据第二占空比误差被控制。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.017 seconds)
