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    存储装置及其操作方法
    2.
    发明公开
    存储装置及其操作方法 有权

    公开(公告)号：CN108877854A

    公开(公告)日：2018-11-23

    申请号：CN201810001997.0

    申请日：2018-01-02

    申请人： 爱思开海力士有限公司

    发明人： 朴熙中 ,  姜垌承 ,  辛源哲 ,  蔡东赫

    IPC分类号： G11C7/12 ,  G11C8/08

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/24 ,  G11C16/32 ,  G11C2211/5642

    摘要： 存储装置及其操作方法。一种存储装置包括：多个存储单元；多条位线，多条位线连接到所述多个存储单元；以及多个页缓冲器，多个页缓冲器通过所述多条位线联接到所述多个存储单元，并且对所述多个存储单元执行读取操作，其中，所述多个页缓冲器中的每一个包括：第一锁存器，该第一锁存器在所述读取操作期间控制位线预充电操作；以及第二锁存器，该第二锁存器存储第一感测操作的结果和在所述第一感测操作之后执行的第二感测操作的结果，其中，当所述第一感测操作的结果和所述第二感测操作的结果在所述第二感测操作期间彼此不同时，存储在所述第二锁存器中的值被反转。

    用于非易失性储存阵列操作的数据寄存器复制
    5.
    发明公开
    用于非易失性储存阵列操作的数据寄存器复制 无效

    公开(公告)号：CN108431896A

    公开(公告)日：2018-08-21

    申请号：CN201780004944.8

    申请日：2017-03-15

    申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

    发明人： 欧阳婧雯

    IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/32

    CPC分类号： G06F3/0619 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0688 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32 ,  G11C2207/2245

    摘要： 公开了用于非易失性储存阵列(200)的数据寄存器(280)复制的设备、系统、方法和计算机程序产品。设备可以包含非易失性储存单元的阵列(200)。写入缓冲器数据寄存器(286)的集合可以配置为储存目标数据以用于阵列(200)的编程操作。写入缓冲器数据寄存器(286)可以将目标数据通信到阵列(200)的对应列。影子数据寄存器(284)的集合可以配置为从阵列(200)的外围电路(220、222)接收目标数据。在影子数据寄存器(284)接收目标数据的部分时，由影子数据寄存器(284)接收的目标数据的部分可以被复制到对应的写入缓冲器数据寄存器(286)。

    操作用于改变恢复区段的非易失性存储器装置的方法
    6.
    发明公开
    操作用于改变恢复区段的非易失性存储器装置的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN108335709A

    公开(公告)日：2018-07-27

    申请号：CN201810046976.0

    申请日：2018-01-18

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 金斗铉

    IPC分类号： G11C7/12

    CPC分类号： G11C16/14 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3459 ,  G11C7/12

    摘要： 提供一种操作包括连接至多条线的存储器单元阵列的非易失性存储器装置的方法。所述方法可以包括：通过将第一电压施加一段时间来对所述多条线中的第一线执行第一循环，第一循环包括具有第一操作时间段的第一恢复区段，其中，按照第一斜率对第一电压放电；在第一循环之后，通过将第二电压施加一段时间来对第一线执行第二循环，第二循环包括具有第二操作时间段的第二恢复区段，第二操作时间段不同于第一操作时间段，其中，按照比第一斜率小的第二斜率对第二电压放电。

    半导体存储器
    7.
    发明授权
    半导体存储器 有权 转让

    公开(公告)号：CN104575602B

    公开(公告)日：2018-07-06

    申请号：CN201410645436.6

    申请日：2011-03-14

    申请人： 赛普拉斯半导体公司

    发明人： 森郁 ,  内田敏也

    IPC分类号： G11C16/10

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C7/18 ,  G11C7/227 ,  G11C16/24 ,  G11C16/32

    摘要： 本发明公开了半导体存储器。该半导体存储器包括：读出放大器，该读出放大器响应于读出放大器使能信号的激活而操作并且根据位线的电压来确定非易失性存储元件中保持的逻辑，该电压随着流经真实元件晶体管的元件电流而变化；串联耦合在第一节点与地线之间的复制元件晶体管；以及定时生成单元。定时生成单元在经由复制元件晶体管耦合到地线的第一节点从高电平变化到低电平时激活读出放大器使能信号。复制元件晶体管包括接收恒定电压的控制栅和耦合到控制栅的浮栅。从而，可以根据存储元件的电特性来最优地设定读出放大器的激活定时。

    半导体器件
    8.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN108122585A

    公开(公告)日：2018-06-05

    申请号：CN201711229048.X

    申请日：2017-11-29

    申请人： 瑞萨电子株式会社

    发明人： 冈山昌太

    IPC分类号： G11C16/14

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/06 ,  G11C16/14 ,  G11C16/30 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3459 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/7883

    摘要： 本发明提供一种半导体器件，其解决在将电压设定表存储于非易失性存储器的存储器区域的情况下该区域会增大的课题。半导体器件具备存储器装置、和控制所述存储器装置的控制装置。所述存储器装置由非易失性存储器元件构成，具备存储改写所需的设定信息的存储器、具有第一寄存器及改写结束标志的第一控制电路、和生成改写电压的电源电路。所述控制装置具备具有改写开始标志的第二控制电路、基于所述改写开始标志及所述改写结束标志来测量改写电压施加时间的计数器、基于所述改写电压施加时间来存储下一改写电压的第二寄存器。所述控制装置在接收到改写所述存储器的指令的情况下，读出所述存储器内的改写所需的设定信息，对所述第一寄存器进行回写。