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公开(公告)号：CN108122585B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201711229048.X
申请日：2017-11-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 冈山昌太
IPC: G11C16/14
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其解决在将电压设定表存储于非易失性存储器的存储器区域的情况下该区域会增大的课题。半导体器件具备存储器装置、和控制所述存储器装置的控制装置。所述存储器装置由非易失性存储器元件构成，具备存储改写所需的设定信息的存储器、具有第一寄存器及改写结束标志的第一控制电路、和生成改写电压的电源电路。所述控制装置具备具有改写开始标志的第二控制电路、基于所述改写开始标志及所述改写结束标志来测量改写电压施加时间的计数器、基于所述改写电压施加时间来存储下一改写电压的第二寄存器。所述控制装置在接收到改写所述存储器的指令的情况下，读出所述存储器内的改写所需的设定信息，对所述第一寄存器进行回写。
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公开(公告)号：CN110120241B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910105848.3
申请日：2019-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件。本发明的一个目的是提供一种能够简化修整操作的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括电源电路和修整电路。电源电路包括：参考电压生成电路，生成在修整操作时使用的多个参考电压；以及电压生成电路，生成由半导体存储器件使用的多个电源电压。半导体器件在修整操作时使用外部参考电压来调节特定参考电压，并且然后使用利用经调节的特定参考电压而生成的多个参考电压以及对应于参考电压的多个电源电压，确定与电源电压的调节量对应的修整代码。
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公开(公告)号：CN110120241A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910105848.3
申请日：2019-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件。本发明的一个目的是提供一种能够简化修整操作的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括电源电路和修整电路。电源电路包括：参考电压生成电路，生成在修整操作时使用的多个参考电压；以及电压生成电路，生成由半导体存储器件使用的多个电源电压。半导体器件在修整操作时使用外部参考电压来调节特定参考电压，并且然后使用利用经调节的特定参考电压而生成的多个参考电压以及对应于参考电压的多个电源电压，确定与电源电压的调节量对应的修整代码。
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公开(公告)号：CN108122585A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711229048.X
申请日：2017-11-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 冈山昌太
IPC: G11C16/14
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/0466 , G11C16/06 , G11C16/14 , G11C16/30 , G11C16/32 , G11C16/3459 , H01L27/11568 , H01L29/7883
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其解决在将电压设定表存储于非易失性存储器的存储器区域的情况下该区域会增大的课题。半导体器件具备存储器装置、和控制所述存储器装置的控制装置。所述存储器装置由非易失性存储器元件构成，具备存储改写所需的设定信息的存储器、具有第一寄存器及改写结束标志的第一控制电路、和生成改写电压的电源电路。所述控制装置具备具有改写开始标志的第二控制电路、基于所述改写开始标志及所述改写结束标志来测量改写电压施加时间的计数器、基于所述改写电压施加时间来存储下一改写电压的第二寄存器。所述控制装置在接收到改写所述存储器的指令的情况下，读出所述存储器内的改写所需的设定信息，对所述第一寄存器进行回写。
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