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公开(公告)号：CN117219136A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310679613.1
申请日：2023-06-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体设备。钳位元件46在读出操作时向位线BL施加固定电势。参考电流源RCS生成参考电流Iref。偏移电流源OCS1在用于OTP单元OTPC的读出操作时被激活，并且在被激活时生成要从单元电流Icel中减去的偏移电流Iof1。在对OTP单元OTPC的该读出操作时，该感测放大器SA检测该参考电流Iref和通过从该单元电流Icel中减去该偏移电流Iof1获得的读出电流Ird之间的大小关系。
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公开(公告)号：CN111105831A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910823753.5
申请日：2019-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件。本发明的一个目的是增加对闪存存储器的写入速度同时抑制噪声的增加。在高速写入模式中，存储器控制器关于第二数量的存储器单元利用第二写入电流同时执行第一写入操作，该第二写入电流具有比第一写入电流小的电流值，第二数量比第一写入电流的存储器单元的数量大。在第一写入操作完成时，存储器控制器关于由感测放大器在确定过程中确定为未完成写入操作的存储器单元、通过第三写入电流同时执行第二写入操作，该第三写入电流具有比第二写入电流大的电流值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110120241B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910105848.3
申请日：2019-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件。本发明的一个目的是提供一种能够简化修整操作的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括电源电路和修整电路。电源电路包括：参考电压生成电路，生成在修整操作时使用的多个参考电压；以及电压生成电路，生成由半导体存储器件使用的多个电源电压。半导体器件在修整操作时使用外部参考电压来调节特定参考电压，并且然后使用利用经调节的特定参考电压而生成的多个参考电压以及对应于参考电压的多个电源电压，确定与电源电压的调节量对应的修整代码。
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公开(公告)号：CN115410623A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210561588.2
申请日：2022-05-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括逻辑电路、存储器和存储装置。该存储装置具有：第一特定信息存储区域，特定信息在焊料回流过程之前被写入到该第一特定信息存储区域中；第二特定信息存储区域，用于更新的特定信息在焊料回流过程之后将写入到该第二特定信息存储区域中；以及数据存储区域。第一特定信息存储区域由具有高回流抗性的存储器单元构成，并且数据即使在焊料回流过程之后也被保留在该存储器单元中。第二特定信息存储区域和数据存储区域由具有低回流抗性的存储器单元构成，并且数据在焊料回流过程期间可以不被保留在该存储器单元中。
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公开(公告)号：CN115691597A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210849248.X
申请日：2022-07-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体装置和半导体系统。提供了一种能够根据情况以简单的方式改变数据编程处理的半导体装置。半导体装置包括多个存储器单元、用于向存储器单元供应编程电流的编程电路、以及用于向编程电路供电的电源电路。电源电路包括用于对外部电源升压的电荷泵电路、根据选择指示的外部电源的电压、以及能够切换由电荷泵电路升压的升压电压的可选择电路。控制电路还包括用于通过切换选择指示由编程电路执行数据编程处理的控制电路。
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公开(公告)号：CN111105831B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201910823753.5
申请日：2019-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件。本发明的一个目的是增加对闪存存储器的写入速度同时抑制噪声的增加。在高速写入模式中，存储器控制器关于第二数量的存储器单元利用第二写入电流同时执行第一写入操作，该第二写入电流具有比第一写入电流小的电流值，第二数量比第一写入电流的存储器单元的数量大。在第一写入操作完成时，存储器控制器关于由感测放大器在确定过程中确定为未完成写入操作的存储器单元、通过第三写入电流同时执行第二写入操作，该第三写入电流具有比第二写入电流大的电流值。
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公开(公告)号：CN110120241A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910105848.3
申请日：2019-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件。本发明的一个目的是提供一种能够简化修整操作的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括电源电路和修整电路。电源电路包括：参考电压生成电路，生成在修整操作时使用的多个参考电压；以及电压生成电路，生成由半导体存储器件使用的多个电源电压。半导体器件在修整操作时使用外部参考电压来调节特定参考电压，并且然后使用利用经调节的特定参考电压而生成的多个参考电压以及对应于参考电压的多个电源电压，确定与电源电压的调节量对应的修整代码。
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