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公开(公告)号:CN109584933B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN201811237850.8
申请日:2012-08-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 在半导体器件所具备的非易失性存储器装置(4)中,在基于带间隧穿方式进行的数据擦除时,当满足电荷泵电路(52)的输出电压(VUCP)恢复至规定的基准电压这一条件,以及从开始对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压(VUCP)起经过了规定的基准时间这一条件时,结束对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压。
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公开(公告)号:CN115410623A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202210561588.2
申请日:2022-05-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括逻辑电路、存储器和存储装置。该存储装置具有:第一特定信息存储区域,特定信息在焊料回流过程之前被写入到该第一特定信息存储区域中;第二特定信息存储区域,用于更新的特定信息在焊料回流过程之后将写入到该第二特定信息存储区域中;以及数据存储区域。第一特定信息存储区域由具有高回流抗性的存储器单元构成,并且数据即使在焊料回流过程之后也被保留在该存储器单元中。第二特定信息存储区域和数据存储区域由具有低回流抗性的存储器单元构成,并且数据在焊料回流过程期间可以不被保留在该存储器单元中。
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公开(公告)号:CN103858349B
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201180074100.3
申请日:2011-10-11
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 伊藤孝
IPC: H03K17/22 , G06F1/24 , G06F15/78 , G11C11/4072
CPC classification number: G11C16/30 , G11C5/147 , G11C7/02 , G11C7/12 , G11C7/20 , G11C16/14 , H03K3/3565 , H03K17/223
Abstract: 控制逻辑部(20)在电源正常工作的情况下生成被激活的控制信号。充电电路对与第1节点连接的电容元件充电电荷,该第1节点位于被供给由电压产生电路产生的电压的电压控制线上。第1放电电路与充电电路的电荷蓄积节点连接,在控制信号被激活时将所蓄积的电荷放电。第2放电电路在电荷蓄积节点超过预定的电位时将第1节点放电。
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公开(公告)号:CN104380386A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201280074152.5
申请日:2012-08-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 在半导体器件所具备的非易失性存储器装置(4)中,在基于带间隧穿方式进行的数据擦除时,当满足电荷泵电路(52)的输出电压(VUCP)恢复至规定的基准电压这一条件,以及从开始对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压(VUCP)起经过了规定的基准时间这一条件时,结束对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压。
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公开(公告)号:CN109584933A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201811237850.8
申请日:2012-08-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 在半导体器件所具备的非易失性存储器装置(4)中,在基于带间隧穿方式进行的数据擦除时,当满足电荷泵电路(52)的输出电压(VUCP)恢复至规定的基准电压这一条件,以及从开始对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压(VUCP)起经过了规定的基准时间这一条件时,结束对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压。
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公开(公告)号:CN103858349A
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201180074100.3
申请日:2011-10-11
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 伊藤孝
IPC: H03K17/22 , G06F1/24 , G06F15/78 , G11C11/4072
CPC classification number: G11C16/30 , G11C5/147 , G11C7/02 , G11C7/12 , G11C7/20 , G11C16/14 , H03K3/3565 , H03K17/223
Abstract: 控制逻辑部(20)在电源正常工作的情况下生成被激活的控制信号。充电电路对与第1节点连接的电容元件充电电荷,该第1节点位于被供给由电压产生电路产生的电压的电压控制线上。第1放电电路与充电电路的电荷蓄积节点连接,在控制信号被激活时将所蓄积的电荷放电。第2放电电路在电荷蓄积节点超过预定的电位时将第1节点放电。
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