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公开(公告)号：CN108630278B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201810228747.0
申请日：2018-03-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及存储装置和存储方法。存储装置包括数据存储器单元和状态存储器单元。数据存储器单元包括要通过互补读取模式读取的一对闪速存储器单元，并且1位数据由该一对闪速存储器单元存储在其中。状态存储器单元包括要通过参考读取模式读取的闪速存储器单元，并且状态标志由闪速存储器单元存储在其中。
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公开(公告)号：CN115410623A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210561588.2
申请日：2022-05-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括逻辑电路、存储器和存储装置。该存储装置具有：第一特定信息存储区域，特定信息在焊料回流过程之前被写入到该第一特定信息存储区域中；第二特定信息存储区域，用于更新的特定信息在焊料回流过程之后将写入到该第二特定信息存储区域中；以及数据存储区域。第一特定信息存储区域由具有高回流抗性的存储器单元构成，并且数据即使在焊料回流过程之后也被保留在该存储器单元中。第二特定信息存储区域和数据存储区域由具有低回流抗性的存储器单元构成，并且数据在焊料回流过程期间可以不被保留在该存储器单元中。
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公开(公告)号：CN108630278A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810228747.0
申请日：2018-03-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及存储装置和存储方法。存储装置包括数据存储器单元和状态存储器单元。数据存储器单元包括要通过互补读取模式读取的一对闪速存储器单元，并且1位数据由该一对闪速存储器单元存储在其中。状态存储器单元包括要通过参考读取模式读取的闪速存储器单元，并且状态标志由闪速存储器单元存储在其中。
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