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公开(公告)号:CN107086052B
公开(公告)日:2021-09-03
申请号:CN201710080848.3
申请日:2017-02-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种闪速存储器。为了降低制造成本,该闪速存储器包括:存储器单元阵列,由以矩阵形状布置的多个存储器单元形成;多条字线,设置在所述存储器单元阵列的各列中;第一字线驱动器,向各条字线输出第一电压组;以及第二字线驱动器,与所述第一字线驱动器一起向各条字线输出第二电压组。
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公开(公告)号:CN115410623A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202210561588.2
申请日:2022-05-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括逻辑电路、存储器和存储装置。该存储装置具有:第一特定信息存储区域,特定信息在焊料回流过程之前被写入到该第一特定信息存储区域中;第二特定信息存储区域,用于更新的特定信息在焊料回流过程之后将写入到该第二特定信息存储区域中;以及数据存储区域。第一特定信息存储区域由具有高回流抗性的存储器单元构成,并且数据即使在焊料回流过程之后也被保留在该存储器单元中。第二特定信息存储区域和数据存储区域由具有低回流抗性的存储器单元构成,并且数据在焊料回流过程期间可以不被保留在该存储器单元中。
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公开(公告)号:CN107086052A
公开(公告)日:2017-08-22
申请号:CN201710080848.3
申请日:2017-02-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G11C16/08 , G11C16/0416 , G11C16/0433 , H03K3/356104 , G11C16/14 , G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种闪速存储器。为了降低制造成本,该闪速存储器包括:存储器单元阵列,由以矩阵形状布置的多个存储器单元形成;多条字线,设置在所述存储器单元阵列的各列中;第一字线驱动器,向各条字线输出第一电压组;以及第二字线驱动器,与所述第一字线驱动器一起向各条字线输出第二电压组。
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公开(公告)号:CN115691597A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202210849248.X
申请日:2022-07-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体装置和半导体系统。提供了一种能够根据情况以简单的方式改变数据编程处理的半导体装置。半导体装置包括多个存储器单元、用于向存储器单元供应编程电流的编程电路、以及用于向编程电路供电的电源电路。电源电路包括用于对外部电源升压的电荷泵电路、根据选择指示的外部电源的电压、以及能够切换由电荷泵电路升压的升压电压的可选择电路。控制电路还包括用于通过切换选择指示由编程电路执行数据编程处理的控制电路。
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公开(公告)号:CN108428462A
公开(公告)日:2018-08-21
申请号:CN201810093794.9
申请日:2018-01-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C7/12 , G11C11/4094 , G11C16/24
CPC classification number: G11C7/12 , G11C7/062 , G11C7/067 , G11C7/14 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C11/4094
Abstract: 本公开涉及半导体装置。根据一个实施例,一种半导体装置包括:预充电晶体管,被配置为向位线供应预充电电压;感测放大器,被配置为根据存储元件的汲取电流和参考电流之间的比较结果来改变输出信号的逻辑电平;钳位晶体管,设置在位线BL和感测放大器之间,以及;钳位电压输出晶体管,其中钳位电压输出晶体管的栅极连接到钳位晶体管的栅极,钳位电压输出晶体管的源极连接到其背栅,钳位电压输出晶体管的源极被供应预充电电压,钳位电压输出晶体管的漏极连接到其栅极,并且接地电压被供应给钳位晶体管的背栅。
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公开(公告)号:CN107481761A
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201710351990.7
申请日:2017-05-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 提供了一种电源半导体装置,其能够在电源切断时存储保存数据。该接收电源的半导体装置包括具有能够存储数据的多个存储器元件的存储器单元、检测电源切断的电源检测电路、和在电源切断能够代替电源而暂时供应操作电压的电容器。存储器单元包括:电压生成单元,该电压生成单元在电源切断时基于来自电容器的操作电压生成多个写入电压;和写入电路,该写入电路基于由电压生成单元生成的写入电压执行对多个存储器单元的保存数据的数据写入。
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