公开(公告)号：CN109584933A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811237850.8

申请日：2012-08-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小川大也 ,  伊藤孝 ,  友枝光弘

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

Abstract: 在半导体器件所具备的非易失性存储器装置(4)中，在基于带间隧穿方式进行的数据擦除时，当满足电荷泵电路(52)的输出电压(VUCP)恢复至规定的基准电压这一条件，以及从开始对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压(VUCP)起经过了规定的基准时间这一条件时，结束对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压。

公开(公告)号：CN109584933B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201811237850.8

申请日：2012-08-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小川大也 ,  伊藤孝 ,  友枝光弘

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

Abstract: 在半导体器件所具备的非易失性存储器装置(4)中，在基于带间隧穿方式进行的数据擦除时，当满足电荷泵电路(52)的输出电压(VUCP)恢复至规定的基准电压这一条件，以及从开始对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压(VUCP)起经过了规定的基准时间这一条件时，结束对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压。

公开(公告)号：CN104380386A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201280074152.5

申请日：2012-08-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小川大也 ,  伊藤孝 ,  友枝光弘

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/14 ,  G11C16/06 ,  G11C16/12 ,  G11C16/30 ,  G11C16/32

Abstract: 在半导体器件所具备的非易失性存储器装置(4)中，在基于带间隧穿方式进行的数据擦除时，当满足电荷泵电路(52)的输出电压(VUCP)恢复至规定的基准电压这一条件，以及从开始对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压(VUCP)起经过了规定的基准时间这一条件时，结束对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压。