公开(公告)号：CN108694966B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810070942.5

申请日：2018-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宗勋 ,  赵恩锡 ,  郑羽杓 ,  南尚完 ,  宋仲镐 ,  李在训 ,  洪玧昊

IPC: G11C7/10

Abstract: 非易失性存储器件包括：存储单元阵列区域，其中存储单元竖直地堆叠在衬底上；以及页缓冲器，其中布置了第一页缓冲器和第二页缓冲器。存储单元阵列区域和第一页缓冲器之间的第一距离小于存储单元阵列区域和第二页缓冲器之间的第二距离。第一页缓冲器包括响应于第一控制信号驱动的第一晶体管。第二页缓冲器包括响应于与第一控制信号相对应的第二控制信号驱动的第二晶体管。相对于第一晶体管和第二晶体管的设计约束和工艺约束中的至少一个是不同的。

公开(公告)号：CN108694966A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810070942.5

申请日：2018-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宗勋 ,  赵恩锡 ,  郑羽杓 ,  南尚完 ,  宋仲镐 ,  李在训 ,  洪玧昊

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G06F3/061 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  G11C7/106 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  H01L21/265 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/1084

Abstract: 非易失性存储器件包括：存储单元阵列区域，其中存储单元竖直地堆叠在衬底上；以及页缓冲器，其中布置了第一页缓冲器和第二页缓冲器。存储单元阵列区域和第一页缓冲器之间的第一距离小于存储单元阵列区域和第二页缓冲器之间的第二距离。第一页缓冲器包括响应于第一控制信号驱动的第一晶体管。第二页缓冲器包括响应于与第一控制信号相对应的第二控制信号驱动的第二晶体管。相对于第一晶体管和第二晶体管的设计约束和工艺约束中的至少一个是不同的。